公开(公告)号：CN106531719A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201610825719.8

申请日：2016-09-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 严多一 ,  金桢益 ,  具滋钦 ,  金哲性 ,  朴俊起 ,  玄尚镇

IPC: H01L23/538

Abstract: 提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：有源鳍，在基底上从隔离图案部分地突出；栅极结构，在有源鳍上；源/漏层，在与栅极结构相邻的有源鳍的一部分上；金属硅化物图案，在源/漏层上；以及塞，在金属硅化物图案上。塞包括：第二金属图案；金属氮化物图案，接触金属硅化物图案的上表面，并覆盖第二金属图案的底部和侧壁；以及第一金属图案，在金属硅化物图案上，第一金属图案覆盖金属氮化物图案的外侧壁。第一金属图案的氮浓度根据距金属氮化物图案的外侧壁的距离而逐渐减小。

公开(公告)号：CN106531719B

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201610825719.8

申请日：2016-09-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 严多一 ,  金桢益 ,  具滋钦 ,  金哲性 ,  朴俊起 ,  玄尚镇

IPC: H01L23/538

Abstract: 提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：有源鳍，在基底上从隔离图案部分地突出；栅极结构，在有源鳍上；源/漏层，在与栅极结构相邻的有源鳍的一部分上；金属硅化物图案，在源/漏层上；以及塞，在金属硅化物图案上。塞包括：第二金属图案；金属氮化物图案，接触金属硅化物图案的上表面，并覆盖第二金属图案的底部和侧壁；以及第一金属图案，在金属硅化物图案上，第一金属图案覆盖金属氮化物图案的外侧壁。第一金属图案的氮浓度根据距金属氮化物图案的外侧壁的距离而逐渐减小。