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公开(公告)号：KR101450594B1
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：KR1020120101433
申请日：2012-09-13
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본 발명은 집속이온빔을 이용한 플랜 뷰 투과전자현미경용 시편 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명의 투과전자현미경용 시편 제조방법은 웨이퍼에서 분석 포인트가 포함된 위치의 샘플을 잘라내어 단면을 폴리싱하는 단계와, 상기 샘플 단면에서 특정 박막층의 위치를 찾아가는 단계와, 상기 분석 포인트 근처의 단면을 집속이온빔에 수직한 방향으로 샘플을 정열하는 단계와, 상기 분석 포인트 근처의 단면에 보호막을 형성하는 단계와, 상기 분석 포인트의 양 측면 또는 일 측면을 집속이온빔으로 제거하는 단계와, 양 측면 또는 일 측면이 제거된 시편을 집속이온빔의 방향에서 양 측면 또는 일 측면 방향으로 소정 각도로 기울여서 더욱 얇게 제작하는 단계와, 상기 시편의 좌측, 우측 및 하부 부분을 제거하되, 좌측 또는 우측 중 일측의 일부분을 제 거하지 않는 단계와, 니들(Needle) 끝단을 시편에 부착하고 시편과 샘플의 연결부분을 제거하는 단계와, 상기 시편을 샘플로부터 분리해서 그리드로 부착하는 단계와, 상기 시편의 두께가 200nm를 넘지 않도록 양 측면을 제거하는 단계와, 집속이온빔의 가속전압을 낮추어서 양 측면의 비정질 영역을 제거하는 단계를 포함함으로써, 제조 시간을 단축함과 동시에 Dual Beam FIB(Focused Ion Beam)을 이용하여 플랜 뷰(Plan View) TEM 시편을 제작하는 것이 가능하게 됨으로써, 특정 박막층의 플랜 뷰로 TEM 분석이 가능하고, 기판으로부터 표면까지 각 층별 플랜 뷰로 TEM 분석이 가능한 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR101161259B1
公开(公告)日：2012-07-02
申请号：KR1020100042417
申请日：2010-05-06
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 투과 전자 현미경용 시편 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 방법에서는 시료 표면의 분석 부위를 집속 이온빔의 방향에 수직으로 놓은 상태에서 상기 집속 이온빔을 이용하여 상기 분석 부위가 포함된 시편의 양쪽 영역 시료를 제거함으로써 상기 시편의 양 측면을 형성한다. 상기 집속 이온빔의 방향에 대해 상기 시편의 양 측면을 차례로 기울여서 상기 시편의 양 측면을 상기 집속 이온빔으로 제거한다. 상기 시편과 상기 시료의 연결 부위 중 일부를 제거한 다음, 리프팅 시스템의 탐침 끝단을 상기 시편에 부착하고 상기 시편과 상기 시료의 연결 부위 전부를 제거하여 상기 시료로부터 상기 시편을 분리한다. 상기 시편을 그리드에 부착한 후 상기 시편의 양 측면을 상기 집속 이온빔으로 제거하여 상기 시편 두께가 200nm 이하가 되도록 한다. 상기 집속 이온빔의 가속전압을 낮추어서 상기 시편의 양 측면의 비정질 영역을 제거한다.
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公开(公告)号：KR1020140035071A
公开(公告)日：2014-03-21
申请号：KR1020120101433
申请日：2012-09-13
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: The present invention relates to a manufacturing method for a specimen for a plan view transmission electron microscope (TEM) using focused ion beam (FIB). The manufacturing method for a TEM specimen comprises as follows: a step of cutting out a sample at a position including an analysis point from a wafer and polishing the cross section of the sample; a step of locating a specific thin film layer on the cross section of the sample; a step of arranging the sample such that the cross section around the analysis point can be in a vertical direction to FIB; a step of forming a protective film around the analysis point; a step of removing both sides or one side of the analysis point using the FIB; a step of tilting a specimen whose both sides or one side is removed at a fixed angle to the both sides or the one side direction from the FIB direction in order to make the specimen with a thin thickness; a step of removing the left, right, and lower sides of the specimen but not removing a part of either the left side or right side; a step of attaching the end of a needle to the specimen and removing a connecting part between the specimen and the sample; a step of separating the specimen from the sample and attaching the specimen to a grid; a step of removing both sides of the specimen so that the thickness of the specimen cannot exceed 200 nm; and a step of removing an amorphous area on both sides of the specimen by reducing acceleration voltage of the FIB. Therefore, the manufacturing method for a TEM specimen can reduce manufacturing hours and manufacture a plan view TEM specimen using dual beam FIB in order to enable plan view TEM analysis for a specific thin film and enable plan view TEM analysis by layers from a substrate to the surface. [Reference numerals] (S100) Step of cutting out a sample at a position including an analysis point from a wafer and polishing the cross section of the sample; (S110) Step of locating a specific thin film layer on the cross section of the sample; (S120) Step of arranging such that the cross section around the analysis point can be in a vertical direction to FIB; (S130) Step of forming a protective film around the analysis point; (S140) Step of removing both sides or one side of the analysis point using the FIB; (S150) Step of tilting a specimen whose both sides or one side is removed at a fixed angle in order to make the specimen with a thin thickness; (S160) Step of removing the left, right, and lower sides of the specimen but not removing a part of either the left side or right side; (S170) Step of attaching the end of a needle to the specimen and removing a connecting part between the specimen and the sample; (S180) Step of separating the specimen from the sample and attaching the specimen to a grid; (S190) Step of removing both sides of the specimen so that the thickness of the specimen cannot exceed 200 nm; (S200) Step of removing an amorphous area on both sides of the specimen by reducing the acceleration voltage of the FIB
Abstract translation: 本发明涉及使用聚焦离子束（FIB）的平面图透射电子显微镜（TEM）的试样的制造方法。 TEM试样的制造方法包括以下步骤：从晶片切出包含分析点的位置的样品并研磨样品的截面的步骤; 在样品的横截面上定位特定薄膜层的步骤; 布置样本使得分析点周围的横截面可以在垂直于FIB的方向上的步骤; 在分析点周围形成保护膜的步骤; 使用FIB去除分析点的两侧或一侧的步骤; 将其两面或一侧从FIB方向以两侧或一侧方向以一定角度去除的样品倾斜以使厚度薄的步骤; 去除试样的左侧，右侧和下侧但不去除左侧或右侧的一部分的步骤; 将针的端部附着到试样上并去除试样与样品之间的连接部的步骤; 将样品与样品分离并将样品附接到网格的步骤; 去除试样的两侧使得试样的厚度不能超过200nm的步骤; 以及通过降低FIB的加速电压来去除样品两侧的非晶区域的步骤。 因此，TEM试样的制造方法可以减少制造时间并制造使用双光束FIB的平面图TEM样品，以便对特定薄膜进行平面图TEM分析，并且能够进行从基板到 表面。 （附图标记）（S100）从晶片切割包含分析点的位置的样品并研磨样品的截面的步骤; （S110）在样品的横截面上定位特定薄膜层的步骤; （S120）使分析点周围的截面与FIB成垂直方向排列的步骤; （S130）在分析点周围形成保护膜的工序; （S140）使用FIB去除分析点的两侧或一侧的步骤; （S150）为了使厚度薄的样品倾斜将两侧或一侧以固定角度去除的试样倾斜的工序; （S160）除去试样的左，右，下侧，但不除去左侧或右侧的一部分的步骤; （S170）将针的端部安装在试样上，除去试样与样品之间的连接部的工序; （S180）将试样与样品分离并将样品附接到格栅上的步骤; （S190）除去试样的两面使得试样的厚度不能超过200nm的步骤; （S200）通过降低FIB的加速电压来除去试样两面的非晶区域的工序
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公开(公告)号：KR1020110123007A
公开(公告)日：2011-11-14
申请号：KR1020100042417
申请日：2010-05-06
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: PURPOSE: A method of manufacturing specimen for a transparent electronic microscope is provided to enable a specimen to be analyzed on a wide area with the transparent electronic microscope since the thickness of the specimen is wholly uniform in cross section. CONSTITUTION: A method of manufacturing specimen for a transparent electronic microscope is as follows. Both sides of a specimen are formed by removing a sample from both areas of the specimen comprising a target part using ion beams in a state the target part of the surface of a sample is placed perpendicular to the ion beams(S1). Both sides of the specimen are in turn inclined to the direction of the ion beam and are removed by the ion beams(S2). Some of the connecting part of the specimen and the sample is removed(S3). The end of the probe of a lifting system is attached to the specimen.
Abstract translation: 目的：提供一种制造透明电子显微镜样品的方法，由于样品的厚度在横截面上是完全一致的，所以可以用透明电子显微镜在宽范围内分析样品。 构成：透明电子显微镜的制造方法如下。 在样品表面的目标部分垂直于离子束（S1）放置的状态下，使用离子束从包含目标部分的试样的两个区域中取出样品，形成两侧。 样品的两侧依次倾斜于离子束的方向，并被离子束（S2）除去。 去除样品和样品的一些连接部分（S3）。 升降系统的探头的末端连接到试样上。
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