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公开(公告)号:CN119135142A
公开(公告)日:2024-12-13
申请号:CN202410722396.4
申请日:2024-06-05
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor: 井上隆
IPC: H03K17/22 , H03K17/16 , H03K17/567 , H02M1/08
Abstract: 提供半导体驱动电路,能够以简单的结构实现软关断。半导体驱动电路(100)是用于驱动半导体元件的半导体驱动电路(100)。半导体驱动电路(100)具有输入输入信号,根据输入信号生成置位信号和复位信号的控制电路(110)。此外,半导体驱动电路(100)具有响应于置位信号的上升沿,将半导体元件的驱动信号接通,响应于复位信号的上升沿,将驱动信号断开的驱动信号电路(120)。并且,半导体驱动电路(100)具有软切断电路(130),在置位信号和复位信号同时接通的情况下,该软切断电路(130)响应于置位信号和复位信号的上升沿,与通过驱动信号电路(120)将驱动信号断开相比,缓慢地将半导体元件的驱动信号软切断。
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公开(公告)号:CN117134758A
公开(公告)日:2023-11-28
申请号:CN202210544789.1
申请日:2022-05-19
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H03K17/16 , H03K17/687
Abstract: 本申请实施例提供一种半导体装置和半导体装置的制造方法,该半导体装置包括第一控制电路和第一驱动电路,第一控制电路包括第一控制元件、第二控制元件以及至少一个第三控制元件,第一控制元件的控制极与第二控制元件的控制极通过反相器连接,第一控制元件的输出极、第二控制元件的输出极以及至少一个第三控制元件的输出极连接至第一驱动电路的控制极,至少一个第三控制元件的输出极连接至第一控制元件的输出极,至少一个第三控制元件的输入极连接至第一驱动电路的输出端,第一控制元件的背部电极与第一驱动电路的输出端连接。通过在输入和输出之间形成负反馈机制,从而在降低控制电路的开关损耗的同时,抑制驱动电路产生较大的开关噪声。
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公开(公告)号:CN116264452A
公开(公告)日:2023-06-16
申请号:CN202111523827.7
申请日:2021-12-14
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H03K5/1252
Abstract: 本申请实施例提供一种半导体装置和电子设备,该半导体装置包括:变压器(T1),其具有一次侧绕组和二次侧绕组;驱动电路(1),其与所述一次侧绕组连接,向所述一次侧绕组施加驱动信号(SG1,SG2);脉冲沿检测电路(2),其与所述二次侧绕组连接,检测所述二次侧绕组中产生的脉冲沿(CPs_out,CPr_out);以及信号产生电路(3),其根据一对有效脉冲沿中各脉冲沿的极性,输出置位信号(SET)和复位信号(RESET)中的一者,其中,所述一对有效脉冲沿中的两个脉冲沿极性相反并且时间间隔在预定的时间范围之内。由此,能够可靠地输出置位信号或复位信号,并且,有效去除噪声信号的影响。
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公开(公告)号:CN220324461U
公开(公告)日:2024-01-09
申请号:CN202321909412.8
申请日:2023-07-19
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L25/18 , H01L25/07 , H01L23/538
Abstract: 本申请实施例提供一种半导体装置和电气设备。该半导体装置包括并联至同一外部端子的第一功率半导体元件和第二功率半导体元件;所述第一功率半导体元件和所述第二功率半导体元件的驱动特性相同;所述第一功率半导体元件的第一耐压小于所述第二功率半导体元件的第二耐压;所述第一功率半导体元件的面积小于所述第二功率半导体元件的面积。本申请能够在保证功率半导体元件的可靠性的同时,有效利用半导体装置中的封装区域以及削减成本。
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公开(公告)号:CN219575636U
公开(公告)日:2023-08-22
申请号:CN202320628310.2
申请日:2023-03-27
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor: 井上隆
IPC: H01L23/498 , H01L23/31 , H01L23/29 , H01L23/492
Abstract: 本实用新型提供半导体装置,其在设置于被树脂密封的半导体芯片上的多个引线布线中,相对于模塑树脂的流动,能够防止引线短路。本实用新型的半导体装置的特征在于,将半导体芯片搭载于基座并进行树脂密封,在半导体芯片形成有多个焊盘,用引线对焊盘间进行引线接合,引线并列,并且,与树脂密封的树脂流动方向垂直地布置,在树脂流动的前方侧具备低弧引线,在后方侧具备高弧引线。
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公开(公告)号:CN218975436U
公开(公告)日:2023-05-05
申请号:CN202320178601.6
申请日:2023-01-30
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor: 井上隆
IPC: H01L23/367 , H01L23/49 , H01L23/495
Abstract: 本申请实施例提供一种半导体装置和电子设备,该半导体装置包括:绝缘基板;设置于所述绝缘基板上的第一金属板;设置于所述第一金属板上的多个功率半导体元件;设置于所述绝缘基板上的第二金属板;连接所述功率半导体元件和所述第二金属板的第一接合线;以及连接所述第二金属板和输出端子的第二接合线。由此,通过在功率半导体元件和外部端子之间靠近功率半导体元件的位置上设置金属板(第二金属板),使得连接功率半导体元件和外部端子的接合线以该金属板作为转接点(也即,连接功率半导体元件的接合线先连接到该金属板上,再连接到外部端子),能够高效地释放由接合线和功率元件产生的热量。
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