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1.发明授权ｐ-형 질화갈륨계 화합물 반도체의 제조방법, 질화갈륨계 화합물 반도체에 함유된 ｐ-형 도판트의 활성화 방법, 질화갈륨계 화합물 반도체 디바이스 및 질화갈륨계 화합물 반도체 발광 디바이스 有权用于制造P型GaN基化合物半导体的方法，用于交替包含在GaN基化合物半导体中的P型掺杂剂的方法，基于GaN的化合物半导体器件和基于GaN的化合物半导体发光器件
公开(公告)号：KR101171817B1
公开(公告)日：2012-08-14
申请号：KR1020100016425
申请日：2010-02-23
Applicant: (주)큐엠씨 , 전남대학교산학협력단
IPC: H01L33/32
Abstract: 본원은, 전기화학적 정전위법(electrochemical potentiostatic method)을 이용하여 질화갈륨계 화합물 반도체에 함유된 p-형 도판트를 활성화시킴으로써 p-형 질화갈륨계 화합물 반도체 층의 정공 농도를 증가시키고 전기적 특성을 개선할 수 있는 방법을 제공하고 이러한 방법을 이용하여 제조되는 질화갈륨계 화합물 반도체 디바이스 및 발광 디바이스를 제공하고자 한다.
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2.发明公开ｐ-형 질화갈륨계 화합물 반도체의 제조방법, 질화갈륨계 화합물 반도체에 함유된 ｐ-형 도판트의 활성화 방법, 질화갈륨계 화합물 반도체 디바이스 및 질화갈륨계 화합물 반도체 발광 디바이스 有权用于制造基于P型的基于GAN的化合物半导体的方法，用于交替在基于GAN的化合物半导体中包含的P型掺杂剂的方法，基于GAN的化合物半导体器件和基于GAN的化合物半导体发光器件
公开(公告)号：KR1020110096897A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：KR1020100016425
申请日：2010-02-23
Applicant: (주)큐엠씨 , 전남대학교산학협력단
IPC: H01L33/32
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/007 , H01L2933/0008
Abstract: 본원은, 전기화학적 정전위법(electrochemical potentiostatic method)을 이용하여 질화갈륨계 화합물 반도체에 함유된 p-형 도판트를 활성화시킴으로써 p-형 질화갈륨계 화합물 반도체 층의 정공 농도를 증가시키고 전기적 특성을 개선할 수 있는 방법을 제공하고 이러한 방법을 이용하여 제조되는 질화갈륨계 화합물 반도체 디바이스 및 발광 디바이스를 제공하고자 한다.
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