Abstract:
본 발명은 저온에서 기판 위에 코팅된 ZnO 나노입자로부터 완전 배향 성장한 ZnO 나노로드 어레이, 및 새로운 결정 성장 속도, 형태 및 배향을 갖는 ZnO 나노월 어레이의 합성 방법에 대한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 ZnO 나노입자를 합성하는 단계, ZnO 나노입자를 완충층 겸 결정핵층로서 기판에 코팅하는 단계 및 Zn 니트레이트 또는 Zn 아세테이트와 헥사메틸렌테트라아민을 포함하는 영양 용액에서 ZnO 나노입자를 결정성장시키는 단계를 포함하는 ZnO 나노로드 어레이의 합성 방법을 제공한다. 또한, 본 발명은 ZnO 나노입자를 합성하는 단계, ZnO 나노입자를 완충층 겸 결정핵층로서 기판에 코팅하는 단계 및 Zn 아세테이트와 시트르산나트륨을 포함하는 영양 용액에서 ZnO 나노입자를 결정성장시키는 단계를 포함하는 ZnO 나노월 어레이의 합성 방법을 제공한다.
Abstract:
본 발명은 저온에서 기판 위에 코팅된 ZnO 나노입자로부터 완전 배향 성장한 ZnO 나노로드 어레이, 및 새로운 결정 성장 속도, 형태 및 배향을 갖는 ZnO 나노월 어레이의 합성 방법에 대한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 ZnO 나노입자를 합성하는 단계, ZnO 나노입자를 완충층 겸 결정핵층로서 기판에 코팅하는 단계 및 Zn 니트레이트 또는 Zn 아세테이트와 헥사메틸렌테트라아민을 포함하는 영양 용액에서 ZnO 나노입자를 결정성장시키는 단계를 포함하는 ZnO 나노로드 어레이의 합성 방법을 제공한다. 또한, 본 발명은 ZnO 나노입자를 합성하는 단계, ZnO 나노입자를 완충층 겸 결정핵층로서 기판에 코팅하는 단계 및 Zn 아세테이트와 시트르산나트륨을 포함하는 영양 용액에서 ZnO 나노입자를 결정성장시키는 단계를 포함하는 ZnO 나노월 어레이의 합성 방법을 제공한다. 기판, Si-웨이퍼, 딥 코팅, ZnO 나노입자, 완전 배향 성장, ZnO 나노로드 어레이, ZnO 나노월 어레이
Abstract:
The present invention relates to a superconducting colloid prepared by an exfoliating multi-layered superconductor, represented by the formula Bi2Sr2Cam-1CumO2m+4+delta (wherein, m is 1, 2 or 3 and delta is a positive number greater than 0 and less than 1) in which a mercuric halide-organic complex is intercalated, a process thereof, a superconducting thin layer prepared using the above superconducting colloid, and a process thereof.
Abstract translation:本发明涉及由式Bi 2 Sr 2 Cam-1CumO 2 m + 4 +δ表示的剥离多层超导体制备的超导胶体,其中,m为1,2或3,并且δ为大于0且小于0的正数 1),其中嵌入卤化汞 - 有机配合物,其过程,使用上述超导胶体制备的超导薄层及其工艺。
Abstract:
본원발명은 할로겐화-수은 유기물 복합체가 층간 삽입된, 화학식 Bi 2 Sr 2 Ca m-1 Cu m O 2m+4+δ (여기서, m = 1, 2 또는 3 이고, δ는 0 보다 크고 1 보다 작은 양수이다)로 나타내어지는 다적층 초전도체를 박리화시켜 제조한 초전도체 콜로이드 및 그의 제조방법, 상기 초전도체 콜로이드를 이용하여 제조한 초전도체 박막 및 그 제조방법에 관한 것이다.