公开(公告)号：CN1692502A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200380100571.2

申请日：2003-10-29

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 大塚康二 ,  佐藤纯治 ,  杢哲次 ,  田中良孝 ,  田岛未来雄

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L33/06

Abstract: 可提高发光特性的半导体发光元件，在低电阻的硅衬底上设有缓冲层、n型半导体层、多重阱结构活性层(4)、p型半导体层。多重阱结构活性层(4)由以下部分构成：由多个InyGa1－yN构成的第一障壁层(7)，由多个AlaGabIn1－a－bN构成的第一辅助层(9)，以及由InxGa1－xN构成的阱层(8)，由Ala′Gab′In1－a′－b′N构成的第二辅助层(10)。第一辅助层(9)和第二辅助层(10)防止In的蒸发或扩散。

公开(公告)号：CN100375301C

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN200380100571.2

申请日：2003-10-29

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 大塚康二 ,  佐藤纯治 ,  杢哲次 ,  田中良孝 ,  田岛未来雄

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L33/06

Abstract: 可提高发光特性的半导体发光元件，在低电阻的硅衬底上设有缓冲层、n型半导体层、多重阱结构活性层(4)、p型半导体层。多重阱结构活性层(4)由以下部分构成：由多个InyGa1-yN构成的第一势垒层(7)，由多个AlaGabIn1-a-bN构成的第一辅助层(9)，以及由InxGa1-xN构成的阱层(8)，由Ala′Gab′In1-a′-b′N构成的第二辅助层(10)。第一辅助层(9)和第二辅助层(10)防止In的蒸发或扩散。