公开(公告)号：WO2013002503A3

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：PCT/KR2012/004793

申请日：2012-06-18

Applicant: (주)큐엠씨 ,  최한섭 ,  김승규

Inventor： 최한섭 ,  김승규

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/48 ,  B23K26/36

Abstract: 발광 다이오드의 제조 방법으로서, 기판의 일면에 반사막이 형성된 발광 다이오드를 마련하는 공정, 상기 반사막의 일부를 제거하여 기판의 일부 영역을 노출시키는 공정, 및 상기 노출된 기판의 일부 영역을 통해 상기 기판의 내부에 레이저 빔을 집광시킴으로써 상기 기판을 스크라이빙(scribing)하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR101091027B1

公开(公告)日：2011-12-09

申请号：KR1020110067924

申请日：2011-07-08

Applicant: (주)큐엠씨

Inventor： 최한섭

IPC: H01L33/46

CPC classification number: H01L33/0095 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/32 ,  H01L33/46 ,  H01L2933/0025

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a light emitting diode and an apparatus thereof are provided to preventing brightness from being lowered while improving the luminous efficiency of a light emitting diode by reflecting light which is generated from the inner light emitting layer of a light emitting diode and faces to a lower part, to the top part through a reflective film. CONSTITUTION: A substrate(110) is prepared in the upper part of a reflective film(100). The reflective film includes a metal layer and a DBR(Distributed Bragg Reflector) layer. The DBR(distributed bragg reflection) layer is formed by alternatively laminating a high refractive index layer and a low refractive index layer. The thickness of the low refractive index layer and the high refractive index layer is set to a thickness in which light in a specific wavelength band is maximally reflected. A function element layer(120) is prepared in the upper part of the substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种制造发光二极管的方法及其装置，用于通过反射从发光二极管的内部发光层产生的光而提高发光二极管的发光效率，防止亮度降低;以及 面向下部，通过反射膜到顶部。 构成：在反射膜（100）的上部准备基板（110）。 反射膜包括金属层和DBR（分布式布拉格反射器）层。 通过交替地层叠高折射率层和低折射率层来形成DBR（分布式布拉格反射）层。 低折射率层和高折射率层的厚度被设定为特定波长带中的光被最大程度地反射的厚度。 在基板的上部制备功能元件层（120）。