公开(公告)号：CN204497237U

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201520266929.9

申请日：2015-04-29

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 陈译 ,  森川直树

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 提供一种半导体装置，软化高速二极管的开关波形。在电流沿纵向流动的PiN型二极管的结构中，在电流流经的方向上形成条纹状的结晶缺陷层。由此，在硅中形成有作为寿命抑制因素来发挥功能、载流子尽早复合的区域和不作为寿命抑制因素来发挥功能、载流子消失得较迟的区域，当施加反偏压时，载流子没有立刻消失，因此能够形成开关速度快且具有软开关波形的半导体元件。

公开(公告)号：CN204497238U

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201520269159.3

申请日：2015-04-29

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 陈译 ,  森川直树

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 提供一种半导体装置，软化高速二极管的开关波形。该半导体装置的特征在于：在电流沿纵向流动的PiN型的二极管结构中，与电流流经的方向平行地分别交替形成缺陷密度恒定的层和缺陷密度不同的层，从芯片周边侧开始到芯片中心部侧，所述缺陷密度不同的缺陷层的缺陷密度阶梯性地变小。