公开(公告)号：CN102347368B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201110115503.X

申请日：2011-04-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴敬培 ,  金炫奭 ,  柳明官 ,  李相润 ,  李光熙 ,  金兑相 ,  金亿洙 ,  孙暻锡 ,  孟完柱 ,  朴晙皙

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/12 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供了晶体管、制造所述晶体管的方法及包括所述晶体管的平板显示器。所述晶体管可以包括具有多层结构的氧化物沟道层。沟道层可包括从栅极绝缘层顺序地布置的第一层和第二层。第一层可以是导体，第二层可以是导电率比第一层的导电率低的半导体。第一层可根据栅极电压条件变成耗尽区。

公开(公告)号：CN102347368A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201110115503.X

申请日：2011-04-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴敬培 ,  金炫奭 ,  柳明官 ,  李相润 ,  李光熙 ,  金兑相 ,  金亿洙 ,  孙暻锡 ,  孟完柱 ,  朴晙皙

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/12 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供了晶体管、制造所述晶体管的方法及包括所述晶体管的平板显示器。所述晶体管可以包括具有多层结构的氧化物沟道层。沟道层可包括从栅极绝缘层顺序地布置的第一层和第二层。第一层可以是导体，第二层可以是导电率比第一层的导电率低的半导体。第一层可根据栅极电压条件变成耗尽区。