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公开(公告)号:CN119370883A
公开(公告)日:2025-01-28
申请号:CN202411004299.8
申请日:2024-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 半导体纳米颗粒、制备半导体纳米颗粒的方法、和包括半导体纳米颗粒的电致发光器件和显示设备。制备半导体纳米颗粒的方法包括使锌前体和硫前体在第一颗粒的存在下以在预定的温度下接触在所述第一颗粒上形成含有硫化锌的半导体纳米晶体层,其中所述第一颗粒包括包含锌、硒、和任选地碲的II‑VI族化合物,或者所述第一颗粒包括包含铟和磷的III‑V族化合物。所述预定的温度包括(例如,为)大于300℃且小于或等于约380℃的温度(例如,反应温度),并且所述硫前体包括C3(例如C9)至C50的硫醇化合物或其组合。
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公开(公告)号:CN118146488A
公开(公告)日:2024-06-07
申请号:CN202311670326.0
申请日:2023-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供聚合物化合物、组合物、有机膜、电致发光器件、和制造电致发光器件的方法,所述聚合物化合物包括由式(1)表示的结构单元、以及由式(2)、式(3)、或式(4)表示的结构单元的至少一种,其中式(1)‑(4)与本申请的详细说明书中描述的相同。#imgabs0#
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公开(公告)号:CN110890471B
公开(公告)日:2025-01-17
申请号:CN201910842105.4
申请日:2019-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开电致发光器件和包括其的显示装置。所述电致发光器件包括彼此面对的第一电极和第二电极;设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括量子点和具有连接至骨架结构的取代或未取代的C4‑C20烷基的第一空穴传输材料的发射层;设置在所述发射层和所述第一电极之间并且包括第二空穴传输材料的空穴传输层;以及设置在所述发射层和所述第二电极之间的电子传输层。
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公开(公告)号:CN118265340A
公开(公告)日:2024-06-28
申请号:CN202311791306.9
申请日:2023-12-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K50/15 , H10K50/17 , H10K50/115 , H10K71/00
Abstract: 公开量子点器件和电子设备。所述量子点器件包括:阳极和阴极;设置在所述阳极和所述阴极之间的发光层,所述发光层包括量子点;设置在所述阳极和所述发光层之间的第一空穴辅助层,所述第一空穴辅助层包括聚(3,4‑亚乙基二氧噻吩)‑聚磺苯乙烯(PEDOT:PSS)或其衍生物;设置在所述第一空穴辅助层和所述发光层之间并且包括与所述第一空穴辅助层的材料不同的空穴传输材料的第二空穴辅助层,其中所述第一空穴辅助层具有面对所述阳极的第一表面和面对所述第二空穴辅助层的第二表面,且所述第一空穴辅助层在所述第二表面处包括表面改性区域,所述表面改性区域包括具有羧酸基团、膦酸基团、磺酸基团、或其盐的表面改性材料。
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公开(公告)号:CN110797467A
公开(公告)日:2020-02-14
申请号:CN201910715926.1
申请日:2019-08-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开发光器件、其制造方法和包括其的显示设备。所述发光器件包括:彼此面对的第一电极和第二电极、设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括量子点的发射层、以及设置在所述发射层和所述第二电极之间并且包括多个纳米颗粒的电子辅助层,其中所述纳米颗粒包括包含锌的金属氧化物,其中所述第二电极具有面对所述电子辅助层的表面的第一表面以及与所述第一表面相反的第二表面,所述发光器件包括设置在所述第二表面的至少一部分和所述电子辅助层的所述表面的至少一部分上的聚合物层,其中所述聚合物层包括包含如下的单体组合的聚合产物:具有至少一个硫醇基团的硫醇化合物、和具有至少两个碳-碳不饱和键的不饱和化合物。
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公开(公告)号:CN118317620A
公开(公告)日:2024-07-09
申请号:CN202410017574.3
申请日:2024-01-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K50/115 , H10K50/13 , H10K101/30 , H10K101/40
Abstract: 本发明涉及发光器件和包括其的显示设备。发光器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发光层,并且所述发光层包括量子点,其中所述发光层包括靠近于所述第一电极的第一发光层和靠近于所述第二电极的第二发光层,所述第一发光层的量子点在表面上包括第一配体,并且所述第二发光层的量子点在表面上包括第二配体,所述第一配体不同于所述第二配体,所述第一发光层的HOMO能级比所述第二发光层的HOMO能级低(浅)。
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公开(公告)号:CN113258012A
公开(公告)日:2021-08-13
申请号:CN202110183999.8
申请日:2021-02-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了量子点器件、其制造方法和电子设备,所述量子点器件包括第一电极和第二电极、设置在所述第一电极和所述第二电极之间的量子点层、设置在所述量子点层和所述第二电极之间并且包括第一无机纳米颗粒和第一有机材料的电子传输层、以及设置在所述电子传输层和所述第二电极之间并且包括第二无机纳米颗粒和第二有机材料的电子注入层,其中所述电子注入层中的所述第二有机材料的量对所述第二无机纳米颗粒和所述第二有机材料的总量的按重量计的比率小于所述电子传输层中的所述第一有机材料的量对所述第一无机纳米颗粒和所述第一有机材料的总量的按重量计的比率。
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公开(公告)号:CN110890471A
公开(公告)日:2020-03-17
申请号:CN201910842105.4
申请日:2019-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开电致发光器件和包括其的显示装置。所述电致发光器件包括彼此面对的第一电极和第二电极;设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括量子点和具有连接至骨架结构的取代或未取代的C4-C20烷基的第一空穴传输材料的发射层;设置在所述发射层和所述第一电极之间并且包括第二空穴传输材料的空穴传输层;以及设置在所述发射层和所述第二电极之间的电子传输层。
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