公开(公告)号：CN103748664A

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201280038816.2

申请日：2012-08-09

Applicant: 三井化学东赛璐株式会社

Inventor： 林下英司 ,  尾崎胜敏 ,  酒井充 ,  森本哲光 ,  小野博之 ,  国重仁志

IPC: H01L21/304 ,  C09J7/02 ,  C09J11/06 ,  C09J133/08

CPC classification number: C08F220/18 ,  B32B27/08 ,  B32B27/32 ,  B32B27/36 ,  B32B2457/14 ,  C08F222/1006 ,  C09J7/29 ,  C09J133/14 ,  C09J2201/122 ,  C09J2201/162 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  C09J2423/006 ,  C09J2467/006 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  C08F2220/1858 ,  C08F2220/1808 ,  C08F2220/325 ,  C08F220/14 ,  C08F2222/104 ,  C08F2222/1046 ,  C09J133/08

Abstract: 本发明提供一种即便对于硬且脆的半导体晶片，亦可无破损地进行背面磨削的半导体晶片表面保护用膜。具体而言，本发明提供一种半导体晶片表面保护用膜，其包括：在150℃的储存弹性模量GA（150）为1MPa以上的基材层（A），以及在120℃～180℃的任意温度的储存弹性模量GB（120～180）为0.05MPa以下、且在40℃的储存弹性模量GB（40）为10MPa以上的软化层（B）。

公开(公告)号：CN103748664B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201280038816.2

申请日：2012-08-09

Applicant: 三井化学东赛璐株式会社

Inventor： 林下英司 ,  尾崎胜敏 ,  酒井充 ,  森本哲光 ,  小野博之 ,  国重仁志

IPC: H01L21/304 ,  C09J7/02 ,  C09J11/06 ,  C09J133/08

CPC classification number: C08F220/18 ,  B32B27/08 ,  B32B27/32 ,  B32B27/36 ,  B32B2457/14 ,  C08F222/1006 ,  C09J7/29 ,  C09J133/14 ,  C09J2201/122 ,  C09J2201/162 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  C09J2423/006 ,  C09J2467/006 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  C08F2220/1858 ,  C08F2220/1808 ,  C08F2220/325 ,  C08F220/14 ,  C08F2222/104 ,  C08F2222/1046

Abstract: 本发明提供一种即便对于硬且脆的半导体晶片，亦可无破损地进行背面磨削的半导体晶片表面保护用膜。具体而言，本发明提供一种半导体晶片表面保护用膜，其包括：在150℃的储存弹性模量GA（150）为1MPa以上的基材层（A），以及在120℃～180℃的任意温度的储存弹性模量GB（120～180）为0.05MPa以下、且在40℃的储存弹性模量GB（40）为10MPa以上的软化层（B）。