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公开(公告)号：CN104242755A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410242517.1
申请日：2014-06-03
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H02P8/12
Abstract: 本发明提供电动机驱动装置和功率模块，其处理容易且能够以简单的结构控制绕组电流。电动机驱动装置按照使流过构成电动机的绕组的电流增加的第1模式、使所述电流以第1衰减率衰减的第2模式、以及使所述电流以比所述第1衰减率小的第2衰减率衰减的第3模式来驱动所述电动机，经由规定的最小时间以上，按照所述第1模式来驱动所述电动机，在按照所述第1模式进行的驱动后的所述电流是第2基准值以上时，按照所述第2模式来驱动所述电动机，在按照所述第1模式进行的驱动结束时的所述电流是小于所述第2基准值的第1基准值以上且小于所述第2基准值时，按照所述第3模式来驱动所述电动机。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104242755B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410242517.1
申请日：2014-06-03
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H02P8/12
Abstract: 本发明提供电动机驱动装置和功率模块，其处理容易且能够以简单的结构控制绕组电流。电动机驱动装置按照使流过构成电动机的绕组的电流增加的第1模式、使所述电流以第1衰减率衰减的第2模式、以及使所述电流以比所述第1衰减率小的第2衰减率衰减的第3模式来驱动所述电动机，经由规定的最小时间以上，按照所述第1模式来驱动所述电动机，在按照所述第1模式进行的驱动后的所述电流是第2基准值以上时，按照所述第2模式来驱动所述电动机，在按照所述第1模式进行的驱动结束时的所述电流是小于所述第2基准值的第1基准值以上且小于所述第2基准值时，按照所述第3模式来驱动所述电动机。
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公开(公告)号：CN104242607A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410242519.0
申请日：2014-06-03
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 本发明提供全桥电路的驱动装置和功率模块，其具有高可靠性。全桥电路的驱动装置按照使第2功率晶体管和第4功率晶体管接通并使电流流过由第2功率晶体管和第4功率晶体管构成的路径的第1模式、使第4功率晶体管接通并使电流流过由第1功率晶体管、第4功率晶体管和负载构成的路径的第3模式以及使第2功率晶体管接通并使电流流过由第2功率晶体管、第3功率晶体管和负载构成的路径的第4模式，驱动所述全桥电路。
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公开(公告)号：CN117134758A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202210544789.1
申请日：2022-05-19
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H03K17/16 , H03K17/687
Abstract: 本申请实施例提供一种半导体装置和半导体装置的制造方法，该半导体装置包括第一控制电路和第一驱动电路，第一控制电路包括第一控制元件、第二控制元件以及至少一个第三控制元件，第一控制元件的控制极与第二控制元件的控制极通过反相器连接，第一控制元件的输出极、第二控制元件的输出极以及至少一个第三控制元件的输出极连接至第一驱动电路的控制极，至少一个第三控制元件的输出极连接至第一控制元件的输出极，至少一个第三控制元件的输入极连接至第一驱动电路的输出端，第一控制元件的背部电极与第一驱动电路的输出端连接。通过在输入和输出之间形成负反馈机制，从而在降低控制电路的开关损耗的同时，抑制驱动电路产生较大的开关噪声。
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公开(公告)号：CN116264452A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202111523827.7
申请日：2021-12-14
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H03K5/1252
Abstract: 本申请实施例提供一种半导体装置和电子设备，该半导体装置包括：变压器(T1)，其具有一次侧绕组和二次侧绕组；驱动电路(1)，其与所述一次侧绕组连接，向所述一次侧绕组施加驱动信号(SG1，SG2)；脉冲沿检测电路(2)，其与所述二次侧绕组连接，检测所述二次侧绕组中产生的脉冲沿(CPs_out，CPr_out)；以及信号产生电路(3)，其根据一对有效脉冲沿中各脉冲沿的极性，输出置位信号(SET)和复位信号(RESET)中的一者，其中，所述一对有效脉冲沿中的两个脉冲沿极性相反并且时间间隔在预定的时间范围之内。由此，能够可靠地输出置位信号或复位信号，并且，有效去除噪声信号的影响。
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公开(公告)号：CN220324461U
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202321909412.8
申请日：2023-07-19
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L25/18 , H01L25/07 , H01L23/538
Abstract: 本申请实施例提供一种半导体装置和电气设备。该半导体装置包括并联至同一外部端子的第一功率半导体元件和第二功率半导体元件；所述第一功率半导体元件和所述第二功率半导体元件的驱动特性相同；所述第一功率半导体元件的第一耐压小于所述第二功率半导体元件的第二耐压；所述第一功率半导体元件的面积小于所述第二功率半导体元件的面积。本申请能够在保证功率半导体元件的可靠性的同时，有效利用半导体装置中的封装区域以及削减成本。
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