-
公开(公告)号：CN120071982A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510215448.3
申请日：2021-10-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了操作存储器控制器的方法、控制存储器装置的方法和存储器控制器。操作存储器控制器的方法包括：接收存储器装置的MRS的第一信息，MRS的第一信息包括指示存储器装置支持存储器装置的DQ引脚的DFE量操作的控制参数；将与时钟信号同步的CAS命令发送到存储器装置；将写入命令发送到存储器装置；在从CAS命令起流逝预定时间之后将与时钟信号同步的写入时钟信号发送到存储器装置；通过数据线将写入数据发送到存储器装置；以及将第二信息发送到存储器装置的MRS。数据线基于控制参数以逻辑低被预驱动达预定的预驱动时间。MRS的第二信息包括DFE量操作的全局操作参数和每引脚操作参数，全局操作参数与DQ引脚相关联，并且每引脚操作参数与相应DQ引脚相关联。
-
公开(公告)号：CN110097906B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN201910001529.8
申请日：2019-01-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4063 , H03K3/017
Abstract: 公开一种调节占空比的存储器装置和具有存储器装置的存储器系统。一种存储器装置包括：时钟接收器，被配置为：从存储器控制器接收用于在数据写入操作期间接收写入数据的写入时钟；占空比监视器，被配置为：通过监视写入时钟的占空比生成第一监视信息；占空比调节器，被配置为：响应于占空比控制信号，调节写入时钟的占空比并且输出调节的写入时钟。存储器装置将第一监视信息提供给存储器控制器，并且从存储器控制器接收使用第一监视信息生成的占空比控制信号。
-
公开(公告)号：CN108008805B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN201711045809.6
申请日：2017-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F1/3234
Abstract: 本发明提供一种控制多个低功率状态的方法和存储器装置。所述方法包含：进入低功率模式状态，其中响应于低功率状态进入命令刷新存储器装置的存储器单元行并且功率消耗低于在自身刷新模式状态中的功率消耗；以及基于在存储器装置的模式寄存器中设置的低功率模式退出时延时间，或警报信号和低功率模式退出命令中的至少一个，退出所述低功率模式状态。通过使用多个低功率状态，可最大化节省存储器装置的功率消耗。
-
公开(公告)号：CN115048041A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210215950.0
申请日：2022-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种与存储器控制器通信的存储器设备的操作方法，该方法包括：从存储器控制器接收第一命令，该第一命令指示数据时钟信号的同步的启动并且定义对应于该同步的时钟部分；在准备时间段期间准备数据时钟信号的转换；基于以参考频率转换的数据时钟信号处理第一数据流；以及基于以参考频率转换并且针对所定义的第一时钟部分的时段扩展的数据时钟信号处理第二数据流。
-
公开(公告)号：CN114464220A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202111231244.7
申请日：2021-10-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了存储操作参数的多个参数码的设备、存储器装置和方法。所述存储器装置包括模式寄存器和控制逻辑电路。为了设置一个操作参数的第一操作条件和第二操作条件，模式寄存器存储所述一个操作参数的第一参数码和被表示为相对于第一参数码的偏移值的第二参数码。控制逻辑电路基于第一控制码通过使用第一参数码来将第一操作条件设置为所述存储器装置的当前操作条件，并且基于第二控制码通过使用第一参数码和第二参数码将第二操作条件设置为所述存储器装置的当前操作条件。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109994138A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201810730845.4
申请日：2018-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4093
Abstract: 本申请提供了一种半导体存储装置、存储器系统和电子装置。所述半导体存储装置被配置为：响应于模式设置命令而输入模式设置代码并设置在线数据；利用写命令处理数据位数信息以产生第一数据信号；利用读命令处理数据位数信息以产生第二数据信号；基于使用行地址和激活命令产生的字线选择信号和使用列地址和写命令或读命令产生的列选择信号来存取所选存储器单元；响应于第一数据信号，处理第一数量的数据位并将第一数量的数据位发送到所选的存储器单元，并且响应于第二数据信号，处理从所选的存储器单元接收的数据并输出第二数量的数据位。
-
公开(公告)号：CN110310681B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN201910202222.4
申请日：2019-03-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10
Abstract: 提供了一种存储装置、一种操作存储装置的方法、一种存储控制器和一种操作存储控制器的方法。操作布置在多区块存储设备的不同区块中并共享信号线的存储装置的方法包括：在多区块存储设备中包括的所有存储装置中，接收信号线的片内终结(ODT)状态信息。所述方法还包括：在多区块存储设备中的每个存储装置中，将信号线的ODT状态信息存储在模式寄存器中。所述方法还包括：在多区块存储设备的每个存储装置中，基于存储在模式寄存器中的信号线的ODT状态信息产生控制信号。所述方法还包括：在多区块存储设备的每个存储装置中，响应于控制信号而改变信号线的ODT设置。
-
公开(公告)号：CN114664347A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202111431969.0
申请日：2021-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406
Abstract: 提供了一种存储器设备、存储器系统和刷新存储器设备的方法。该存储器设备包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元行；和刷新控制电路，被配置为响应于刷新命令来对多个存储器单元行执行刷新操作，刷新控制电路被配置为在每个基本刷新率定期接收刷新命令，其中，刷新控制电路基于存储器设备的温度来确定要刷新的存储器单元行的数量，并且响应于刷新命令，在与基本刷新率相关联的基本刷新周期期间，从多个存储器单元行当中刷新所确定的数量的存储器单元行。
-
公开(公告)号：CN110310681A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910202222.4
申请日：2019-03-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10
Abstract: 提供了一种存储装置、一种操作存储装置的方法、一种存储控制器和一种操作存储控制器的方法。操作布置在多区块存储设备的不同区块中并共享信号线的存储装置的方法包括：在多区块存储设备中包括的所有存储装置中，接收信号线的片内终结(ODT)状态信息。所述方法还包括：在多区块存储设备中的每个存储装置中，将信号线的ODT状态信息存储在模式寄存器中。所述方法还包括：在多区块存储设备的每个存储装置中，基于存储在模式寄存器中的信号线的ODT状态信息产生控制信号。所述方法还包括：在多区块存储设备的每个存储装置中，响应于控制信号而改变信号线的ODT设置。
-
公开(公告)号：CN108008805A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711045809.6
申请日：2017-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F1/32
CPC classification number: G06F3/0634 , G06F3/0604 , G06F3/0625 , G06F3/0659 , G06F3/0673 , G11C11/40615 , G11C11/4074 , G11C2211/4067 , G06F1/3234
Abstract: 本发明提供一种控制多个低功率状态的方法和存储器装置。所述方法包含：进入低功率模式状态，其中响应于低功率状态进入命令刷新存储器装置的存储器单元行并且功率消耗低于在自身刷新模式状态中的功率消耗；以及基于在存储器装置的模式寄存器中设置的低功率模式退出时延时间，或警报信号和低功率模式退出命令中的至少一个，退出所述低功率模式状态。通过使用多个低功率状态，可最大化节省存储器装置的功率消耗。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
16
records
(took 0.031 seconds)
