图像传感器
    1.
    发明公开
    图像传感器 审中-公开

    公开(公告)号:CN119947283A

    公开(公告)日:2025-05-06

    申请号:CN202411521008.2

    申请日:2024-10-29

    Abstract: 一种图像传感器包括:衬底;第一像素,其设置在衬底中,第一像素包括第一光电转换区;第二像素,其设为在衬底中邻近于第一像素,第二像素包括第二光电转换区;第一像素中的第一浮置扩散区;第二像素中的第二浮置扩散区;衬底上的绝缘层;以及穿过绝缘层并且连接至第一浮置扩散区和第二浮置扩散区的第一埋置连接件,其中,第一埋置连接件包括上表面和下表面,第一埋置连接件的上表面处于高于绝缘层的上表面的竖直水平处,并且第一埋置连接件的下表面处于高于或等于绝缘层的下表面的竖直水平处。

    图像传感器
    3.
    发明公开
    图像传感器 审中-实审

    公开(公告)号:CN115995475A

    公开(公告)日:2023-04-21

    申请号:CN202211272059.7

    申请日:2022-10-18

    Abstract: 一种图像传感器包括:基板;像素隔离图案,在基板中并在基板中限定多个单位像素区;多个滤色器,在基板上并分别对应于所述多个单位像素区;低折射率图案,在所述多个滤色器中的相邻的滤色器之间以使所述相邻的滤色器至少部分地隔开而不彼此直接接触;在基板和所述多个滤色器之间的绝缘结构;以及与像素隔离图案垂直地重叠的光阻挡图案。光阻挡图案在绝缘结构内并与低折射率图案隔开而不直接接触。

    图像传感器
    4.
    发明公开
    图像传感器 审中-实审

    公开(公告)号:CN114335036A

    公开(公告)日:2022-04-12

    申请号:CN202110798120.0

    申请日:2021-07-14

    Abstract: 提供一种图像传感器,其可以包括:半导体衬底,具有表面并包括沟槽,所述沟槽从所述表面延伸到所述半导体衬底中;绝缘图案,设置在所述沟槽中;以及掺杂区域,在所述半导体衬底中且在所述绝缘图案上。所述掺杂区域包括:侧部,在所述绝缘图案的侧表面上;以及底部,在所述绝缘图案的底表面上。所述掺杂区域的侧部的厚度为所述掺杂区域的底部的厚度的85%至115%,所述掺杂区域的侧部中的每单位面积的掺杂剂数量是所述底部中的每单位面积的掺杂剂数量的85%至115%。

    用于执行应用的设备和方法

    公开(公告)号:CN107924314A

    公开(公告)日:2018-04-17

    申请号:CN201680044987.4

    申请日:2016-07-18

    CPC classification number: G06F9/4403 G06F9/4405

    Abstract: 提供了一种电子设备,以使用户能够体验电子设备中的应用的快速启动。所述电子设备包括壳体、显示器、输入单元、处理器、存储应用程序的非易失性存储器和存储以下指令的易失性存储器:所述指令允许所述处理器基于所述电子设备的第一状态变化将所述应用程序的第一部分加载到所述易失性存储器中、基于所述电子设备的第二状态变化将所述应用程序的第二部分加载到所述易失性存储器中并且显示由已加载的第一部分和第二部分产生的图像或文本。由于所述应用的至少一部分是在产生所述第二输入之前被预加载的,为了在产生所述第二输入之后执行所述应用,只有所述应用的其余部分必须被加载。

    用于执行应用的设备和方法

    公开(公告)号:CN107924314B

    公开(公告)日:2021-11-02

    申请号:CN201680044987.4

    申请日:2016-07-18

    Abstract: 提供了一种电子设备,以使用户能够体验电子设备中的应用的快速启动。所述电子设备包括壳体、显示器、输入单元、处理器、存储应用程序的非易失性存储器和存储以下指令的易失性存储器:所述指令允许所述处理器基于所述电子设备的第一状态变化将所述应用程序的第一部分加载到所述易失性存储器中、基于所述电子设备的第二状态变化将所述应用程序的第二部分加载到所述易失性存储器中并且显示由已加载的第一部分和第二部分产生的图像或文本。由于所述应用的至少一部分是在产生所述第二输入之前被预加载的,为了在产生所述第二输入之后执行所述应用,只有所述应用的其余部分必须被加载。

    图像传感器和包括该图像传感器的电子系统

    公开(公告)号:CN119923000A

    公开(公告)日:2025-05-02

    申请号:CN202410925959.X

    申请日:2024-07-11

    Abstract: 公开了图像传感器和包括该图像传感器的电子系统。图像传感器包括单位像素、传感器阵列区域和电容器区域,单位像素分别包括位于具有前侧表面和后侧表面的基底中的光电二极管,传感器阵列区域包括被构造为将单位像素彼此隔离并垂直穿透基底的至少一个隔离结构,电容器区域在与基底的后侧表面平行的水平方向上与传感器阵列区域邻近地布置,并且包括在基底的前侧表面上的至少一个电容器和与所述至少一个电容器邻近以垂直穿透基底的至少一个虚设隔离结构,其中,所述至少一个隔离结构和所述至少一个虚设隔离结构中的每个的一个端表面与基底的后侧表面共面,并且所述至少一个隔离结构和所述至少一个虚设隔离结构包括相同的材料。

    图像传感器及制造其的方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115763503A

    公开(公告)日:2023-03-07

    申请号:CN202211067322.9

    申请日:2022-09-01

    Abstract: 一种图像传感器包括:包括多个像素区的半导体基板;在半导体基板上的抗反射层;提供在抗反射层上和像素区中的滤色器;以及设置在滤色器中的相邻滤色器之间的栅栏结构,其中栅栏结构包括:穿透抗反射层的下部;在抗反射层上的上部;以及在下部与上部之间的中间部,其中栅栏结构具有底切区,该底切区提供在中间部的两侧并且在栅栏结构的上部与抗反射层的顶表面之间。

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