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公开(公告)号：KR101548241B1
公开(公告)日：2015-08-28
申请号：KR1020130169387
申请日：2013-12-31
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L21/20
Abstract: 본발명은반도체소자에관한것으로서,기판상에화합물반도체층이형성되는반도체소자의제조방법에있어서, 상기반도체소자에트렌치구조를형성하기위해패터닝된마스크를준비하는제1단계와, 상기화합물반도체층을상기패터닝된마스크를이용하여기판과화합물반도체층의계면까지에칭하여상기기판의표면이노출되도록하는제2단계와, 상기노출된기판을기판영역에서측면식각을이용하여상기기판과화합물반도체층의계면에서일정깊이로식각된 "凸" 형상의트렌치구조를형성하는제3단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는트렌치구조를가진반도체소자의제조방법및 그에의한반도체소자를기술적요지로한다. 이에의해기판에트렌치구조를형성하여기판과화합물반도체층의계면에서일정깊이까지기판영역이제거된트렌치구조에의해기생경로를분리시킴으로반도체소자의항복전압을개선하는이점이있다.
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公开(公告)号：KR101450594B1
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：KR1020120101433
申请日：2012-09-13
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본 발명은 집속이온빔을 이용한 플랜 뷰 투과전자현미경용 시편 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명의 투과전자현미경용 시편 제조방법은 웨이퍼에서 분석 포인트가 포함된 위치의 샘플을 잘라내어 단면을 폴리싱하는 단계와, 상기 샘플 단면에서 특정 박막층의 위치를 찾아가는 단계와, 상기 분석 포인트 근처의 단면을 집속이온빔에 수직한 방향으로 샘플을 정열하는 단계와, 상기 분석 포인트 근처의 단면에 보호막을 형성하는 단계와, 상기 분석 포인트의 양 측면 또는 일 측면을 집속이온빔으로 제거하는 단계와, 양 측면 또는 일 측면이 제거된 시편을 집속이온빔의 방향에서 양 측면 또는 일 측면 방향으로 소정 각도로 기울여서 더욱 얇게 제작하는 단계와, 상기 시편의 좌측, 우측 및 하부 부분을 제거하되, 좌측 또는 우측 중 일측의 일부분을 제 거하지 않는 단계와, 니들(Needle) 끝단을 시편에 부착하고 시편과 샘플의 연결부분을 제거하는 단계와, 상기 시편을 샘플로부터 분리해서 그리드로 부착하는 단계와, 상기 시편의 두께가 200nm를 넘지 않도록 양 측면을 제거하는 단계와, 집속이온빔의 가속전압을 낮추어서 양 측면의 비정질 영역을 제거하는 단계를 포함함으로써, 제조 시간을 단축함과 동시에 Dual Beam FIB(Focused Ion Beam)을 이용하여 플랜 뷰(Plan View) TEM 시편을 제작하는 것이 가능하게 됨으로써, 특정 박막층의 플랜 뷰로 TEM 분석이 가능하고, 기판으로부터 표면까지 각 층별 플랜 뷰로 TEM 분석이 가능한 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR101161259B1
公开(公告)日：2012-07-02
申请号：KR1020100042417
申请日：2010-05-06
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 투과 전자 현미경용 시편 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 방법에서는 시료 표면의 분석 부위를 집속 이온빔의 방향에 수직으로 놓은 상태에서 상기 집속 이온빔을 이용하여 상기 분석 부위가 포함된 시편의 양쪽 영역 시료를 제거함으로써 상기 시편의 양 측면을 형성한다. 상기 집속 이온빔의 방향에 대해 상기 시편의 양 측면을 차례로 기울여서 상기 시편의 양 측면을 상기 집속 이온빔으로 제거한다. 상기 시편과 상기 시료의 연결 부위 중 일부를 제거한 다음, 리프팅 시스템의 탐침 끝단을 상기 시편에 부착하고 상기 시편과 상기 시료의 연결 부위 전부를 제거하여 상기 시료로부터 상기 시편을 분리한다. 상기 시편을 그리드에 부착한 후 상기 시편의 양 측면을 상기 집속 이온빔으로 제거하여 상기 시편 두께가 200nm 이하가 되도록 한다. 상기 집속 이온빔의 가속전압을 낮추어서 상기 시편의 양 측면의 비정질 영역을 제거한다.
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公开(公告)号：KR101335604B1
公开(公告)日：2013-12-02
申请号：KR1020120032317
申请日：2012-03-29
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본 발명은 발광다이오드(Light Emitting Diode, LED)의 신뢰성 평가 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 발광다이오드를 가열 또는 냉각하는 구역과 발광다이오드의 전기적 또는 광학적 특성을 측정하는 구역을 분리하여, 발광다이오드의 가열 또는 냉각 전·후 특성 측정 조건을 동일하게 유지하여, 발광다이오드의 특성을 정확하게 측정하는 발광다이오드 특성 신뢰성 장치에 관한 것으로, 발광다이오드(Light Emitting Diode, LED)의 온도특성을 측정하기 위해 발광다이오드를 가열 또는 냉각하는 챔버, 챔버 외부에 구비되고, 발광다이오드의 전기적 또는 광학적 특성을 측정하는 측정부, 발광다이오드를 측정부에서 챔버로 또는 챔버에서 측정부로 이동시키는 스테이지, 스테이지에 구비된 발광다이오드에 전원을 공급하는 전원 공급부, 측정부에서 측정된 전기적, 광학적 특성 데이터를 저장하는 데이터 저장부, 챔버, 측정부, 스테이지 또는 전원 공급부를 제어하고, 측정부에서 측정된 전기적, 광학적 특성 데이터를 데이터 저장부에 저장하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1020130110387A
公开(公告)日：2013-10-10
申请号：KR1020120032317
申请日：2012-03-29
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: PURPOSE: A device for evaluating the reliability of a light emitting diode is provided to reduce errors of characteristic data of the light emitting diode and to prevent the characteristic transformation of a light receiving module. CONSTITUTION: A chamber (200) heats or cools a light emitting diode for measuring a temperature characteristic of a light emitting diode. A measurement unit (300) is included in the outside of the chamber and measures an optical or electrical characteristic of the light emitting diode. A stage (400) moves the light emitting diode from the measurement unit to a chamber or from the chamber to the measurement unit. A power supply unit (500) supplies power to the light emitting diode. A data storage unit (600) stores optical or electrical data measured in the measurement unit. A control unit (700) controls the chamber, the measurement unit, the stage, or the power supply unit and stores the optical or electrical data in the data storage unit. [Reference numerals] (210,220) Heater or cooler; (230) Temperature measuring unit; (310) Light receiving transferring device; (320) Light receiving module; (330) Spectrometer; (400) Stage; (500) Power supply unit; (600) Storage unit; (700) Control unit
Abstract translation: 目的：提供一种用于评估发光二极管的可靠性的装置，以减少发光二极管的特性数据的误差，并防止光接收模块的特征变换。 构成：室（200）加热或冷却用于测量发光二极管的温度特性的发光二极管。 测量单元（300）包括在室的外部，并且测量发光二极管的光学或电学特性。 舞台（400）将发光二极管从测量单元移动到室或从腔室移动到测量单元。 电源单元（500）向发光二极管供电。 数据存储单元（600）存储在测量单元中测量的光或电数据。 控制单元（700）控制室，测量单元，平台或电源单元，并将光或电数据存储在数据存储单元中。 （参考编号）（210,220）加热器或冷却器; （230）温度测量单元; （310）光接收传送装置; （320）光接收模块; （330）光谱仪; （400）舞台; （500）电源单元; （600）存储单元; （700）控制单元
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170073007A
公开(公告)日：2017-06-28
申请号：KR1020150181162
申请日：2015-12-17
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H02S50/00 , H01L31/05 , H01L31/042 , G05D23/19
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은온도검출부를포함하는태양전지모듈및 시스템에관한것으로서, 복수의태양전지셀 어레이, 상기태양전지셀 어레이에각각연결되어, 각각연결된태양전지셀 어레이를바이패스시킬수 있는복수의셀 바이패스소자, 및상기셀 바이패스소자에각각연결된복수의온도검출부를포함하되, 상기온도검출부는하나이상의태양전지셀에대한온도를감지하고, 감지된온도가미리설정된범위를벗어나는경우, 상기셀 바이패스소자를구동시키는것을특징으로한다. 본발명에따르면, 온도감지를통해바이패스소자를구동시킴으로써, 태양전지모듈의효율을높이고, 안정적으로태양전지시스템을운용할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种太阳能电池模块和包括温度检测器，多个太阳能电池阵列，其中所述太阳能电池被连接到单元阵列的系统中，每个所述多个小区中的连接的太阳能电池阵列旁路sikilsu绕过 元件，并包括：多个温度检测器，每个耦合至所述电池旁路设备中，当温度检测器检测到一个或更多个太阳能电池的温度，并且检测到的温度在预设范围外，则电池旁通 从而驱动设备。 根据本发明，通过经由温度检测驱动所述旁路元件，以提高太阳能电池模块的效率，就可以可靠地操作该太阳能电池系统。
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公开(公告)号：KR1020150074770A
公开(公告)日：2015-07-02
申请号：KR1020130162855
申请日：2013-12-24
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: G01N1/28 , H01J37/317
CPC classification number: G01N1/32 , G01N2001/2893 , H01J37/26
Abstract: 본발명은, 시편의양 단차면에단차보상이온빔을조사하여상기단차면의격차를메우는단차보상막을코팅하는단차보상막형성단계; 및상기시편과상기단차보상막의표면전체에보호막이온빔을조사하여보호막을코팅하는보호막형성단계를포함하는것을특징으로하는투과전자현미경용시편제작방법을제공한다. 본발명에의하면, 시편의양 단차면에단차보상막을미리형성함으로써단차근처의공간에의해투과전자현미경영상이왜곡되는것을막는효과가있다.
Abstract translation: 本发明提供一种透射型电子显微镜用试样的制造方法，其特征在于，包括：阶梯式补偿膜形成工序，在步进式补偿膜的两台阶面上照射阶梯式补偿离子束， 标本; 以及保护膜形成步骤，通过在样品和阶梯式补偿膜的整个表面上照射保护膜离子束来涂覆保护膜。 根据本发明，通过预先在试样的两台阶表面上形成阶梯式补偿膜，透射电子显微镜的图像不会与台阶部分相邻的空间变形。
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公开(公告)号：KR1020140035071A
公开(公告)日：2014-03-21
申请号：KR1020120101433
申请日：2012-09-13
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: The present invention relates to a manufacturing method for a specimen for a plan view transmission electron microscope (TEM) using focused ion beam (FIB). The manufacturing method for a TEM specimen comprises as follows: a step of cutting out a sample at a position including an analysis point from a wafer and polishing the cross section of the sample; a step of locating a specific thin film layer on the cross section of the sample; a step of arranging the sample such that the cross section around the analysis point can be in a vertical direction to FIB; a step of forming a protective film around the analysis point; a step of removing both sides or one side of the analysis point using the FIB; a step of tilting a specimen whose both sides or one side is removed at a fixed angle to the both sides or the one side direction from the FIB direction in order to make the specimen with a thin thickness; a step of removing the left, right, and lower sides of the specimen but not removing a part of either the left side or right side; a step of attaching the end of a needle to the specimen and removing a connecting part between the specimen and the sample; a step of separating the specimen from the sample and attaching the specimen to a grid; a step of removing both sides of the specimen so that the thickness of the specimen cannot exceed 200 nm; and a step of removing an amorphous area on both sides of the specimen by reducing acceleration voltage of the FIB. Therefore, the manufacturing method for a TEM specimen can reduce manufacturing hours and manufacture a plan view TEM specimen using dual beam FIB in order to enable plan view TEM analysis for a specific thin film and enable plan view TEM analysis by layers from a substrate to the surface. [Reference numerals] (S100) Step of cutting out a sample at a position including an analysis point from a wafer and polishing the cross section of the sample; (S110) Step of locating a specific thin film layer on the cross section of the sample; (S120) Step of arranging such that the cross section around the analysis point can be in a vertical direction to FIB; (S130) Step of forming a protective film around the analysis point; (S140) Step of removing both sides or one side of the analysis point using the FIB; (S150) Step of tilting a specimen whose both sides or one side is removed at a fixed angle in order to make the specimen with a thin thickness; (S160) Step of removing the left, right, and lower sides of the specimen but not removing a part of either the left side or right side; (S170) Step of attaching the end of a needle to the specimen and removing a connecting part between the specimen and the sample; (S180) Step of separating the specimen from the sample and attaching the specimen to a grid; (S190) Step of removing both sides of the specimen so that the thickness of the specimen cannot exceed 200 nm; (S200) Step of removing an amorphous area on both sides of the specimen by reducing the acceleration voltage of the FIB
Abstract translation: 本发明涉及使用聚焦离子束（FIB）的平面图透射电子显微镜（TEM）的试样的制造方法。 TEM试样的制造方法包括以下步骤：从晶片切出包含分析点的位置的样品并研磨样品的截面的步骤; 在样品的横截面上定位特定薄膜层的步骤; 布置样本使得分析点周围的横截面可以在垂直于FIB的方向上的步骤; 在分析点周围形成保护膜的步骤; 使用FIB去除分析点的两侧或一侧的步骤; 将其两面或一侧从FIB方向以两侧或一侧方向以一定角度去除的样品倾斜以使厚度薄的步骤; 去除试样的左侧，右侧和下侧但不去除左侧或右侧的一部分的步骤; 将针的端部附着到试样上并去除试样与样品之间的连接部的步骤; 将样品与样品分离并将样品附接到网格的步骤; 去除试样的两侧使得试样的厚度不能超过200nm的步骤; 以及通过降低FIB的加速电压来去除样品两侧的非晶区域的步骤。 因此，TEM试样的制造方法可以减少制造时间并制造使用双光束FIB的平面图TEM样品，以便对特定薄膜进行平面图TEM分析，并且能够进行从基板到 表面。 （附图标记）（S100）从晶片切割包含分析点的位置的样品并研磨样品的截面的步骤; （S110）在样品的横截面上定位特定薄膜层的步骤; （S120）使分析点周围的截面与FIB成垂直方向排列的步骤; （S130）在分析点周围形成保护膜的工序; （S140）使用FIB去除分析点的两侧或一侧的步骤; （S150）为了使厚度薄的样品倾斜将两侧或一侧以固定角度去除的试样倾斜的工序; （S160）除去试样的左，右，下侧，但不除去左侧或右侧的一部分的步骤; （S170）将针的端部安装在试样上，除去试样与样品之间的连接部的工序; （S180）将试样与样品分离并将样品附接到格栅上的步骤; （S190）除去试样的两面使得试样的厚度不能超过200nm的步骤; （S200）通过降低FIB的加速电压来除去试样两面的非晶区域的工序
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公开(公告)号：KR1020150079272A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：KR1020130169387
申请日：2013-12-31
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/76224 , H01L21/308 , H01L21/76801
Abstract: 본발명은반도체소자에관한것으로서,기판상에화합물반도체층이형성되는반도체소자의제조방법에있어서, 상기반도체소자에트렌치구조를형성하기위해패터닝된마스크를준비하는제1단계와, 상기화합물반도체층을상기패터닝된마스크를이용하여기판/화합물반도체층의계면까지에칭하여상기기판의표면이노출되도록하는제2단계와, 상기노출된기판을기판영역에서측면식각을이용하여상기기판/화합물반도체층의계면에서일정깊이로식각된 "凸" 형상의트렌치구조를형성하는제3단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는트렌치구조를가진반도체소자의제조방법및 그에의한반도체소자를기술적요지로한다. 이에의해기판에트렌치구조를형성하여기판/화합물반도체층의계면에서일정깊이까지기판영역이제거된트렌치구조에의해기생경로를분리시킴으로반도체소자의항복전압을개선하는이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种半导体器件。 在其中在基板上形成化合物半导体层的半导体器件的制造方法中，技术要点是半导体器件和半导体器件的制造方法。 半导体器件的制造方法包括：制备图案化掩模以在半导体器件上形成沟槽结构的第一步骤; 通过蚀刻化合物半导体层直到基板/化合物半导体层的界面通过使用图案化掩模形成来暴露基板的表面的第二步骤; 以及第三步骤，通过在暴露的基板的基板区域中使用侧蚀刻和半导体器件，形成在基板/化合物半导体层的界面上以恒定深度蚀刻的沟槽结构。 可以通过在衬底上形成沟槽结构并通过沟槽结构分离寄生通路来改善半导体器件的击穿电压，其中去除衬底区域直到在衬底/化合物半导体层的界面处达到恒定的深度。
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公开(公告)号：KR1020110123007A
公开(公告)日：2011-11-14
申请号：KR1020100042417
申请日：2010-05-06
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: PURPOSE: A method of manufacturing specimen for a transparent electronic microscope is provided to enable a specimen to be analyzed on a wide area with the transparent electronic microscope since the thickness of the specimen is wholly uniform in cross section. CONSTITUTION: A method of manufacturing specimen for a transparent electronic microscope is as follows. Both sides of a specimen are formed by removing a sample from both areas of the specimen comprising a target part using ion beams in a state the target part of the surface of a sample is placed perpendicular to the ion beams(S1). Both sides of the specimen are in turn inclined to the direction of the ion beam and are removed by the ion beams(S2). Some of the connecting part of the specimen and the sample is removed(S3). The end of the probe of a lifting system is attached to the specimen.
Abstract translation: 目的：提供一种制造透明电子显微镜样品的方法，由于样品的厚度在横截面上是完全一致的，所以可以用透明电子显微镜在宽范围内分析样品。 构成：透明电子显微镜的制造方法如下。 在样品表面的目标部分垂直于离子束（S1）放置的状态下，使用离子束从包含目标部分的试样的两个区域中取出样品，形成两侧。 样品的两侧依次倾斜于离子束的方向，并被离子束（S2）除去。 去除样品和样品的一些连接部分（S3）。 升降系统的探头的末端连接到试样上。
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