Abstract:
본 발명은 (1) 열가소성 고분자 수지를 압출기로 압출하는 단계; (2) 압출된 고분자 수지를 비활성 기체로 입자화하는 단계; 및 (3) 입자화된 열가소성 고분자 수지를 냉각하는 단계;를 포함하는 열가소성 고분자 입자의 제조방법 및 그 열가소성 고분자 입자에 관한 것이다.
Abstract:
본 발명은 열가소성 고분자 수지를 압출기에 공급하여 압출하는 단계; 압출된 열가소성 고분자 수지 및 공기를 노즐에 공급하고, 열가소성 고분자 수지와 공기를 접촉시켜 열가소성 고분자 수지를 입자화한 후, 입자화된 열가소성 고분자 수지를 토출하는 단계; 및 토출된 열가소성 고분자 입자를 냉각기에 공급하여 열가소성 고분자 입자를 냉각한 후, 냉각된 열가소성 고분자 입자를 수득하는 단계를 포함하는 열가소성 고분자 입자의 제조방법을 제공한다.
Abstract:
본 발명은 (1) 열가소성 고분자 수지를 압출기로 압출하는 단계; (2) 압출된 열가소성 고분자 수지를 노즐을 통하여 분사한 후, 분사된 열가소성 고분자 수지에 복수개의 분사기로 기체를 분사하여 입자화하는 단계; 및 (3) 입자화된 열가소성 고분자 수지를 냉각하는 단계;를 포함하는 열가소성 고분자 입자의 제조방법 및 그 열가소성 고분자 입자에 관한 것이다.
Abstract:
본 발명은 종횡비가 1.00 이상 1.05 미만이고, 구형화도가 0.95 내지 1.00인 열가소성 고분자 입자를 제공한다. 상기 열가소성 고분자 입자는 열가소성 고분자 수지로부터 연속적인 매트릭스 상으로 형성된다. 상기 열가소성 고분자 입자는 시차주사열량계(DSC, Differential Scanning Calorimetry)에 의해 10℃/min의 승온 분석으로 도출된 DSC 곡선에서 유리전이온도(T g )와 녹는점(T m ) 사이의 온도에서 냉결정화 온도(T cc )의 피크가 나타난다.
Abstract:
본 발명은 폴리락트산 수지로부터 연속적인 매트릭스(matrix) 상으로 형성되고, 1 내지 100㎛의 입경을 가지는 폴리락트산 입자를 제공한다. 상기 폴리락트산 입자는 시차주사열량계(DSC, Differential Scanning Calorimetry)에 의해 10℃/min의 승온 분석으로 도출된 DSC 곡선에서 유리전이온도(T g )와 녹는점(T m ) 사이의 온도에서 냉결정화 온도(T cc )의 피크가 나타난다. 상기 폴리락트산 입자는 종횡비가 1.00 이상 1.05 미만이고, 구형화도가 0.95 내지 1.00이다. 폴리락트산 입자는 20 내지 30초의 유하시간을 갖는다.
Abstract:
본 발명은 열가소성 고분자 수지를 압출기에 공급하여 압출하는 단계; 압출된 열가소성 고분자 수지 및 공기를 노즐에 공급하고, 열가소성 고분자 수지와 공기를 접촉시켜 열가소성 고분자 수지를 입자화한 후, 입자화된 열가소성 고분자 수지를 토출하는 단계; 및 토출된 열가소성 고분자 입자를 냉각기에 공급하여 열가소성 고분자 입자를 냉각한 후, 냉각된 열가소성 고분자 입자를 수득하는 단계를 포함하는 열가소성 고분자 입자의 제조방법을 제공한다.
Abstract:
본 발명은 폴리프로필렌 수지로부터 형성되는 입자로, 상기 입자를 150 내지 250℃의 온도 조건, 대기압 내지 15MPa의 압력 조건으로 재용융시켰을 때 용융지수(melting index, M.I.)가 1000 g/10min 이상인, 폴리프로필렌 입자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
Abstract:
본 발명은 (1) 열가소성 고분자 수지를 압출기로 압출하는 단계; (2) 압출된 고분자 수지를 비활성 기체로 입자화하는 단계; 및 (3) 입자화된 열가소성 고분자 수지를 냉각하는 단계;를 포함하는 열가소성 고분자 입자의 제조방법 및 그 열가소성 고분자 입자에 관한 것이다.