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公开(公告)号：CN117070147A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311043410.X
申请日：2016-11-16
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: C09D183/08 , H01L21/027 , C09D7/63
Abstract: 一种用于生成半导体装置用膜的组合物，其包含：化合物(A)，具有Si‑O键以及包含伯氮原子和仲氮原子中至少一者的阳离子性官能团；交联剂(B)，在分子内具有3个以上‑C(＝O)OX基(X为氢原子或碳数1以上6以下的烷基)，3个以上‑C(＝O)OX基中，1个以上6个以下为‑C(＝O)OH基，所述交联剂(B)的重均分子量为200以上600以下；添加剂(C)，所述添加剂(C)选自由具有羧基且重均分子量46以上195以下的酸(C‑1)和具有氮原子且重均分子量17以上120以下的碱(C‑2)组成的组中的至少一种以及极性溶剂(D)，所述交联剂(B)在分子内具有环结构，所述交联剂(B)中的羧基数相对于所述化合物(A)中的全部氮原子数的比率，即COOH/N为0.1以上3.0以下。
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公开(公告)号：CN112889131A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201980069246.5
申请日：2019-10-17
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/02 , C09J5/02 , C09J5/06 , C09J201/00 , H01L21/52 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
Abstract: 一种基板层叠体的制造方法，其具备下述工序：在第一基板和第二基板中至少一者的表面上赋予接合材料的工序；使在上述表面上赋予的上述接合材料固化，形成23℃时的复合弹性模量为10GPa以下的接合层的工序；以及经由所形成的上述接合层将上述第一基板与上述第二基板进行接合的工序。
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公开(公告)号：CN106537564B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201580038048.4
申请日：2015-08-05
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/312 , H01L21/768 , H01L23/532
Abstract: 本发明涉及一种密封组合物，其含有：具有阳离子性官能团且重均分子量为2000～1000000的聚合物(A)、以及苯并三唑化合物，所述聚合物(A)的含量相对于密封组合物100质量份为0.05质量份～0.20质量份，所述密封组合物中的所述苯并三唑化合物的含量为3质量ppm～200质量ppm，所述密封组合物的pH为3.0～6.5。
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公开(公告)号：CN105051872B
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201480017656.2
申请日：2014-03-11
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/312 , C08G73/02 , C08K5/09 , C08L79/02 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/293 , C08G73/0206 , C08K5/0091 , C08L79/02 , C09J179/04 , H01L21/0206 , H01L21/02118 , H01L21/02282 , H01L21/56 , H01L23/528 , H01L23/53209 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种复合体的制造方法，所述方法具有：组合物准备工序，准备含有具有阳离子性官能团且重均分子量为2000～1000000的聚合物的、pH为2.0～11.0的组合物；复合构件准备工序，准备具有构件A和构件B且满足上述构件B的表面的等电点＜上述组合物的pH＜上述构件A的表面的等电点的关系的复合构件，上述构件B的表面的等电点比上述构件A的表面的等电点低2.0以上且上述构件B的表面的等电点为1.0～7.5；以及赋予工序，对上述复合构件的上述构件A的上述表面和上述构件B的上述表面赋予上述组合物。
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公开(公告)号：CN119497906A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202380051289.7
申请日：2023-07-04
Applicant: 三井化学株式会社
Abstract: 一种基板层叠体的制造方法，其包括：工序A，准备第一层叠体和第二层叠体，所述第一层叠体按照第一树脂层、第一基板、第一无机材料层的顺序层叠，所述第一树脂层配置在一个表面，所述第一无机材料层配置在另一个表面，所述第二层叠体按照第二树脂层、第二基板、第二无机材料层的顺序层叠，所述第二树脂层配置在一个表面，所述第二无机材料层配置在另一个表面；工序B，使所述第一层叠体的所述第一树脂层与所述第二层叠体的所述第二无机材料层接触而层叠所述第一层叠体和所述第二层叠体；以及工序C，在所述工序B之后，在100℃以上对所述第一层叠体和所述第二层叠体进行加热。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117941037A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202280059769.3
申请日：2022-08-29
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/312 , C08G73/10
Abstract: 本发明是用于形成半导体用膜的组合物及其应用，所述组合物包含：特定结构的线形的硅氧烷化合物(A)，其包含选自伯氨基和仲氨基的氨基、硅原子以及与硅原子结合的非极性基团；特定结构的硅烷化合物(B)，其包含选自伯氨基和仲氨基的氨基、硅原子以及与硅原子结合的非极性基团；以及，特定结构的交联剂(C)，其在分子内至少包含‑C(＝O)OH基，重均分子量为200以上2000以下。
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公开(公告)号：CN117897799A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202280059797.5
申请日：2022-08-29
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/312 , C08G73/10
Abstract: 本发明是用于形成半导体用膜的组合物及其应用，所述组合物包含：脂肪族二胺(A)，其包含含有伯氨基和仲氨基以及碳原子的主链，伯氨基和仲氨基的合计为2个以上，构成所述主链的碳原子的数量为2以上180以下；以及交联剂(D)，其在分子内包含3个以上‑C(＝O)OX基(X为氢原子或碳数1以上6以下的烷基)，3个以上‑C(＝O)OX基中，1个以上6个以下为‑C(＝O)OH基，重均分子量为200以上2000以下。
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公开(公告)号：CN108292604B
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN201680066750.6
申请日：2016-11-16
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/312 , C08K5/092 , C08L101/02
Abstract: 一种用于生成半导体装置用膜的组合物，其包含：化合物(A)，具有包含伯氮原子和仲氮原子中至少一者的阳离子性官能团、且重均分子量为1万以上40万以下；交联剂(B)，在分子内具有3个以上‑C(＝O)OX基(X为氢原子或碳数1以上6以下的烷基)，3个以上‑C(＝O)OX基中，1个以上6个以下为‑C(＝O)OH基，所述交联剂(B)的重均分子量为200以上600以下；以及水(D)，所述化合物(A)为脂肪族胺。
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公开(公告)号：CN109153884B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201780030268.1
申请日：2017-05-19
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027 , H01L21/3065 , C09D201/00 , C09D5/25 , C09D7/63
Abstract: 一种含金属膜形成用组合物，其包含：化合物(A)，上述化合物(A)为选自由具有包含伯氮原子和仲氮原子中的至少1个的阳离子性官能团的化合物(a1)、以及上述化合物(a1)以外的具有氮原子的化合物(a2)所组成的组中的至少1种；以及化合物(B)，上述化合物(B)为选自由具有锗原子、锡原子、硒原子和锆原子中的至少1个与羧基的化合物(b1)、以及上述化合物(b1)的酯所组成的组中的至少1种。
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公开(公告)号：CN107004599B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201580065169.8
申请日：2015-12-14
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/3205 , C01B33/12 , H01L21/312 , H01L21/768 , H01L23/14 , H01L23/522 , H01L23/532
Abstract: 本发明提供一种基板中间体，其具备：在厚度方向具有配置导电体的孔的基板，以及在所述孔的壁面形成的密合层，所述密合层包含具有阳离子性官能团且重均分子量为2000以上1000000以下的聚合物(A)、与1分子中具有2个以上羧基的多元羧酸化合物(B)或其衍生物的反应物。
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