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    下層膜形成用材料、レジスト下層膜および積層体
    1.
    发明专利
    下層膜形成用材料、レジスト下層膜および積層体 审中-公开

    公开(公告)号：JPWO2020162183A1

    公开(公告)日：2021-10-21

    申请号：JP2020002157

    申请日：2020-01-22

    Applicant: 三井化学株式会社

    Inventor： 井上 浩二 ,  川島 啓介 ,  藤井 謙一 ,  小田 隆志

    IPC: G03F7/09 ,  H01L21/027 ,  G03F7/11

    Abstract: (i)以下数式(1)で定義される元素構成比率Reが1.5〜2.8であり、(ii)ガラス転移温度が30〜250℃であり、(iii)特定の構造単位を有する樹脂を少なくとも1種(好ましくは2種以上)含む、多層レジストプロセスに用いられる下層膜形成用材料。数式(1)中、N H は、下層膜形成用材料の固形分中の、水素原子の数であり、N C は、下層膜形成用材料の固形分中の、炭素原子の数であり、N O は、下層膜形成用材料の固形分中の、酸素原子の数である。 【数1】

    半導体基板の製造方法、半導体装置およびその製造方法
    6.
    发明专利
    半導体基板の製造方法、半導体装置およびその製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JPWO2018194133A1

    公开(公告)日：2020-02-27

    申请号：JP2018016187

    申请日：2018-04-19

    Applicant: 三井化学株式会社

    Inventor： 鎌田 潤 ,  春日 佳一郎 ,  畦崎 崇 ,  今川 清水 ,  藤井 謙一 ,  茅場 靖剛 ,  高村 一夫

    IPC: H01L21/56 ,  H01L23/12 ,  H01L21/304 ,  C08G73/10 ,  H01L21/02

    Abstract: 本発明は、研削中の半導体ウエハの脱落等がなく、さらに得られる半導体基板に割れや欠け等がない、半導体基板の製造方法等の提供を目的とする。 上記課題を解決するため、半導体基板の製造方法は、支持材上にポリイミド層を形成するポリイミド層形成工程と、前記支持材と、半導体ウエハの回路形成面とを、前記ポリイミド層を介して貼り合わせるウエハ貼付工程と、前記支持材が貼り付けられた前記半導体ウエハの回路非形成面を研削するウエハ研削工程と、前記ポリイミド層から前記支持材を剥離する支持材剥離工程と、前記半導体ウエハから前記ポリイミド層を剥離するポリイミド層剥離工程と、を含む。前記ポリイミド層は、ベンゾフェノン骨格と、かつ脂肪族鎖を有するジアミン由来の構造とを含み、アミン当量が4000〜20000であるポリイミドを含む。

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