公开(公告)号：CN114141863A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202111038495.3

申请日：2021-09-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 薛珉洙 ,  李珉贤 ,  权俊荣 ,  申铉振 ,  俞敏硕

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 公开了一种场效应晶体管和制造其的方法。该场效应晶体管包括在衬底上的源电极、与源电极分隔开的漏电极、连接在源电极和漏电极之间的沟道、栅绝缘层、以及栅电极。当在第一截面中看时，沟道可以具有中空闭合的截面结构，第一截面由在垂直于衬底的方向上跨过源电极和漏电极的平面形成。栅绝缘层可以在沟道中。栅电极可以通过栅绝缘层与源电极和漏电极绝缘。

公开(公告)号：CN117438462A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202310389698.X

申请日：2023-04-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 薛珉洙 ,  权俊荣 ,  南志卓 ,  俞敏硕

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件可以包括：至少一个第一二维材料层；分别在所述至少一个第一二维材料层的两侧的源电极和漏电极；第二二维材料层，分别在源电极的一侧和漏电极的一侧并连接到所述至少一个第一二维材料层；围绕所述至少一个第一二维材料层的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上的栅电极。

公开(公告)号：CN117423728A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202310879146.7

申请日：2023-07-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昌炫 ,  薛珉洙 ,  权俊荣 ,  申建旭 ,  俞敏硕

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H10B10/00 ,  H10B41/35 ,  H10B43/35

Abstract: 本公开提供了半导体器件以及包括该半导体器件的电子装置。一种半导体器件包括：沟道，包括二维(2D)半导体材料；源电极和漏电极，分别电连接到沟道的相对两侧；过渡金属氧化物层，在沟道上并包括过渡金属氧化物；电介质层，在过渡金属氧化物层上并包括高k材料；以及栅电极，在电介质层上。

公开(公告)号：CN119325262A

公开(公告)日：2025-01-17

申请号：CN202410714579.1

申请日：2024-06-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴星一 ,  薛珉洙 ,  俞敏硕 ,  朴宰贤 ,  卞卿溵

IPC: H10D30/62 ,  H10D62/17 ,  H10D84/83

Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：鳍型有源区，在基底上在第一水平方向上在长度上延伸；水平半导体层，在鳍型有源区上；种子层，在鳍型有源区上并且与水平半导体层接触；栅极线，在鳍型有源区上围绕水平半导体层和种子层，并且在与第一水平方向相交的第二水平方向上在长度上延伸；以及一对垂直半导体层，在鳍型有源区上分别在水平半导体层的在第一水平方向上的第一侧和第二侧上，水平半导体层在所述一对垂直半导体层之间，其中，所述一对垂直半导体层中的每个的内壁接触水平半导体层，并且所述一对垂直半导体层的上表面或下表面接触种子层。

公开(公告)号：CN117393612A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202310850230.6

申请日：2023-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 薛珉洙 ,  权俊荣 ,  申建旭 ,  俞敏硕

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明涉及半导体器件、制造其的方法和包括其的电子设备。半导体器件可包括：二维材料层，其包括具有多晶结构的二维半导体材料；部分地在所述二维材料层上的金属性纳米颗粒；分别在所述二维材料层的两侧上的源电极和漏电极；以及在所述源电极和所述漏电极之间在所述二维材料层上的栅极绝缘层和栅电极。

公开(公告)号：CN115939209A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202211197647.9

申请日：2022-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞敏硕 ,  薛珉洙 ,  权俊荣

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了场效应晶体管、包括该场效应晶体管的电子装置以及制造该场效应晶体管的方法。场效应晶体管可以包括：基板；在基板上的栅电极；在栅电极上的绝缘层；在绝缘层上的源电极；在绝缘层上且与源电极间隔开的漏电极；在源电极和漏电极之间并包括二维(2D)材料的沟道；邻近源电极和漏电极的2D材料电极接合层；以及邻近2D材料电极接合层的应力器。应力器可以配置为向2D材料电极接合层施加拉伸应变。