-
公开(公告)号：CN100428509C
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200510112829.1
申请日：2005-10-14
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 提供可提高与p型GaN系化合物半导体接触的电极的各项特性的半导体发光元件及其制造方法。在与同MQW发光层(13)接触的p型GaN系化合物半导体(14)的主面(14a)对置的主面(14b)的表面，形成有由至少包含Ni的p型GaN系化合物半导体构成的第一区域(15)。在第一区域(15)的表面，形成有由Ni及Al所组成的合金来构成的电极(16)。在电极(16)上，形成有由Al或Au构成的外部连接用垫片电极(17)。
-
公开(公告)号：CN100405545C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200480015512.X
申请日：2004-05-31
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/331 , H01L29/737 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L33/00
Abstract: 为了形成氮化物类半导体元件而准备掺杂p型杂质且具有充分的导电性的p型硅衬底(1)。通过在硅衬底(1)上依次外延生长由AlN构成的第一缓冲层(11)、由n-InGaN构成第二缓冲层(12)、由n-GaN构成的n型氮化物半导体层(13)、活性层(14)以及由p-GaN构成的p型氮化物半导体层(15)时的加热处理，使第一层(11)的Al、第二层12的Ga和In扩散到p型硅衬底(1)，在p型硅衬底(1)和缓冲层(11)之间形成合金层(2)。Al、Ga、In也扩散到与合金层(2)相邻的p型硅衬底(1)内部，但Al、Ga、In对硅而言作为p型杂质起作用且由于硅衬底(1)为p型，在硅衬底(1)中不形成pn结。结果，氮化物类半导体元件的驱动电压变低。
-
公开(公告)号：CN1692502A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200380100571.2
申请日：2003-10-29
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/06
Abstract: 可提高发光特性的半导体发光元件，在低电阻的硅衬底上设有缓冲层、n型半导体层、多重阱结构活性层(4)、p型半导体层。多重阱结构活性层(4)由以下部分构成：由多个InyGa1－yN构成的第一障壁层(7)，由多个AlaGabIn1－a－bN构成的第一辅助层(9)，以及由InxGa1－xN构成的阱层(8)，由Ala′Gab′In1－a′－b′N构成的第二辅助层(10)。第一辅助层(9)和第二辅助层(10)防止In的蒸发或扩散。
-
公开(公告)号：CN1652346A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN200510008142.3
申请日：2005-02-02
Applicant: 三垦电气株式会社
CPC classification number: H01L33/385 , H01L24/05 , H01L27/15 , H01L2224/04042 , H01L2224/05555 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48463 , H01L2924/12032 , H01L2924/12035 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一直以来难以实现发光元件与保护元件的复合半导体装置的小型化。因而，本发明的复合半导体装置包括硅半导体衬底(1)、发光元件用的主半导体区(2)、第一电极(3)和第二电极(4)。硅半导体衬底(1)有保护元件形成区(7)。第一电极(3)有焊接焊盘部分(20)。从水平看时，保护元件形成区(7)配置在焊接焊盘部分(20)的内侧。第一电极(3)的焊接焊盘部分(20)和第二电极(4)用作发光元件和保护元件这两个的电极。
-
公开(公告)号：CN101375421B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200780003900.X
申请日：2007-01-22
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L27/15 , H01L23/62 , H01L33/007 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体发光装置及其制造方法。半导体发光装置具有硅衬底(3)和由化合物半导体构成的主半导体区域(4)。在硅衬底(3)上外延生长主半导体区域(4)时主半导体区域(4)的III族元素向硅衬底热扩散，从而在硅衬底(3)上产生p型硅半导体层(9)。该p型硅半导体层(9)被用作过电压保护二极管的构成要素。过电压保护二极管相对基于主半导体区域(4)的发光二极管并联连接。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101375421A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200780003900.X
申请日：2007-01-22
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L27/15 , H01L23/62 , H01L33/007 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体发光装置及其制造方法。半导体发光装置具有硅衬底(3)和由化合物半导体构成的主半导体区域(4)。在硅衬底(3)上外延生长主半导体区域(4)时主半导体区域(4)的III族元素向硅衬底热扩散，从而在硅衬底(3)上产生p型硅半导体层(9)。该p型硅半导体层(9)被用作过电压保护二极管的构成要素。过电压保护二极管相对基于主半导体区域(4)的发光二极管并联连接。
-
公开(公告)号：CN1799123A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200480015512.X
申请日：2004-05-31
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/331 , H01L29/737 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L33/00
Abstract: 为了形成氮化物类半导体元件而准备掺杂p型杂质且具有充分的导电性的p型硅衬底(1)。通过在硅衬底(1)上依次外延生长由AlN构成的第一缓冲层(11)、由n－InGaN构成第二缓冲层(12)、由n－GaN构成的n型氮化物半导体层(13)、活性层(14)以及由p－GaN构成的p型氮化物半导体层(15)时的加热处理，使第一层(11)的Al、第二层12的Ga和In扩散到p型硅衬底(1)，在p型硅衬底(1)和缓冲层(11)之间形成合金层(2)。Al、Ga、In也扩散到与合金层(2)相邻的p型硅衬底(1)内部，但Al、Ga、In对硅而言作为p型杂质起作用且由于硅衬底(1)为p型，在硅衬底(1)中不形成pn结。结果，氮化物类半导体元件的驱动电压变低。
-
公开(公告)号：CN1763984A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510112829.1
申请日：2005-10-14
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 提供可提高与p型GaN系化合物半导体接触的电极的各项特性的半导体发光元件及其制造方法。在与同MQW发光层(13)接触的p型GaN系化合物半导体(14)的主面(14a)对置的主面(14b)的表面，形成有由至少包含Ni的p型GaN系化合物半导体构成的第一区域(15)。在第一区域(15)的表面，形成有由Ni及Al所组成的合金来构成的电极(16)。在电极(16)上，形成有由Al或Au构成的外部连接用垫片电极(17)。
-
公开(公告)号：CN100468766C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200480024805.4
申请日：2004-09-22
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 准备了掺杂p型杂质而且具有充分导电性的p型硅基板(1)。在基板(1)上依次外延生长由n型AlInGaN构成的缓冲区(3)、由n型GaN构成的n型氮化物半导体层(13)、有源层(14)及由p型GaN构成的p型氮化物半导体层(15)。通过p型硅基板(1)与由n型AlGaInN构成的n型缓冲区(3)的异质结中的界面能级，提高硅基板(1)的载流子向n型缓冲区(3)的输运效率，降低发光二极管的驱动电压。
-
公开(公告)号：CN100375301C
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200380100571.2
申请日：2003-10-29
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/06
Abstract: 可提高发光特性的半导体发光元件，在低电阻的硅衬底上设有缓冲层、n型半导体层、多重阱结构活性层(4)、p型半导体层。多重阱结构活性层(4)由以下部分构成：由多个InyGa1-yN构成的第一势垒层(7)，由多个AlaGabIn1-a-bN构成的第一辅助层(9)，以及由InxGa1-xN构成的阱层(8)，由Ala′Gab′In1-a′-b′N构成的第二辅助层(10)。第一辅助层(9)和第二辅助层(10)防止In的蒸发或扩散。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.03 seconds)
