公开(公告)号：CN112151461B

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202010272728.5

申请日：2020-04-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟润 ,  朴正镐 ,  李锡贤 ,  张延镐 ,  张在权

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H10D80/30 ,  H01L23/488 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60

Abstract: 公开了一种半导体封装包括：重新分布结构，包括重新分布绝缘层和重新分布图案；第一半导体芯片，设置在重新分布绝缘层的第一表面上并电连接到重新分布图案；以及下电极焊盘，设置在重新分布绝缘层的与第一表面相对的第二表面上，下电极焊盘包括嵌入在重新分布绝缘层中的第一部分和从重新分布绝缘层的第二表面突出的第二部分，其中，下电极焊盘的第一部分的厚度大于下电极焊盘的第二部分的厚度。

公开(公告)号：CN112670265A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN202010565305.2

申请日：2020-06-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李锡贤 ,  金锺润 ,  张延镐 ,  张在权

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L23/485

Abstract: 提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括：半导体芯片；重新分布结构，位于半导体芯片下方；第一绝缘层，位于重新分布结构下方；垫，位于第一绝缘层下方，垫与重新分布结构接触；以及凸块，位于垫下方，其中，垫的上部的水平最大长度比垫的下部的水平最大长度大。

公开(公告)号：CN112289768A

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN202010347007.6

申请日：2020-04-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全光宰 ,  金东奎 ,  朴正镐 ,  张延镐

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31

Abstract: 公开了一种半导体封装，包括重新分布衬底以及重新分布衬底的顶表面上的半导体芯片。重新分布衬底包括凸块下图案、覆盖凸块下图案的侧壁的下介电层以及下介电层上的第一重新分布图案。第一重新分布图案包括第一线路部分。凸块下图案在顶表面处的宽度大于凸块下图案在底表面处的宽度。凸块下图案的厚度大于第一线路部分的厚度。

公开(公告)号：CN112151461A

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN202010272728.5

申请日：2020-04-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟润 ,  朴正镐 ,  李锡贤 ,  张延镐 ,  张在权

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L25/065 ,  H01L23/488 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60

Abstract: 公开了一种半导体封装包括：重新分布结构，包括重新分布绝缘层和重新分布图案；第一半导体芯片，设置在重新分布绝缘层的第一表面上并电连接到重新分布图案；以及下电极焊盘，设置在重新分布绝缘层的与第一表面相对的第二表面上，下电极焊盘包括嵌入在重新分布绝缘层中的第一部分和从重新分布绝缘层的第二表面突出的第二部分，其中，下电极焊盘的第一部分的厚度大于下电极焊盘的第二部分的厚度。

公开(公告)号：CN111613587A

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN201911362709.5

申请日：2019-12-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全光宰 ,  金东奎 ,  朴正镐 ,  张延镐

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L25/065

Abstract: 提供了一种半导体封装及其制造方法。半导体封装包括：第一再分布结构；设置在第一再分布结构上的第一半导体芯片；设置在第一再分布结构上的导电柱；覆盖第一再分布结构的上表面的密封物；以及设置在密封物上的第二再分布结构。密封物的上表面具有开口，开口暴露出导电柱的上表面。第二再分布结构包括布线图案以及将布线图案连接至导电柱的连接过孔。

公开(公告)号：CN112151464B

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202010597544.6

申请日：2020-06-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东奎 ,  朴正镐 ,  金钟润 ,  张延镐 ,  张在权

IPC: H01L23/31 ,  H01L25/07 ,  H01L23/367

Abstract: 提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括：布置在衬底上的第一半导体芯片和第二半导体芯片；阻挡层，其布置在第一半导体芯片和第二半导体芯片上，并且包括开口，第一半导体芯片的至少一部分通过所述开口暴露出来；以及热传递部分，其布置在阻挡层上，沿着阻挡层的上表面延伸并且填充所述开口。

公开(公告)号：CN114267659A

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN202110824636.8

申请日：2021-07-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东奎 ,  李锡贤 ,  张延镐 ,  张在权

IPC: H01L23/498 ,  H01L25/18

Abstract: 一种半导体封装装置包括第一半导体封装件、第二半导体封装件和位于第一半导体封装件与第二半导体封装件之间的第一连接端子。第一半导体封装件包括：下再分布基板；半导体芯片，位于下再分布基板上；和上再分布基板，横跨半导体芯片与下再分布基板垂直间隔开。上再分布基板包括：电介质层；再分布图案，垂直堆叠在电介质层中，每个再分布图案包括线部分和通路部分；和焊盘，位于最上面的再分布图案上。接合焊盘从电介质层暴露，并且与第一连接端子接触。接合焊盘的直径沿着从上再分布基板的顶表面的中央部分到其顶表面的外围部分的第一方向减小。接合焊盘的厚度沿着第一方向增加。

公开(公告)号：CN112151464A

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN202010597544.6

申请日：2020-06-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东奎 ,  朴正镐 ,  金钟润 ,  张延镐 ,  张在权

IPC: H01L23/31 ,  H01L25/07 ,  H01L23/367

Abstract: 提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括：布置在衬底上的第一半导体芯片和第二半导体芯片；阻挡层，其布置在第一半导体芯片和第二半导体芯片上，并且包括开口，第一半导体芯片的至少一部分通过所述开口暴露出来；以及热传递部分，其布置在阻挡层上，沿着阻挡层的上表面延伸并且填充所述开口。