위상 동기 성능을 개선한 뱅뱅 위상 검출기
    1.
    发明授权
    위상 동기 성능을 개선한 뱅뱅 위상 검출기 有权
    Bang-bang相位检测器,用于提高相位同步性能

    公开(公告)号:KR101706196B1

    公开(公告)日:2017-02-15

    申请号:KR1020150147219

    申请日:2015-10-22

    Abstract: 본발명은위상동기성능을개선한뱅뱅위상검출기에관한것으로서, 10Gbps 초고속수동형광가입자망과같은고속장치의클럭데이터복원을위해사용되는위상동기성능을개선한뱅뱅위상검출기에관한것이다. 본발명에따르면, 뱅뱅위상검출기의 XOR 게이트로인가되기이전플립플롭들의출력로드를동일하게하여 XOR 게이트의인가타이밍을일정하게함으로써, 데이터신호와클럭신호사이의선후관계판단에대한결과를출력하는 XOR 게이트의결정신호에대한정확도를향상시키는동시에복수의플립플롭을추가하는것만으로 XOR 게이트로인가되는샘플링신호의위상을정렬시킬수 있어설계편의성을향상시키고뱅뱅위상검출기를개선하기위한회로의복잡도를개선하는효과가있다.

    고속 전류 모드 로직 제어 장치 및 방법
    2.
    发明授权
    고속 전류 모드 로직 제어 장치 및 방법 有权
    用于控制快速电流模式逻辑的方法和装置

    公开(公告)号:KR101632037B1

    公开(公告)日:2016-06-20

    申请号:KR1020140149917

    申请日:2014-10-31

    Abstract: 고속전류모드로직제어장치및 방법이개시된다. 고속전류모드로직제어방법은복수레벨의활성화바이어스장치의제1 스위치가 on 상태이고, 제2 스위치가 off 상태인슬립모드인경우, 참조전류가복수레벨의활성화바이어스장치의제1 트랜지스터및 바이어스전압을결정하는제3 트랜지스터로흐르는단계, 제1 스위치가상기 off 상태이고, 제2 스위치가 off 상태인급속웨이크업모드인경우, 참조전류가제3 트랜지스터로흐르는단계, 제1 스위치가 off 상태이고, 제2 스위치가 on 상태인일반동작모드인경우, 참조전류가제2 트랜지스터및 제3 트랜지스터로흐르는단계와제1 스위치가 on 상태이고, 제2 스위치가 on 상태인빠른터닝오프모드인경우, 참조전류가제1 트랜지스터, 제2 트랜지스터및 제3 트랜지스터로흐르는단계를포함할수 있다.

    고속 동작을 위한 전류 모드 로직 회로
    3.
    发明授权
    고속 동작을 위한 전류 모드 로직 회로 有权
    用于高速操作的电流模式逻辑电路

    公开(公告)号:KR101658950B1

    公开(公告)日:2016-09-23

    申请号:KR1020150147205

    申请日:2015-10-22

    Abstract: 본발명은고속동작을위한전류모드로직회로에관한것으로서, 더욱상세히는 10Gbps 초고속수동형광네트워크에적용되는고속장치의고속동작을지원하는고속동작을위한전류모드로직회로에관한것이다. 본발명은커패시터의전압변화특성을이용하여인덕터와같은면적이큰 소자를사용할필요없이낮은입력전압으로높은이득의출력을제공하여선형성을향상시키는동시에고속동작을지원할수 있으며, 고속동작에요구되는입력전압을낮출수 있어전력소모를절감할수 있을뿐 아니라 PVT(process, voltage and temperature) 변화에둔감하여추가적인옵션이요구되지않아회로의복잡도를크게개선한전류모드로직회로를제공하는효과가있다.

    Abstract translation: 本发明涉及用于高速操作的电流模式逻辑电路。 更具体地,用于高速操作的电流模式逻辑电路支持以10Gbps或更高的速度应用于超高速手动光网络的高速设备的高速操作。 根据本发明,电流模式逻辑电路可以使用电容器的电压变化特性,通过使用电容器的电压变化特性来提供来自低输入电压的高增益的输出,而不使用占用大面积的器件,例如 电感器,从而在同时提高线性的同时支持高速操作。 电流模式逻辑电路还可以通过降低高速操作所需的输入电压以及通过对过程,电压和温度(PVT)的变化不敏感而显着提高电路复杂度来降低功耗,而不需要额外的选项 。

    고속 전류 모드 로직 제어 장치 및 방법
    4.
    发明公开
    고속 전류 모드 로직 제어 장치 및 방법 有权
    用于控制快速电流模式逻辑的方法和装置

    公开(公告)号:KR1020160050840A

    公开(公告)日:2016-05-11

    申请号:KR1020140149917

    申请日:2014-10-31

    CPC classification number: H03K19/09432 H03K19/017

    Abstract: 고속전류모드로직제어장치및 방법이개시된다. 고속전류모드로직제어방법은복수레벨의활성화바이어스장치의제1 스위치가 on 상태이고, 제2 스위치가 off 상태인슬립모드인경우, 참조전류가복수레벨의활성화바이어스장치의제1 트랜지스터및 바이어스전압을결정하는제3 트랜지스터로흐르는단계, 제1 스위치가상기 off 상태이고, 제2 스위치가 off 상태인급속웨이크업모드인경우, 참조전류가제3 트랜지스터로흐르는단계, 제1 스위치가 off 상태이고, 제2 스위치가 on 상태인일반동작모드인경우, 참조전류가제2 트랜지스터및 제3 트랜지스터로흐르는단계와제1 스위치가 on 상태이고, 제2 스위치가 on 상태인빠른터닝오프모드인경우, 참조전류가제1 트랜지스터, 제2 트랜지스터및 제3 트랜지스터로흐르는단계를포함할수 있다.

    Abstract translation: 公开了一种用于控制快速电流模式中的逻辑的装置和方法,其可以防止寄生电容器的操作延迟,而不需要任何过多的芯片空间的电容器。 用于控制快速电流模式中的逻辑的方法包括以下步骤:允许参考电流流入多电平有源偏置器件的第一晶体管和用于在多电平有源偏置器件的第一开关处确定偏置电压的第三晶体管, 在睡眠模式下,电平有效偏置装置被接通并且第二开关被断开; 当第一和第二开关在快速唤醒模式下关断时,允许参考电流流入第三晶体管; 当第一开关断开并且第二开关在一般操作模式下接通时允许参考电流流入第二和第三晶体管; 并且当第一和第二开关以快速关断模式接通时允许参考电流流入第一至第三晶体管。

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