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公开(公告)号：CN109390218B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201810768330.3
申请日：2018-07-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/033 , H01L21/8238
Abstract: 公开制造集成电路器件的方法。所述方法包括：在基板上形成包括含碳的膜和含硅的有机抗反射膜的堆叠掩模结构体；通过蚀刻所述含硅的有机抗反射膜而形成含硅的有机抗反射图案；和通过使用所述含硅的有机抗反射图案作为蚀刻掩模蚀刻所述含碳的膜而形成包括含碳的掩模图案和轮廓控制衬料的复合掩模图案，所述含碳的掩模图案限定贯穿其的开口，所述轮廓控制衬料覆盖所述含碳的掩模图案的界定所述开口的侧表面。通过由所述复合掩模图案限定的多个空间将离子注入到所述基板中。
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公开(公告)号：CN115763503A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211067322.9
申请日：2022-09-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：包括多个像素区的半导体基板；在半导体基板上的抗反射层；提供在抗反射层上和像素区中的滤色器；以及设置在滤色器中的相邻滤色器之间的栅栏结构，其中栅栏结构包括：穿透抗反射层的下部；在抗反射层上的上部；以及在下部与上部之间的中间部，其中栅栏结构具有底切区，该底切区提供在中间部的两侧并且在栅栏结构的上部与抗反射层的顶表面之间。
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公开(公告)号：CN114792699A
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202210079601.0
申请日：2022-01-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括具有第一表面和第二表面的衬底。分离结构穿透衬底。光电转换器件区域在衬底中彼此间隔开。滤色器设置在衬底的第二表面上。微透镜设置在滤色器上。分离结构包括下分离图案和上分离图案、彼此平行延伸的第一线部分以及与第一线部分垂直交叉的第二线部分。下分离图案的上表面或上分离图案的下表面具有波浪形状或锯齿形状。在其中第一线部分和第二线部分交叉的交叉区域中，下分离图案和上分离图案中的一个的垂直长度是另一个的垂直长度的约2至10倍。
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公开(公告)号：CN1967807A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200610144710.7
申请日：2006-11-07
Applicant: 三星电子株式会社 , 因菲尼奥恩技术股份公司
IPC: H01L21/82 , H01L21/336 , H01L21/266
CPC classification number: H01L21/823842 , H01L21/26586 , H01L21/823814 , H01L29/6656 , H01L29/6659 , H01L29/7833
Abstract: 本发明公开了一种集成电路晶体管的制造方法。在集成电路晶体管的制造过程中，构图的抗反射涂层可以被用作选择性的注入阻挡层。具体而言，该抗反射涂层可以被用作栅侧壁间隔物来阻挡至少一些掺杂剂进入栅侧壁间隔物下的集成电路衬底。另外，当制造集成电路晶体管的源极和漏极延伸区以及源极区和漏极区时，可以使用单个掩模。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102157381B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201110036456.X
申请日：2011-02-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/823864 , H01L21/28079 , H01L21/28088 , H01L21/28123 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823842 , H01L29/165 , H01L29/66545 , H01L29/6659 , H01L29/66636 , H01L29/7834 , H01L29/7848
Abstract: 本发明提供了一种制造半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：提供半导体基板；在半导体基板上形成栅极图案，使得栅极图案包括栅极介电层和牺牲栅电极；在半导体基板和栅极图案上形成蚀刻停止层和介电层；去除介电层的一部分，以暴露蚀刻停止层；对蚀刻停止层执行回蚀工艺，以暴露牺牲栅电极；去除牺牲栅电极，以形成沟槽；在包括沟槽的半导体基板上形成金属层；去除金属层的一部分，以暴露介电层；按预定的目标对金属层执行回蚀工艺。
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公开(公告)号：CN102157381A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110036456.X
申请日：2011-02-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/823864 , H01L21/28079 , H01L21/28088 , H01L21/28123 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823842 , H01L29/165 , H01L29/66545 , H01L29/6659 , H01L29/66636 , H01L29/7834 , H01L29/7848
Abstract: 本发明提供了一种制造半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：提供半导体基板；在半导体基板上形成栅极图案，使得栅极图案包括栅极介电层和牺牲栅电极；在半导体基板和栅极图案上形成蚀刻停止层和介电层；去除介电层的一部分，以暴露蚀刻停止层；对蚀刻停止层执行回蚀工艺，以暴露牺牲栅电极；去除牺牲栅电极，以形成沟槽；在包括沟槽的半导体基板上形成金属层；去除金属层的一部分，以暴露介电层；按预定的目标对金属层执行回蚀工艺。
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公开(公告)号：CN109390218A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810768330.3
申请日：2018-07-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/033 , H01L21/8238
Abstract: 公开制造集成电路器件的方法。所述方法包括：在基板上形成包括含碳的膜和含硅的有机抗反射膜的堆叠掩模结构体；通过蚀刻所述含硅的有机抗反射膜而形成含硅的有机抗反射图案；和通过使用所述含硅的有机抗反射图案作为蚀刻掩模蚀刻所述含碳的膜而形成包括含碳的掩模图案和轮廓控制衬料的复合掩模图案，所述含碳的掩模图案限定贯穿其的开口，所述轮廓控制衬料覆盖所述含碳的掩模图案的界定所述开口的侧表面。通过由所述复合掩模图案限定的多个空间将离子注入到所述基板中。
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公开(公告)号：CN105391841A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510542134.0
申请日：2015-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04M1/725
CPC classification number: H04M1/72569 , G06F1/1626 , G06F1/206 , G06F1/3206 , G06F3/0484 , G06F19/00 , G08B21/182 , G16H40/63 , H04M1/72583 , H04W52/0251 , H04W52/0267 , H04W52/0274 , H04W52/029 , Y02D70/1222 , Y02D70/1242 , Y02D70/1262 , Y02D70/142 , Y02D70/144 , Y02D70/164 , Y02D70/166 , Y02D70/168 , Y02D70/26
Abstract: 电子设备包括：通信接口，被配置为支持通信功能；以及一个或多个处理器，被配置为在通信功能运行期间执行电子设备的温度检测，如果检测到的温度信息满足指定的温度条件则驱动计时器以警告通信功能终止，以及输出与计时器驱动相对应的计数信息。
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公开(公告)号：CN102169825A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110036452.1
申请日：2011-02-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/0337 , H01L21/0338
Abstract: 本发明公开了一种形成半导体器件的精细图案的方法，所述方法包括以下步骤：提供可图案化层；在可图案化层上形成多个第一光致抗蚀剂层图案；在可图案化层和多个第一光致抗蚀层图案上形成界面层；在界面层上形成平坦化层；在平坦化层上形成多个第二光致抗蚀剂层图案；利用多个第二光致抗蚀剂层图案形成多个平坦化层图案；利用多个平坦化层图案和多个第一光致抗蚀剂层图案形成多个层图案。
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