公开(公告)号：CN1696349A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200510072659.9

申请日：2005-05-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文彰爕 ,  高炯浩 ,  沈雨宽 ,  洪昌基 ,  崔相俊

IPC: C23F1/16 ,  C09K13/08 ,  C09K13/06 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/31111 ,  H01L21/76224 ,  H01L28/40

Abstract: 提供了一种用于去除氧化物膜的含阴离子表面活性剂的刻蚀液，及其制备方法以及使用该刻蚀液制造半导体器件的方法。该刻蚀液包括氢氟酸(HF)、去离子水和阴离子表面活性剂。阴离子表面活性剂是其中添加了芳香树脂(anime)盐作为平衡离子的化合物，由R1－OSO3－HA+、R1－CO2－HA+、R1－PO42－(HA+)2、(R1)2－PO4－HA+以及R1－SO3－HA+表示，其中R1是C4至C22的直烃基或支烃基，以及A是氨或胺。刻蚀液提供氧化物膜与氮化物膜或与多晶硅膜的高刻蚀选择率。因此，在半导体器件制造工艺如STI器件隔离工艺或电容器形成工艺中，当氧化物膜与氮化物膜或多晶硅膜一起露出时，在仅仅选择地除去氧化物膜中可以有效地使用该刻蚀液。