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公开(公告)号：KR101092203B1
公开(公告)日：2011-12-09
申请号：KR1020090044594
申请日：2009-05-21
Applicant: (주)티피에스 , 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: B21F17/00 , B21F19/00 , C09D133/08 , B26F3/00
Abstract: 본발명은, 반도체재료가공용다이아몬드와이어제조방법및 이를통해제작된다이아몬드와이어에관한것으로서, 와이어의표면에 UV 경화제를도포하고, UV 경화제가도포된와이어의표면에다이아몬드입자를부착한다음, UV 경화제를경화시키는방식으로다이아몬드와이어를제작함으로써, 종래슬러리로인한피절단재와기자재오염을최소화할 수있고, 폐슬러리의처리문제도해소할수 있으며, 특히다이아몬드입자가이탈되지않도록하여부착강도를높일수 있고, 이에따라전체다이아몬드와이어의성능향상에기여할수 있음은물론사용수명도보다길게할 수있는효과를갖는다.
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公开(公告)号：KR1020070035662A
公开(公告)日：2007-04-02
申请号：KR1020050090302
申请日：2005-09-28
Applicant: (주)티피에스
CPC classification number: C09K3/1463 , C03C19/00 , C09G1/02
Abstract: 광학 및 전기 부품으로 사용되는 웨이퍼 등의 기판이나 벌크를 연마하는 방법 및 이에 사용되는 연마제가 개시된다. 본 발명은 금속 정반 상에 탄화 텅스텐 분말을 포함하는 연마제와 윤활제를 제공하는 단계 및 상기 금속 정반을 회전시키면서 상기 탄화 텅스텐 연마제로 피삭체를 연마하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 피삭체 연마 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 빠른 연마 시간을 확보하는 동시에 평탄도 및 조도 특성이 우수한 피삭체를 제공할 수 있다. 구체적으로, 결함을 최소화한 사파이어 웨이퍼, 고평탄 글래스 및 합성 석영 플레이트를 제공할 수 있으며, 실리콘 웨이퍼와 리튬탄탈레이트 웨이퍼등 단결정 웨이퍼의 연마에도 적용 가능하다.
나노 탄화 텅스텐, 정반, 사파이어 웨이퍼, 글래스 웨이퍼, 합성석영 웨이퍼, 연마, 표면 조도, 평탄도, 탄화 실리콘, 질화 실리콘, 질화 알루미늄, 질화 갈륨, 리튬탄탈레이트, 리튬 니오베이트, 리튬 보레이트-
公开(公告)号：KR100737355B1
公开(公告)日：2007-07-09
申请号：KR1020050090302
申请日：2005-09-28
Applicant: (주)티피에스
CPC classification number: C09K3/1463 , C03C19/00 , C09G1/02
Abstract: 광학 및 전기 부품으로 사용되는 웨이퍼 등의 기판이나 벌크를 연마하는 방법 및 이에 사용되는 연마제가 개시된다. 본 발명은 금속 정반 상에 탄화 텅스텐 분말을 포함하는 연마제와 윤활제를 제공하는 단계 및 상기 금속 정반을 회전시키면서 상기 탄화 텅스텐 연마제로 피삭체를 연마하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 피삭체 연마 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 빠른 연마 시간을 확보하는 동시에 평탄도 및 조도 특성이 우수한 피삭체를 제공할 수 있다. 구체적으로, 결함을 최소화한 사파이어 웨이퍼, 고평탄 글래스 및 합성 석영 플레이트를 제공할 수 있으며, 실리콘 웨이퍼와 리튬탄탈레이트 웨이퍼등 단결정 웨이퍼의 연마에도 적용 가능하다.
나노 탄화 텅스텐, 정반, 사파이어 웨이퍼, 글래스 웨이퍼, 합성석영 웨이퍼, 연마, 표면 조도, 평탄도, 탄화 실리콘, 질화 실리콘, 질화 알루미늄, 질화 갈륨, 리튬탄탈레이트, 리튬 니오베이트, 리튬 보레이트Abstract translation: 本发明公开了一种用于抛光诸如用作光学和电子部件的晶片等衬底或块的方法以及用于此的磨料。 本发明在旋转的同时在平台和金属基体以提供磨料和含有碳化钨粉末到金属表面板，以避免sakche抛光方法包括研磨所述血液sakche到碳化钨研磨的工序的润滑剂 提供。 根据本发明，可以提供具有高抛光速率和高平坦度和高粗糙度特性的加工物体。 具体地，提供蓝宝石晶片，和扁平玻璃和合成石英板，并最小化缺陷，它也适用于单晶晶片抛光诸如硅晶片和钽酸锂晶片。
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公开(公告)号：KR1020100125746A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：KR1020090044594
申请日：2009-05-21
Applicant: (주)티피에스 , 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: B21F17/00 , B21F19/00 , C09D133/08 , B26F3/00
CPC classification number: B21F19/00 , B05D3/061 , C09D133/08
Abstract: PURPOSE: A method of manufacturing a diamond wire for processing semiconductor materials and a diamond wire manufactured by the same are provided to minimize the contamination of materials due to slurry by employing a diamond wire in which diamond abrasive particles used in multi-wire saw cutting are attached to a wire. CONSTITUTION: A method of manufacturing a diamond wire for processing semiconductor materials comprises steps of: feeding a wire(S1), coating a UV hardener on the surface of a wire(S2), attaching diamond particles to the surface of the wire in which the UV hardener is spread(S3), and hardening the UV hardener(S5). The wire feed step includes a cleaning process for removing organic materials or other foreign substances from the surface of a wire, a heat treatment process for heat-treating the wire at 100°C-130°C, and a surface activation process for passing the wire through diluted acid solution of 5%-20%.
Abstract translation: 目的：提供一种制造用于处理半导体材料的金刚丝线和由其制造的金刚石线的方法，以通过使用金刚石线来最小化由于浆料而导致的材料的污染，其中用于多线锯切割的金刚石磨粒是 附在电线上。 构成：制造用于处理半导体材料的金刚丝线的方法包括以下步骤：馈送线（S1），在线表面上涂覆UV固化剂（S2），将金刚石颗粒附着到线的表面，其中 紫外线固化剂扩散（S3），硬化紫外线硬化剂（S5）。 送丝步骤包括从线材表面除去有机材料或其它异物的清洁工艺，用于在100℃-130℃下对线材进行热处理的热处理工艺和用于使线 电线通过稀酸溶液5％-20％。
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