公开(公告)号：WO2015026087A1

公开(公告)日：2015-02-26

申请号：PCT/KR2014/007379

申请日：2014-08-08

Applicant: (주) 에스엔텍

Inventor： 안경준 ,  권오대

IPC: C23C16/509 ,  C23C16/513

CPC classification number: C23C16/509 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/54 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32669

Abstract: 본 발명은 경질의 기재를 공정 처리 대상으로 하는 플라즈마 화학기상 장치에 관한 것으로서, 진공공간을 형성하는 진공챔버; 상기 진공공간에 마련되어 상기 공정 수행 과정에서 상기 기재를 공급 측에서 배출 측으로 적재 이송시키는 적재이송부; 상기 기재의 공정 대상면의 반대면에 인접 배치되는 전극; 상기 전극으로 전원을 공급하는 전원공급부; 상기 진공챔버 내부의 진공도를 조절하는 진공조절부; 상기 기재의 공정 대상면 측으로 공정가스를 공급하는 가스공급부;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해, 경질의 기재를 이송시키면서 그 표면에 고품질 성막이나 식각 또는 표면 처리 공정 중 어느 한 공정을 고속으로 수행할 수 있는 플라즈마 화학기상 장치가 제공된다.

Abstract translation: 等离子体化学气相沉积装置技术领域本发明涉及一种适于使用硬质基材作为待处理物体的等离子体化学气相沉积装置，该装置包括：真空室，用于形成真空空间; 运送单元，其设置在真空空间中，在进行处理的过程中将基板从供给侧运送到排出侧; 设置在与所述基板的被处理面相反的面上的电极; 用于向电极供电的电源供应单元; 真空调节单元，用于调节真空室内的真空度; 以及气体供给单元，用于向处理基板的表面供给处理气体。 以这种方式，提供了一种等离子体化学气相沉积装置，其允许硬质基底被输送，同时使其表面经历涉及任何一种高质量成膜或蚀刻或表面处理的高速加工。

公开(公告)号：WO2014088302A1

公开(公告)日：2014-06-12

申请号：PCT/KR2013/011133

申请日：2013-12-04

Applicant: (주) 에스엔텍

Inventor： 안경준 ,  권오대

IPC: C23C16/50 ,  C23C16/509

CPC classification number: H01J37/32733 ,  C23C16/509 ,  C23C16/545 ,  H01J37/32403 ,  H01J37/3277 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3423 ,  H01J37/3455

Abstract: 본 발명은 플라즈마 화학기상 장치에 관한 것으로서, 진공챔버; 상기 진공챔버 내부의 진공도를 조절하는 진공조절부; 상기 진공챔버 내부에 공정 가스를 공급하는 가스공급부; 상기 진공챔버 내부에 롤 형태로 회전 가능하게 마련되며, 외주 표면에 절연층이 형성되어 있는 적어도 하나의 원형전극; 상기 원형전극 내에 마련되어 상기 원형전극의 외측으로 플라즈마 형성을 위한 자기장을 발생하는 적어도 하나의 자기장발생부재; 기재가 상기 원형전극의 플라즈마 형성 부분에 밀착되어 감아돌도록 상기 기재를 롤투롤 형태로 이송하는 기재이송부; 상기 원형전극에 전원을 공급하는 전원공급부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해, 절연성 및 전도성 재질의 기재에 고속 및 고품질의 성막이 가능한 플라즈마 화학기상 장치가 제공된다.

Abstract translation: 等离子体化学气相沉积装置技术领域本发明涉及等离子体化学气相沉积装置，该装置包括：真空室; 真空调节单元，用于调节真空室内的真空度; 用于将处理气体供给到真空室中的气体供给单元; 圆形电极，其在真空室的内侧可旋转地设置成卷状，并且其外周面形成绝缘层; 至少一个磁场产生元件，设置在圆形电极的内部，并产生用于在圆形电极的外侧形成等离子体的磁场; 基板材料转送单元，其中基板材料以使得基板材料围绕圆形电极的等离子体形成部分紧密接触的方式滚动地进行; 以及用于向圆形电极供电的电源供应单元。 以这种方式，提供了能够在绝缘导电材料的基板上形成高速和高质量的等离子体化学气相沉积装置。

公开(公告)号：WO2014208943A1

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：PCT/KR2014/005499

申请日：2014-06-23

Applicant: (주) 에스엔텍

Inventor： 안경준 ,  권오대

IPC: C23C16/509 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/545 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/3277

Abstract: 본 발명은 플라즈마 화학기상 장치에 관한 것으로서, 상호 구획되어 독립된 복수의 진공공간을 갖는 진공챔버; 상기 진공공간들의 진공도를 조절하는 진공조절부; 적어도 일부의 외주면이 상기 각 진공공간에 위치하는 형태로 상기 각 진공공간에 회전 가능하게 하나씩 설치되고, 상기 외주면에 기재가 감아 도는 원형전극; 상기 각 원형전극을 감아 도는 상기 기재 측으로 자기장을 형성하는 적어도 하나의 자기장 발생부재; 상기 진공공간들 내부로 공정 가스를 공급하는 가스공급부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해, 복수의 공정을 독립적이면서 연속적으로 수행할 수 있으며, 고속 공정에서도 공정 안정성과 품질 향상을 확보할 수 있는 플라즈마 화학기상 장치가 제공된다.

Abstract translation: 等离子体化学气相沉积装置技术领域本发明涉及一种等离子体化学气相沉积装置，其特征在于，包括：具有多个真空空间的真空室，所述多个真空空间被分隔成彼此独 用于控制真空空间的真空度的真空控制单元; 圆形电极，其旋转地设置在每个真空空间中，每个外周表面的至少一部分位于每个真空空间中，其外周表面被基材包围; 至少一个磁场产生部件，用于朝着围绕每个圆形电极的基底材料形成磁场; 以及用于将处理气体供给到真空空间内部的气体供给单元。 因此，提供了能够独立且连续地进行多个处理的等离子体化学气相沉积装置，并且即使在高速处理中也可以获得工艺稳定性和质量改进。

公开(公告)号：KR101701356B1

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：KR1020150037386

申请日：2015-03-18

Applicant: (주)에스엔텍

Inventor： 이건웅 ,  김동진 ,  백주열 ,  최상대 ,  권오대 ,  김상진 ,  안경준

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/54 ,  C23C14/56

Abstract: 본발명은스퍼터링장치및 스퍼터링방법에관한것으로, 보다구체적으로는기재의측면증착이용이하여기재의외면을고루증착할수 있는스퍼터링장치및 스퍼터링방법에관한것이다.

Abstract translation: 溅射装置和方法技术领域本发明涉及一种溅射装置和方法，更具体地涉及一种溅射装置和方法，其能够均匀地沉积作为基板的侧面沉积的基板的外表面。 溅射装置包括：真空室; 形成在真空室内的靶，用于将沉积材料分散到基底上; 在所述真空室内形成为与所述靶相反的衬底转印单元; 以及形成在所述基板转印单元中的姿势控制单元，用于控制所述基板的姿势。

公开(公告)号：KR1020160017021A

公开(公告)日：2016-02-15

申请号：KR1020160011449

申请日：2016-01-29

Applicant: (주)에스엔텍

Inventor： 안경준 ,  권오대

IPC: C23C16/513 ,  C23C16/44 ,  C23C16/52

Abstract: 본발명은플라즈마화학기상장치에관한것으로서, 진공챔버; 상기진공챔버내부의진공도를조절하는진공조절부; 상기진공챔버내부에공정가스를공급하는가스공급부; 상기진공챔버내부에상호인접하게배치되어회전하며, 상호인접하는외주면에기재가감아도는적어도 3개의성막롤; 상기기재를이송시키는기재이송부; 상기성막롤들중 적어도어느하나의성막롤내부에마련되어상기성막롤들의인접영역에플라즈마형성을위한자기장을발생시키는자기장발생부재; 상기성막롤에전원을공급하는전원공급부;를포함하는것을특징으로한다. 이에의해, 성막속도를증가시킴과동시에, 장치의크기및 제작비용증가를최소화할수 있는플라즈마화학기상장치가제공된다.

Abstract translation: 等离子体化学气相沉积装置技术领域本发明涉及一种等离子体化学气相沉积装置，其包括：真空室; 用于调节真空室中真空的真空调节部件; 用于将处理气体供给到真空室中的气体供给部; 至少三个成膜辊，它们通过彼此相邻地设置在真空室中而旋转，并且具有缠绕在彼此相邻的外周上的基材; 用于转移基材的基材转移部件; 在至少一个成膜辊中制备的磁场产生元件，并且在成膜辊的相邻区域中产生用于形成等离子体的磁场; 以及用于向成膜辊供电的供电部。 通过这样，提供了能够提高成膜速度的同时可以使设备的尺寸和制造成本的增加最小化的等离子体化学气相沉积设备。

公开(公告)号：KR101538410B1

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：KR1020130098375

申请日：2013-08-20

Applicant: (주)에스엔텍

Inventor： 안경준 ,  권오대

IPC: C23C16/509 ,  C23C16/513

Abstract: 본발명은플라즈마화학기상장치및 플라즈마화학기상장치용전극유닛에관한것으로서, 상기전극유닛은회전가능하게설치되며, 외측면이복수의평면으로형성된다각형단면중공체의전극과, 상기전극내부에마련되어기재측으로자기장을형성하는적어도하나의자기장발생부재를포함하는것을특징으로한다. 이에의해, 전극의클리닝및 교체주기를증가시켜서생산효율을현격하게향상시키고, 파티클발생및 이상아크발생을최소화할수 있는플라즈마화학기상장치및 플라즈마화학기상장치용전극유닛이제공된다.

公开(公告)号：KR101444856B1

公开(公告)日：2014-09-26

申请号：KR1020130007159

申请日：2013-01-22

Applicant: (주)에스엔텍

Inventor： 안경준 ,  권오대

IPC: H01L21/3065

Abstract: 본 발명은 플라즈마 식각 장치에 관한 것으로서, 진공 공간을 형성하는 진공챔버; 상기 진공챔버 내부를 식각 공정의 진공도로 조절하는 진공조절부; 상기 진공챔버 내부로 식각 가스를 공급하는 식각가스공급부; 상기 진공챔버 내부에 회전 가능하게 설치되어 식각 공정을 위한 플라즈마를 발생하는 원통형 플라즈마 캐소드; 상기 원통형 플라즈마 캐소드에 전원을 인가하는 전원공급부; 상기 연질의 기재가 상기 원통형 플라즈마 캐소드의 플라즈마 식각 영역을 거치도록 롤투롤 형태로 이동시키는 기재이송부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이에 의해, 장치의 구성이 간단하면서, 연질의 기재에 대해 신속하고 연속적인 식각 공정을 수행할 수 있는 플라즈마 식각 장치가 제공된다.

公开(公告)号：KR1020140094389A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：KR1020130007159

申请日：2013-01-22

Applicant: (주)에스엔텍

Inventor： 안경준 ,  권오대

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32761

Abstract: The present invention relates to a plasma etching device comprising; a vacuum chamber which forms a vacuum space; a vacuum control unit which controls the inner side of the vacuum chamber at a vacuum degree of an etching process; a gas supply unit which supplies etching gas to the inner side of the vacuum chamber; a cylindrical plasma cathode which is installed in the vacuum chamber to be able to rotate and generates plasma for the etching process; a power supply unit which applies power to the cylindrical plasma cathode; and a base material transfer unit which transfers a soft base material of a roll-to-roll shape to pass through a plasma etching area of the cylindrical plasma cathode. Therefore, the plasma etching device which has a simple composition and can perform a rapid and successive etching process for the soft base material is provided.

Abstract translation: 等离子体蚀刻装置技术领域本发明涉及一种等离子体蚀刻装置， 形成真空空间的真空室; 真空控制单元，其以真空度的蚀刻处理来控制真空室的内侧; 气体供给单元，其向真空室的内侧供给蚀刻气体; 圆柱形等离子体阴极，其安装在真空室中以能够旋转并产生用于蚀刻工艺的等离子体; 电源单元，其向所述圆柱形等离子体阴极施加电力; 以及基体材料转印单元，其传送辊对辊形状的软基材以通过圆柱形等离子体阴极的等离子体蚀刻区域。 因此，提供了具有简单组成并且可以对软基材进行快速且连续的蚀刻工艺的等离子体蚀刻装置。

公开(公告)号：KR1020160112174A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：KR1020150037386

申请日：2015-03-18

Applicant: (주)에스엔텍

Inventor： 이건웅 ,  김동진 ,  백주열 ,  최상대 ,  권오대 ,  김상진 ,  안경준

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/54 ,  C23C14/56

CPC classification number: C23C14/34 ,  C23C14/548 ,  C23C14/568

Abstract: 본발명은스퍼터링장치및 스퍼터링방법에관한것으로, 보다구체적으로는기재의측면증착이용이하여기재의외면을고루증착할수 있는스퍼터링장치및 스퍼터링방법에관한것이다.

Abstract translation: 溅射装置和方法技术领域本发明涉及一种溅射装置和方法，更具体地涉及一种溅射装置和方法，其能够均匀地沉积作为基板的侧面沉积的基板的外表面。 溅射装置包括：真空室; 形成在真空室内的靶，用于将沉积材料分散到基底上; 在所述真空室内形成为与所述靶相反的衬底转印单元; 以及形成在所述基板转印单元中的姿势控制单元，用于控制所述基板的姿势。

公开(公告)号：KR101632398B1

公开(公告)日：2016-06-21

申请号：KR1020140149768

申请日：2014-10-31

Applicant: (주)에스엔텍

Inventor： 안경준 ,  권오대

IPC: H01L21/205

Abstract: 본발명은플라즈마화학기상장치에관한것으로서, 기재가위치하는공정영역을갖는진공챔버; 상기진공챔버내부의진공도를조절하는진공조절부; 상기진공챔버내부에공정가스를공급하는가스공급부; 상기진공챔버내에설치되어상기공정영역에플라즈마를형성하며, 적어도하나의전극유닛; 상기전극유닛에전원을공급하는전원공급부; 상기진공챔버내부에마련되어상기전극유닛에서발생하는플라즈마가상기공정영역외에불필요한영역으로발생되는것을차단하는플라즈마차단블록;을포함하는것을특징으로한다.

Abstract translation: 等离子体化学气相沉积设备技术领域本发明涉及一种等离子体化学气相沉积设备，其包括：具有处理区域的真空室，衬底位于处理区域中 真空控制器，用于控制真空室中的真空度; 气体供应单元，用于将处理气体供应到真空室中; 至少一个电极单元安装在真空室中以在处理区域中形成等离子体; 电源单元，用于向电极单元供电; 等离子体阻挡块设置在真空室内以阻挡在电极单元中产生的等离子体在处理区域外部的不必要的区域中产生。