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公开(公告)号：CN114551443A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202111249646.X
申请日：2021-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 一种集成电路器件包括：鳍型有源区，设置在衬底上并且沿第一水平方向延伸；栅极线，设置在所述鳍型有源区上并且沿与所述第一水平方向相交的第二水平方向延伸，所述栅极线包括连接突出部分和主栅极部分，所述连接突出部分包括处于距所述衬底的第一垂直高度处的突出顶表面，所述主栅极部分包括自所述连接突出部分起沿所述第二水平方向延伸的凹陷顶表面，所述凹陷顶表面处于低于所述第一垂直高度的第二垂直高度处；栅极接触，设置在所述栅极线上并且连接到所述连接突出部分；源极/漏极区，设置在所述鳍型有源区上并且与所述栅极线相邻设置；和源极/漏极接触，设置在所述源极/漏极区上。
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公开(公告)号：CN107452802B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201710368551.7
申请日：2017-05-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78
Abstract: 本发明如下提供了一种垂直场效应晶体管。衬底具有沿着平行于衬底的上表面的第一方向布置的下部漏极和下部源极。鳍片结构安置于衬底上，并且从衬底的上表面垂直地延伸。鳍片结构包含沿着第一方向布置的第一端部和第二端部。鳍片结构的第一端部的底部表面和鳍片结构的第二端部的底部表面分别与下部漏极和下部源极重叠。鳍片结构包含具有下部侧壁区域、中心侧壁区域和上部侧壁区域的侧壁。栅极电极围绕鳍片结构的中心侧壁区域。
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公开(公告)号：CN104461445B
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201410457905.1
申请日：2014-09-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了一种音频处理装置，包括：控制器，配置为确定多个初始化模式中用于处理从音频供应装置提供的视频信号和音频信号的初始化模式，并且根据确定的结果区别地执行初始化过程；以及音频处理器，配置为当执行初始化过程时处理音频信号并且输出经处理的音频信号。
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公开(公告)号：CN110021667B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN201811601984.3
申请日：2018-12-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明可提供一种垂直场效应晶体管，所述垂直场效应晶体管包括：第一源极/漏极区；沟道结构，从所述第一源极/漏极区向上突出且被配置成用作沟道，所述沟道结构在平面图中具有二维结构，所述沟道结构在所述沟道结构的至少一侧处具有开口，所述沟道结构包括一个或两个第一部分以及一个或多个第二部分，所述一个或两个第一部分在第一方向上延伸，且所述一个或多个第二部分连接到所述一个或两个第一部分中的对应的一者或多者且在第二方向上延伸，所述第二方向与所述第一方向不同；栅极结构，水平地环绕所述沟道结构；以及第二源极/漏极区，在所述沟道结构上向上。
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公开(公告)号：CN118472005A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202311151541.X
申请日：2023-09-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L27/088 , H01L21/8234 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 提供了半导体器件。所述半导体器件包括：有源图案，所述有源图案包括下图案和在所述下图案上彼此间隔开的多个片状图案；栅极结构，所述栅极结构定位在所述下图案上并且围绕所述片状图案；源极/漏极图案，所述源极/漏极图案定位在所述栅极结构的两侧；以及堆叠图案，所述堆叠图案定位在所述源极/漏极图案与所述片状图案之间，其中，所述堆叠图案包括：第一堆叠图案和第二堆叠图案，所述第一堆叠图案和所述第二堆叠图案顺序地堆叠在片状图案的侧表面上，所述第二堆叠图案包括与所述第一堆叠图案的材料不同的材料，并且所述片状图案的第一宽度小于所述栅极结构的第二宽度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116613162A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310099129.1
申请日：2023-02-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 公开了半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：包括第一区域和第二区域的衬底；在衬底中的器件隔离图案；在衬底的第一区域上的下分离电介质图案；在下分离电介质图案上的第一沟道图案；第一栅电极，在第一沟道图案上，并包括在下分离电介质图案和最下面的第一沟道图案之间的第一栅极部分；以及第一源极/漏极图案，在第一栅电极的相反侧并与第一沟道图案的侧表面接触。下分离电介质图案的底表面在高于或等于器件隔离图案的底表面的水平的水平。下分离电介质图案的顶端在比第一栅极部分的底表面的水平高的水平。
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公开(公告)号：CN107452802A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710368551.7
申请日：2017-05-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/0847 , H01L29/41741 , H01L29/41758 , H01L29/42376 , H01L29/7827 , H01L29/7851 , H01L29/785
Abstract: 本发明如下提供了一种垂直场效应晶体管。衬底具有沿着平行于衬底的上表面的第一方向布置的下部漏极和下部源极。鳍片结构安置于衬底上，并且从衬底的上表面垂直地延伸。鳍片结构包含沿着第一方向布置的第一端部和第二端部。鳍片结构的第一端部的底部表面和鳍片结构的第二端部的底部表面分别与下部漏极和下部源极重叠。鳍片结构包含具有下部侧壁区域、中心侧壁区域和上部侧壁区域的侧壁。栅极电极围绕鳍片结构的中心侧壁区域。
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公开(公告)号：CN109979989B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201811612378.1
申请日：2018-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 可以提供一种垂直双极晶体管，所述垂直双极晶体管包括：基底，包括第一导电类型的第一阱和与第一导电类型不同的第二导电类型的第二阱，第一阱与第二阱邻接；第一鳍，从第一阱延伸；第二鳍，从第一阱延伸；第三鳍，从第二阱延伸；第一导电区，位于第一鳍上，具有第二导电类型并且被构造为用作所述垂直双极晶体管的发射极；第二导电区，位于第二鳍上，具有第一导电类型并且被构造为用作所述垂直双极晶体管的基极；以及第三导电区，位于第三鳍上，具有第二导电类型并且被构造为用作所述垂直双极晶体管的集电极。
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公开(公告)号：CN108987477B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN201810509771.1
申请日：2018-05-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 可以提供一种垂直隧穿场效应晶体管(VTFET)及其方法，所述VTFET包括：从包括源极/漏极区域的衬底突出的鳍结构；所述鳍结构上的外延生长的源极/漏极结构；包括柱部的帽，所述柱部覆盖所述外延生长的源极/漏极结构的侧表面并且部分覆盖所述鳍结构的上部的侧表面；栅极绝缘体，所述栅极绝缘体覆盖所述帽的所述柱部下方的所述鳍结构的侧表面的剩余部分；所述栅极绝缘体上的功函数金属栅极；以及分离图案，所述分离图案围绕鳍结构的下部使得所述功函数金属栅极垂直地位于所述帽与所述分离图案之间，所述分离图案将所述功函数金属栅极与所述源极/漏极区域电隔离。
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公开(公告)号：CN114497040A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202110971178.0
申请日：2021-08-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体器件包括：第一有源图案和第二有源图案，分别在衬底的第一有源区和第二有源区上；栅电极，在第一沟道图案和第二沟道图案上；有源接触，与第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案中的至少一个电连接；栅极接触，与栅电极电连接；第一金属层，在有源接触和栅极接触上，并包括第一电力线和第二电力线；以及第一栅极切割图案和第二栅极切割图案，在第一电力线和第二电力线下方。第一有源图案可以包括在一对第一源极/漏极图案之间的第一沟道图案。第二有源图案可以包括在一对第二源极/漏极图案之间的第二沟道图案。第一栅极切割图案和第二栅极切割图案可以分别覆盖第一沟道图案和第二沟道图案的最外侧表面。
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