Abstract:
본 발명은 열가소성 고분자 수지를 압출기에 공급하여 압출하는 단계; 압출된 열가소성 고분자 수지 및 공기를 노즐에 공급하고, 열가소성 고분자 수지와 공기를 접촉시켜 열가소성 고분자 수지를 입자화한 후, 입자화된 열가소성 고분자 수지를 토출하는 단계; 및 토출된 열가소성 고분자 입자를 냉각기에 공급하여 열가소성 고분자 입자를 냉각한 후, 냉각된 열가소성 고분자 입자를 수득하는 단계를 포함하는 열가소성 고분자 입자의 제조방법을 제공한다.
Abstract:
본 발명은 (1) 열가소성 고분자 수지를 압출기로 압출하는 단계; (2) 압출된 열가소성 고분자 수지를 노즐을 통하여 분사한 후, 분사된 열가소성 고분자 수지에 복수개의 분사기로 기체를 분사하여 입자화하는 단계; 및 (3) 입자화된 열가소성 고분자 수지를 냉각하는 단계;를 포함하는 열가소성 고분자 입자의 제조방법 및 그 열가소성 고분자 입자에 관한 것이다.
Abstract:
본 발명은 (1) 열가소성 고분자 수지를 압출기로 압출하는 단계; (2) 압출된 고분자 수지를 비활성 기체로 입자화하는 단계; 및 (3) 입자화된 열가소성 고분자 수지를 냉각하는 단계;를 포함하는 열가소성 고분자 입자의 제조방법 및 그 열가소성 고분자 입자에 관한 것이다.
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본 발명은 열가소성 고분자 수지를 압출기에 공급하여 압출하는 단계; 압출된 열가소성 고분자 수지 및 공기를 노즐에 공급하고, 열가소성 고분자 수지와 공기를 접촉시켜 열가소성 고분자 수지를 입자화한 후, 입자화된 열가소성 고분자 수지를 토출하는 단계; 및 토출된 열가소성 고분자 입자를 냉각기에 공급하여 열가소성 고분자 입자를 냉각한 후, 냉각된 열가소성 고분자 입자를 수득하는 단계를 포함하는 열가소성 고분자 입자의 제조방법을 제공한다.
Abstract:
평균 입경이 약 1㎛ 내지 약 100㎛인 폴리락트산 수지 입자를 포함하는 발포 시트용 발포성 수지 조성물이 제공된다. 상기 입자상의 폴리락트산 수지의 제조 방법은 폴리락트산 수지를 투입한 뒤, 용융 폴리락트산 분사액을 형성하는 단계; 및 상기 용융 폴리락트산 분사액을 용융 스프레이법에 의해 분사하면서 동시에 냉각시켜 입자상의 폴리락트산을 얻는 단계를 포함한다. 또한, 상기 폴리락트산 수지를 포함하는 발포 시트용 발포성 수지 조성물을 사용한 발포 시트의 제조 방법이 제공된다.
Abstract:
본 발명은 폴리프로필렌 수지로부터 형성되는 입자로, 상기 입자를 150 내지 250℃의 온도 조건, 대기압 내지 15MPa의 압력 조건으로 재용융시켰을 때 용융지수(melting index, M.I.)가 1000 g/10min 이상인, 폴리프로필렌 입자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
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본 발명은 (1) 열가소성 고분자 수지를 압출기로 압출하는 단계; (2) 압출된 고분자 수지를 비활성 기체로 입자화하는 단계; 및 (3) 입자화된 열가소성 고분자 수지를 냉각하는 단계;를 포함하는 열가소성 고분자 입자의 제조방법 및 그 열가소성 고분자 입자에 관한 것이다.
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본 발명은 (1) 열가소성 고분자 수지를 압출기로 압출하는 단계; (2) 압출된 열가소성 고분자 수지를 노즐을 통하여 분사한 후, 분사된 열가소성 고분자 수지에 복수개의 분사기로 기체를 분사하여 입자화하는 단계; 및 (3) 입자화된 열가소성 고분자 수지를 냉각하는 단계;를 포함하는 열가소성 고분자 입자의 제조방법 및 그 열가소성 고분자 입자에 관한 것이다.
Abstract:
본 발명은 불소계 수처리막을 특정 친수화제로 처리하는 단계를 포함하는 친수화 방법 및 상기 방법으로 친수화 처리된 수처리막에 관한 것이다. 본 발명에서는 수처리막을 특정 조건에서 화학적으로 처리하여 각종 친수성 관능기를 수처리막의 표면에 화학적으로 결합시킴으로써, 불소계 수처리막의 고유의 장점을 유지 또는 개선하면서, 그 표면 성질을 영구적으로 친수화할 수 있다.
Abstract:
본 발명은 폴리락트산 수지로부터 연속적인 매트릭스(matrix) 상으로 형성되고, 1 내지 100㎛의 입경을 가지는 폴리락트산 입자를 제공한다. 상기 폴리락트산 입자는 시차주사열량계(DSC, Differential Scanning Calorimetry)에 의해 10℃/min의 승온 분석으로 도출된 DSC 곡선에서 유리전이온도(T g )와 녹는점(T m ) 사이의 온도에서 냉결정화 온도(T cc )의 피크가 나타난다. 상기 폴리락트산 입자는 종횡비가 1.00 이상 1.05 미만이고, 구형화도가 0.95 내지 1.00이다. 폴리락트산 입자는 20 내지 30초의 유하시간을 갖는다.