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1.发明公开
公开(公告)号：KR1020050082973A
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：KR1020040011602
申请日：2004-02-20
Applicant: (주)넥센나노텍
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y40/00 , C01B32/15 , C01B32/158 , H01J9/025
Abstract: 본 발명은 고밀도 전자방출 및 저전계 전자방출 성능이 실현 가능한 전자방출원용 음극재로서 신규한 구조의 나노 탄소질 및 그 제조방법과 이를 이용한 음극전극판을 제조하는 방법에 관한 것으로, 탄소계 전자방출원의 재료로 사용되는 나노구조의 탄소질에 있어서, 상기 전자방출원용 나노 탄소질은 (1) 탄소원자 95％ 이상으로 구성된 물질로서 탄소원자의 sp
2 하이브리드(Hybridization) 결합으로 형성된 탄소육각망면(Carbon hexagonal plane)의 적층상으로 형성된 흑연과 유사한 구조를 지니면서 엑스선회절법으로 측정한 탄소육각망면간의 거리가 0.3354 나노미터 내지는 0.3900 나노미터를 지니며 탄소육각망면의 적층의 크기가 4∼12 층을 지니며, (2) 직경 혹은 폭이 2.0 ∼ 3.4 nm 로 구성되고, (3) 에스펙트비 (길이/직경 또는 폭)가 2 이상이고, (4) 내부에 섬유축� � 따라 연속된 중공을 지니지 않는 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자방출원용 탄소질의 나노구조에 관한 것이다.
또한, 전자방출원용 나노구조의 탄소질을 제조하는 방법에 있어서, (1) Fe, Ni 또는 Co 중 최소한 하나를 일부 또는 전부 포함하는 반응가스에 대한 활성금속과, (2) 상기 활성금속을 미분산하기 위해 반응가스에 대한 비활성금속인 Mo 금속을 활성금속의 중량대비 1/100 부 내지 1/5 부 포함하는 촉매를 사용하고, (3) 탄소원으로서 탄소를 1 개 이상 포함하는 포화 또는 불포화 선형탄화수소 및 일산화탄소를 사용하여, (4) 350 도 내지는 700 도에서 기상의 조건으로 상기 전자방출원용 나노구조의 탄소질을 제조하는 방법에 관한 것이며, 상술한 전자방출원용 탄소질을 음극재의 원료로 사용하여, 에틸셀룰로우즈 수지, 열경화성 전도성 수지 또는 감광성 수지에 1％ 내지 20％ 첨가 혼련하여 슬러리 상의 페이스트를 만들어, 이를 코팅 또는 프린팅법에 의하여 전자 방출원의 음극전극판을 제조하는 방법에 관한 것이다.-
公开(公告)号：KR100647439B1
公开(公告)日：2006-11-23
申请号：KR1020050002783
申请日：2005-01-12
Applicant: (주)넥센나노텍
Abstract: 본 발명은 전계 방출 표시 소자 (FED:Field Emission Display)에 있어서 전자를 방출하는 에미터를 제작하기 위해, 나노 카본계 물질을 페이스트화하여 전자 방출용 전계 에미터를 제작하는 방법을 기재한다. 본 발명에 따른 나노 카본계 페이스트는, 경화형과 에폭시 수지에 입자상 나노 카본계인 탄소 나노 튜브및 탄소 나노 파이버에 모두 적용할 수 있고, 금속산화물을 첨가하여 페이스트이 밀착력과 분산성을 획기적으로 증가시키고 전자방출량을 증가시키며, 고전압하에서도 에미터 탈착을 방지하기 위한 버퍼 전극을 도입하여 패키징후에도 에미터의 신뢰도를 증가시킨다.
카본나노파이버, 카본나노튜브, 에미터, 전계 방출 표시 소자-
公开(公告)号：KR100578269B1
公开(公告)日：2006-05-11
申请号：KR1020040011602
申请日：2004-02-20
Applicant: (주)넥센나노텍
Abstract: 본 발명은 고밀도 전자방출 및 저전계 전자방출 성능이 실현 가능한 전자방출원용 음극재로서 신규한 구조의 나노 탄소질 및 그 제조방법과 이를 이용한 음극전극판을 제조하는 방법에 관한 것으로, 탄소계 전자방출원의 재료로 사용되는 나노구조의 탄소질에 있어서, 상기 전자방출원용 나노 탄소질은 (1) 탄소원자 95％ 이상으로 구성된 물질로서 탄소원자의 sp
2 하이브리드(Hybridization) 결합으로 형성된 탄소육각망면(Carbon hexagonal plane)의 적층상으로 형성된 흑연과 유사한 구조를 지니면서 엑스선회절법으로 측정한 탄소육각망면간의 거리가 0.3354 나노미터 내지는 0.3900 나노미터를 지니며 탄소육각망면의 적층의 크기가 4∼12 층을 지니며, (2) 직경 혹은 폭이 2.0 ∼ 3.4 nm 로 구성되고, (3) 에스펙트비 (길이/직경 또는 폭)가 2 이상이고, (4) 내부에 섬유축에 따라 연속된 중공을 지니지 않는 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자방출원용 탄소질의 나노구조에 관한 것이다.
또한, 전자방출원용 나노구조의 탄소질을 제조하는 방법에 있어서, (1) Fe, Ni 또는 Co 중 최소한 하나를 일부 또는 전부 포함하는 반응가스에 대한 활성금속과, (2) 상기 활성금속을 미분산하기 위해 반응가스에 대한 비활성금속인 Mo 금속을 활성금속의 중량대비 1/100 부 내지 1/5 부 포함하는 촉매를 사용하고, (3) 탄소원으로서 탄소를 1 개 이상 포함하는 포화 또는 불포화 선형탄화수소 및 일산화 탄소를 사용하여, (4) 350 도 내지는 700 도에서 기상의 조건으로 상기 전자방출원용 나노구조의 탄소질을 제조하는 방법에 관한 것이며, 상술한 전자방출원용 탄소질을 음극재의 원료로 사용하여, 에틸셀룰로우즈 수지, 열경화성 전도성 수지 또는 감광성 수지에 1％ 내지 20％ 첨가 혼련하여 슬러리 상의 페이스트를 만들어, 이를 코팅 또는 프린팅법에 의하여 전자방출원의 음극전극판을 제조하는 방법에 관한 것이다.
탄소질, 나노, 탄소나노튜브, 탄소나노파이버, 전자방출, 표시소자-
公开(公告)号：KR1020060082272A
公开(公告)日：2006-07-18
申请号：KR1020050002783
申请日：2005-01-12
Applicant: (주)넥센나노텍
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y40/00 , H01J9/025 , H01J2201/30453
Abstract: 본 발명은 전계 방출 표시 소자 (FED:Field Emission Display)에 있어서 전자를 방출하는 에미터를 제작하기 위해, 나노 카본계 물질을 페이스트화하여 스크린 인쇄방식을 이용한 전자 방출용 나노 카본계 전계 에미터를 제작하는 방법을 기재한다. 본 발명에 따른 나노 카본계 페이스트는, 에틸셀룰로우즈 수지를 이용한 경화형과 에폭시 수지를 이용한 소성형 나노 카본계 페이스트로 분류되어 지고 입자상 나노 카본계인 탄소 나노 튜브와 탄소 나노 파이버에 모두 적용할 수 있고, 에미터 표면으로부터 전자 방출량을 증가시킬 목적으로 테잎 또는 고무롤러를 응용한 러빙과 필-오프(rubbing & peel-off) 방식의 물리적인 표면처리법으로 상기 유리 및 Si 웨이퍼 위에 형성한 전자원의 전자방출 능력을 획기적으로 증가시킬 수 있으며, 고전압하에서도 에미터 탈착을 방지하기 위한 버퍼 전극을 도입하여 패키징 후에도 에미터 후막의 신뢰도를 증가시킨다.
카본나노파이버, 카본나노튜브, 에미터, 전계 방출 표시 소자
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