-
公开(公告)号：CN110190119A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201810153683.2
申请日：2018-02-22
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/417
Abstract: 本申请实施例提供一种半导体装置和电子设备，该半导体装置包括：半导体衬底；第一掺杂区，其沿与形成于所述半导体衬底中的沟槽的宽度方向和深度方向都垂直的长度方向延伸；以及第二掺杂区，其形成于所述第一掺杂区中，所述第二掺杂区与所述长度方向垂直，被分离地设置。根据本申请，在半导体装置中，发射极区被分离地设置，从而减少从发射极区注入到半导体装置的基极区的载流子，因此，能够减缓半导体装置被锁定的情况，并且，改善半导体装置的负载短路容限特性。
-
公开(公告)号：CN110190118A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201810153665.4
申请日：2018-02-22
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L29/739
Abstract: 本申请实施例提供一种半导体装置和电子设备，该半导体装置包括：沟槽，其位于半导体衬底中；第一绝缘体，其填充所述沟槽的至少一部分；第二绝缘体，其位于所述第一绝缘体上部，与所述第一绝缘体共同填充所述沟槽；第一电极，其至少覆盖所述第二绝缘体的上表面，其中，所述第二绝缘体的至少所述上表面中磷的浓度低于所述第一绝缘体中磷的浓度。根据本申请，在电极和具有较高磷浓度的绝缘体之间设置具有较低磷浓度的绝缘体，由此，减少绝缘体中较高浓度的磷对电极的腐蚀，提高半导体装置的可靠性。
-
公开(公告)号：CN106206752B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201510323730.X
申请日：2015-06-12
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 森川直树
IPC: H01L29/868 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其能够软化高速二极管的开关波形。该半导体装置具有电流在纵向上流动的PiN型的二极管结构，在施加反向偏压时所形成的耗尽层区域的外侧的漂移层的区域内，改变浓度地配置有多个载流子蓄积层(N+层)。从器件中央侧朝向端部侧配置积蓄层，积蓄层的浓度从器件中心侧至端部侧阶段性地升高。可利用多个载流子蓄积层来控制耗尽层的扩展方向，从而能够软化开关波形。
-
公开(公告)号：CN105322024A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510319181.9
申请日：2015-06-11
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 森川直树
IPC: H01L29/861 , H01L21/322
CPC classification number: H01L29/861 , H01L21/322
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。能够软化高速二极管的反向恢复动作时的电流波形。在具有使电流在纵向上流动的PiN型二极管结构的二极管中，在施加反向偏压时所形成的耗尽层区域的外侧的漂移层的区域中，局部地配置有在施加反向偏压时产生载流子的载流子残存层(N+层)。利用载流子残存层在开关动作时供给载流子(电子)，并使由此而产生的电流流动，因此，载流子不会急剧消失，能够软化反向恢复动作时的电流波形。由于是未在二极管的背面设置厚的载流子残存层(N+层)这样的结构，因此不使Vf上升就能够软化电流波形。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106206752A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201510323730.X
申请日：2015-06-12
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 森川直树
IPC: H01L29/868 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其能够软化高速二极管的开关波形。该半导体装置具有电流在纵向上流动的PiN型的二极管结构，在施加反向偏压时所形成的耗尽层区域的外侧的漂移层的区域内，改变浓度地配置有多个载流子蓄积层(N+层)。从器件中央侧朝向端部侧配置积蓄层，积蓄层的浓度从器件中心侧至端部侧阶段性地升高。可利用多个载流子蓄积层来控制耗尽层的扩展方向，从而能够软化开关波形。
-
公开(公告)号：CN105280721A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510317613.2
申请日：2015-06-11
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 森川直树
IPC: H01L29/868 , H01L29/32
CPC classification number: H01L29/868 , H01L29/32
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。能够软化高速二极管的反向恢复动作时的电流波形。在具有使电流在纵向上流动的PiN型二极管结构的二极管中，在施加反向偏压时所形成的耗尽层区域的外侧的漂移层的区域中，局部地配置有产生载流子的载流子残存层(结晶缺陷层)。利用该层在开关动作时供给载流子(电子)，并使由此产生的电流流动，因此，载流子不会急剧消失，能够软化反向恢复动作时的电流波形。由于未在二极管的背面设置载流子残存层(结晶缺陷层)，因此不使Vf上升就能够软化电流波形。
-
公开(公告)号：CN209401631U
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201821992853.8
申请日：2018-11-29
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 森川直树
IPC: H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 本实用新型涉及半导体装置，该半导体装置提高了可靠性。包括：沟道截断电极(129)，其配置在衬底的终端区(400)；第一电极(127)，其与第二半导体区(109)电连接；绝缘膜(115)，其配置在沟道截断电极(129)与第一电极(127)之间的终端区(400)上；多个第一导电体部(121)，它们配置在绝缘膜上；多个第二导电体部(125)，它们在第一导电体部(121)上从第一导电体部(121)分离而配置。第一电极(127)侧的第一导电体部(121)与第二导电体部(125)在高度方向上的重叠部分的宽度大于沟道截断电极侧的第一导电体部(121)与第二导电体部(125)在高度方向上的重叠部分的宽度。
-
公开(公告)号：CN204497237U
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201520266929.9
申请日：2015-04-29
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 提供一种半导体装置，软化高速二极管的开关波形。在电流沿纵向流动的PiN型二极管的结构中，在电流流经的方向上形成条纹状的结晶缺陷层。由此，在硅中形成有作为寿命抑制因素来发挥功能、载流子尽早复合的区域和不作为寿命抑制因素来发挥功能、载流子消失得较迟的区域，当施加反偏压时，载流子没有立刻消失，因此能够形成开关速度快且具有软开关波形的半导体元件。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.026 seconds)
