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公开(公告)号：CN109508514B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201910083553.0
申请日：2014-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F30/39 , G06F30/392 , H01L27/02 , H01L27/092 , H01L27/105 , H01L29/66
Abstract: 本发明公开了一种布局设计系统、一种布局设计方法和一种半导体装置。所述布局设计系统包括：处理器；存储单元，被配置为存储具有第一面积的第一单元设计，其中，在第一单元设计中，在第一单元设计的边界上未布置端子；以及设计模块，被配置为通过在第一单元设计的边界上布置端子来产生具有大于第一面积的第二面积的第二单元设计。
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公开(公告)号：CN115117052A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210130051.0
申请日：2022-02-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了提供增加的引脚接入点的集成电路及其设计方法。所述集成电路包括：第一单元，所述第一单元包括在第一线路层中沿着第一轨迹在第一方向上延伸的第一下图案；以及第二单元，所述第二单元包括在所述第一线路层中沿着所述第一轨迹在所述第一方向上延伸的第二下图案，并且所述第二下图案与所述第一下图案相距所述第一线路层的最小间距或者更远，其中，所述第一下图案对应于所述第一单元的引脚，并且与所述第一下图案距所述第一单元与所述第二单元之间的边界相比，所述第二下图案距所述第一单元与所述第二单元之间的边界更远。
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公开(公告)号：CN114361154A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111176640.4
申请日：2021-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02
Abstract: 提供了一种集成电路及设计集成电路的方法。集成电路包括：第一单元，其具有第一高度，并且布置于在第一方向上延伸的第一行中；第二单元，其具有第二高度，并且布置于在第一方向上延伸并且与第一行相邻的第二行中，其中，第二单元在垂直于第一方向的第二方向上与第一单元相邻；以及电力线，其在第一方向上延伸，布置在第一单元与第二单元之间的边界上，并且被配置为将电力供应到第一单元和第二单元。第一单元沿着第二方向与电力线的具有第一宽度的部分叠置，并且第二单元沿着第二方向与电力线的具有第二宽度的部分叠置，并且第一宽度和第二宽度彼此不同。
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公开(公告)号：CN107104101A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710397056.9
申请日：2015-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/092 , H01L27/118 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/11807 , H01L27/0207 , H01L27/0924 , H01L29/42384 , H01L29/6681 , H01L29/785 , H01L2027/11875
Abstract: 提供了一种集成电路(IC)、一种半导体装置和一种标准单元库。集成电路(IC)可包括至少一个单元，所述至少一个单元包括：多条导线，沿第一方向延伸并且沿与第一方向垂直的第二方向彼此平行；第一接触件，分别设置在所述多条导线中的至少一条导线的两侧处；以及第二接触件，设置在所述至少一条导线和第一接触件上并通过电连接到所述至少一条导线和第一接触件而形成单个节点。
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公开(公告)号：CN106407496A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610615043.X
申请日：2016-07-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F17/50 , H01L21/768
CPC classification number: G06F17/5077 , H01L27/0207 , H01L27/11807 , G06F17/5072 , G06F17/5081 , H01L21/76838
Abstract: 提供了一种设计半导体装置的布图的方法和制造半导体装置的方法。所述设计半导体装置的布图的方法包括：制造标准单元布图，包括在至少一个互连布图中安置初始管脚图案；执行布线步骤以使初始管脚图案连接到高水平互连布图；基于完成布线步骤时获得的接触信息在互连布图中产生管脚图案。管脚图案小于初始管脚图案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106057774A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610207159.X
申请日：2016-04-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 提供了一种半导体器件以及一种制造该半导体器件的方法。所述半导体器件包括：基板；栅电极，位于基板上；绝缘层，位于栅电极上；第一下通孔和第二下通孔，位于绝缘层中；第一下金属线和第二下金属线，设置在绝缘层上并且分别连接到第一下通孔和第二下通孔；第一上金属线和第二上金属线，设置在第一下金属线和第二下金属线上并且分别连接到第一下金属线和第二下金属线。当在平面图中观察时，第一下通孔与第二上金属线叠置，并且第二下通孔与第一上金属线叠置。
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公开(公告)号：CN109616470B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201910079668.2
申请日：2015-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/092 , H01L27/118 , H01L21/336
Abstract: 提供了一种集成电路(IC)、一种半导体装置和一种标准单元库。集成电路(IC)可包括至少一个单元，所述至少一个单元包括：多条导线，沿第一方向延伸并且沿与第一方向垂直的第二方向彼此平行；第一接触件，分别设置在所述多条导线中的至少一条导线的两侧处；以及第二接触件，设置在所述至少一条导线和第一接触件上并通过电连接到所述至少一条导线和第一接触件而形成单个节点。
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公开(公告)号：CN115000006A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210612937.9
申请日：2016-11-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/8238
Abstract: 半导体装置包含：导体，其安置于衬底上；第一触点，其安置于导体上；第二触点，其具有安置于第一触点上的第一部分以及在平行于衬底的方向上远离第一部分伸出的第二部分，其中第一和第二触点安置于绝缘层中；通孔，其安置于绝缘层和第二触点的第二部分上；以及金属线，其安置于通孔上。
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公开(公告)号：CN108231760B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN201711337186.X
申请日：2017-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02
Abstract: 本公开涉及具有垂直晶体管的集成电路。一种具有垂直晶体管的集成电路包括在第一方向上延伸并彼此平行地顺序排列的第一栅线至第四栅线、在第一栅线至第三栅线之上并与第二栅线绝缘的第一顶有源区、以及第二顶有源区。第一顶有源区分别与第一栅线和第三栅线形成第一晶体管和第三晶体管。第二顶有源区在第二栅线至第四栅线之上并与第三栅线绝缘。第二顶有源区分别与第二栅线和第四栅线形成第二晶体管和第四晶体管。
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公开(公告)号：CN114373751A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202111199156.3
申请日：2021-10-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092
Abstract: 提供了一种半导体装置。该半导体装置包括：衬底，其包括第一虚设区域和与第一虚设区域间隔开的第二虚设区域；器件隔离层，其填充第一虚设区域与第二虚设区域之间的沟槽；第一虚设电极，其设置在第一虚设区域上；第二虚设电极，其设置在第二虚设区域上；电力线，其从第一虚设区域延伸到第二虚设区域，电力线包括设置在器件隔离层上的扩展部分，扩展部分的宽度大于电力线的剩余部分的线宽；电力输送网络，其设置在衬底的底表面上；以及通孔，其延伸穿过衬底和器件隔离层，并且将电力输送网络电连接到扩展部分。通孔和扩展部分竖直重叠。
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