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公开(公告)号：CN113054099B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202011549731.3
申请日：2020-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开可变电阻存储器件。可变电阻存储器件包括可变电阻层、第一导电元件和第二导电元件。可变电阻层包括第一层和第二层。第一层由第一材料形成。第二层在第一层上且由具有与第一材料的密度不同的密度的第二材料形成。第一导电元件和第二导电元件位于可变电阻层上并且彼此间隔开以在可变电阻层中形成电流路径。电流路径在与第一层和第二层堆叠的方向垂直的方向上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113130508A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202010805334.1
申请日：2020-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11582 , G11C16/24 , G11C16/04
Abstract: 公开了一种垂直非易失性存储器件，其包括使用电阻变化材料的存储单元串。该非易失性存储器件的每个存储单元串包括：半导体层，在第一方向上延伸并具有与第二表面相反的第一表面；多个栅极和多个绝缘体，在第一方向上交替地布置并在垂直于第一方向的第二方向上延伸；栅极绝缘层，在所述多个栅极与半导体层的第一表面之间以及在所述多个绝缘体与半导体层的第一表面之间沿第一方向延伸；以及电介质膜，在半导体层的第二表面上沿第一方向延伸并具有分布在其中的多个可移动的氧空位。
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公开(公告)号：CN113054099A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011549731.3
申请日：2020-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开可变电阻存储器件。可变电阻存储器件包括可变电阻层、第一导电元件和第二导电元件。可变电阻层包括第一层和第二层。第一层由第一材料形成。第二层在第一层上且由具有与第一材料的密度不同的密度的第二材料形成。第一导电元件和第二导电元件位于可变电阻层上并且彼此间隔开以在可变电阻层中形成电流路径。电流路径在与第一层和第二层堆叠的方向垂直的方向上。
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公开(公告)号：CN113054100B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202011549772.2
申请日：2020-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开可变电阻存储器件。可变电阻存储器件包括可变电阻层、第一导电元件和第二导电元件。可变电阻层包括包含第一金属氧化物材料的第一层和在第一层上的第二层，且第二层包括第二金属氧化物材料。第二金属氧化物材料具有与第一金属氧化物材料的金属化合价不同的金属化合价。第一导电元件和第二导电元件在可变电阻层上并且彼此分开以在可变电阻层中在与第一层和第二层堆叠的方向垂直的方向上形成电流路径。
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公开(公告)号：CN113054100A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011549772.2
申请日：2020-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开可变电阻存储器件。可变电阻存储器件包括可变电阻层、第一导电元件和第二导电元件。可变电阻层包括包含第一金属氧化物材料的第一层和在第一层上的第二层，且第二层包括第二金属氧化物材料。第二金属氧化物材料具有与第一金属氧化物材料的金属化合价不同的金属化合价。第一导电元件和第二导电元件在可变电阻层上并且彼此分开以在可变电阻层中在与第一层和第二层堆叠的方向垂直的方向上形成电流路径。
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公开(公告)号：CN112309472A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010348380.3
申请日：2020-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种非易失性存储器件及其操作方法。该非易失性存储器件包括具有垂直堆叠结构的存储单元阵列、用于将编程电压施加到存储单元阵列的位线以及控制逻辑。存储单元阵列包括存储单元，每个存储单元包括半导体层的对应部分和电阻层的对应部分。存储单元包括未被选择的存储单元、补偿存储单元和被选择的存储单元。控制逻辑被配置为基于将第一电压施加到补偿存储单元、将第二电压施加到被选择的存储单元以及将第三电压施加到未被选择的存储单元，将调节后的编程电压施加到被选择的存储单元。由于补偿存储单元，与编程电压相比，调节后的编程电压可以下降。
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