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公开(公告)号：CN1164761A
公开(公告)日：1997-11-12
申请号：CN96113405.4
申请日：1996-09-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/32137
Abstract: 本发明涉及半导体器件制造工艺中用等离子体选择蚀刻圆片上的载硅层，它包括：采用混合气体作为供应气体，混合气体由含氯或氟的蚀刻气体和另一种在等离子体放电时产生碳烯结构中间生成物的气体混合物组成；在断面的载硅层受蚀刻的侧壁上形成在等离子体状态下产生的聚合物，该聚合物为所述中间生成物的混合材料。因此，本发明的蚀刻层断面足以用来制造要求高集成度和超细线条的半导体器件，从而可以制取高容量、高功能的半导体器件。
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公开(公告)号：CN110534140B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201910339068.5
申请日：2019-04-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10
Abstract: 公开了一种存储器装置、存储器系统和存储器装置的操作方法。一种存储器装置包括：驱动器，驱动与外部装置连接的数据线；内部ZQ管理器，产生内部ZQ开始信号；选择器，基于ZQ模式选择内部ZQ开始信号和来自外部装置的ZQ开始命令中的一个；ZQ校准引擎，通过响应于选择器的选择结果执行ZQ校准来产生ZQ码；以及ZQ码寄存器，响应于来自外部装置的ZQ锁存命令将ZQ码加载到驱动器上。
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公开(公告)号：CN110097906A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910001529.8
申请日：2019-01-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4063 , H03K3/017
Abstract: 公开一种调节占空比的存储器装置和具有存储器装置的存储器系统。一种存储器装置包括：时钟接收器，被配置为：从存储器控制器接收用于在数据写入操作期间接收写入数据的写入时钟；占空比监视器，被配置为：通过监视写入时钟的占空比生成第一监视信息；占空比调节器，被配置为：响应于占空比控制信号，调节写入时钟的占空比并且输出调节的写入时钟。存储器装置将第一监视信息提供给存储器控制器，并且从存储器控制器接收使用第一监视信息生成的占空比控制信号。
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公开(公告)号：CN1132232C
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：CN96113405.4
申请日：1996-09-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/32137
Abstract: 本发明涉及半导体器件制造工艺中用等离子体选择蚀刻圆片上的载硅层，它包括：采用混合气体作为供应气体，混合气体由含氯或氟的蚀刻气体和另一种在等离子体放电时产生碳烯结构中间生成物的气体混合物组成；在断面的载硅层受蚀刻的侧壁上形成在等离子体状态下产生的聚合物，该聚合物为所述中间生成物的混合材料。因此，本发明的蚀刻层断面足以用来制造要求高集成度和超细线条的半导体器件，从而可以制取高容量、高功能的半导体器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118800752A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410427731.8
申请日：2024-04-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/482 , H01L23/48 , H10B80/00
Abstract: 提供一种存储器装置和半导体封装件。存储器装置包括：半导体衬底；多个导线接合焊盘，其位于半导体衬底上并沿第一方向布置；多个信号再分布图案，其将多个导线接合焊盘当中的第一导线接合焊盘分别连接到多个信号过孔焊盘，其中多个信号再分布图案在垂直于第一方向的第二方向上位于相对于多个导线接合焊盘的第一侧上；以及多个电力再分布图案，其分别连接到多个导线接合焊盘当中的第二导线接合焊盘，其中多个电力再分布图案在第二方向上位于相对于多个导线接合焊盘的第二侧上，其中第一方向和第二方向与半导体衬底的上表面平行。
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公开(公告)号：CN110097906B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN201910001529.8
申请日：2019-01-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4063 , H03K3/017
Abstract: 公开一种调节占空比的存储器装置和具有存储器装置的存储器系统。一种存储器装置包括：时钟接收器，被配置为：从存储器控制器接收用于在数据写入操作期间接收写入数据的写入时钟；占空比监视器，被配置为：通过监视写入时钟的占空比生成第一监视信息；占空比调节器，被配置为：响应于占空比控制信号，调节写入时钟的占空比并且输出调节的写入时钟。存储器装置将第一监视信息提供给存储器控制器，并且从存储器控制器接收使用第一监视信息生成的占空比控制信号。
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公开(公告)号：CN110310681B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN201910202222.4
申请日：2019-03-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10
Abstract: 提供了一种存储装置、一种操作存储装置的方法、一种存储控制器和一种操作存储控制器的方法。操作布置在多区块存储设备的不同区块中并共享信号线的存储装置的方法包括：在多区块存储设备中包括的所有存储装置中，接收信号线的片内终结(ODT)状态信息。所述方法还包括：在多区块存储设备中的每个存储装置中，将信号线的ODT状态信息存储在模式寄存器中。所述方法还包括：在多区块存储设备的每个存储装置中，基于存储在模式寄存器中的信号线的ODT状态信息产生控制信号。所述方法还包括：在多区块存储设备的每个存储装置中，响应于控制信号而改变信号线的ODT设置。
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公开(公告)号：CN110534140A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910339068.5
申请日：2019-04-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10
Abstract: 公开了一种存储器装置、存储器系统和存储器装置的操作方法。一种存储器装置包括：驱动器，驱动与外部装置连接的数据线；内部ZQ管理器，产生内部ZQ开始信号；选择器，基于ZQ模式选择内部ZQ开始信号和来自外部装置的ZQ开始命令中的一个；ZQ校准引擎，通过响应于选择器的选择结果执行ZQ校准来产生ZQ码；以及ZQ码寄存器，响应于来自外部装置的ZQ锁存命令将ZQ码加载到驱动器上。
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公开(公告)号：CN110310681A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910202222.4
申请日：2019-03-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10
Abstract: 提供了一种存储装置、一种操作存储装置的方法、一种存储控制器和一种操作存储控制器的方法。操作布置在多区块存储设备的不同区块中并共享信号线的存储装置的方法包括：在多区块存储设备中包括的所有存储装置中，接收信号线的片内终结(ODT)状态信息。所述方法还包括：在多区块存储设备中的每个存储装置中，将信号线的ODT状态信息存储在模式寄存器中。所述方法还包括：在多区块存储设备的每个存储装置中，基于存储在模式寄存器中的信号线的ODT状态信息产生控制信号。所述方法还包括：在多区块存储设备的每个存储装置中，响应于控制信号而改变信号线的ODT设置。
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