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公开(公告)号：CN107767901B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN201710718768.6
申请日：2017-08-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 示例性实施例包括半导体装置及操作和控制半导体装置的方法。所述半导体装置包括：存储器单元阵列，包括连接在多条字线与多条位线之间的多个存储器单元；行解码器，用于接收行地址并选择与行地址对应的字线；列解码器，用于接收列地址并选择与列地址对应的位线；读出放大器，用于读取存储在连接到所选字线和所选位线的存储器单元中的数据；以及数据输出驱动器。所述方法包括：设定用于驱动器控制码的校准码，以控制数据输出驱动器的初始电流强度；并且在用于存储器单元阵列的读取或写入操作期间，改变校准码以改变驱动器控制码。
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公开(公告)号：CN108008805B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN201711045809.6
申请日：2017-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F1/3234
Abstract: 本发明提供一种控制多个低功率状态的方法和存储器装置。所述方法包含：进入低功率模式状态，其中响应于低功率状态进入命令刷新存储器装置的存储器单元行并且功率消耗低于在自身刷新模式状态中的功率消耗；以及基于在存储器装置的模式寄存器中设置的低功率模式退出时延时间，或警报信号和低功率模式退出命令中的至少一个，退出所述低功率模式状态。通过使用多个低功率状态，可最大化节省存储器装置的功率消耗。
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公开(公告)号：CN108932959B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201810131724.8
申请日：2018-02-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/24 , G11C11/4078
Abstract: 提供针对被干扰行执行照顾操作的存储器装置及其操作方法。一种存储器装置包括存储器单元阵列、刷新控制器以及控制逻辑。存储器单元阵列包括多个行。刷新控制器对所述多个行执行刷新操作。控制逻辑基于所述多个行在第一周期期间被访问的次数，控制对与第一行最邻近的第一邻近区域的照顾操作。控制逻辑还基于所述多个行在第二周期期间被访问的次数，控制对与第二行第二邻近的第二邻近区域的照顾操作。第一周期和第二周期是不同的周期。
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公开(公告)号：CN108008805A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711045809.6
申请日：2017-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F1/32
CPC classification number: G06F3/0634 , G06F3/0604 , G06F3/0625 , G06F3/0659 , G06F3/0673 , G11C11/40615 , G11C11/4074 , G11C2211/4067 , G06F1/3234
Abstract: 本发明提供一种控制多个低功率状态的方法和存储器装置。所述方法包含：进入低功率模式状态，其中响应于低功率状态进入命令刷新存储器装置的存储器单元行并且功率消耗低于在自身刷新模式状态中的功率消耗；以及基于在存储器装置的模式寄存器中设置的低功率模式退出时延时间，或警报信号和低功率模式退出命令中的至少一个，退出所述低功率模式状态。通过使用多个低功率状态，可最大化节省存储器装置的功率消耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108932959A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201810131724.8
申请日：2018-02-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/24 , G11C11/4078
CPC classification number: G11C11/40615 , G11C11/40611 , G11C11/408 , G11C7/24 , G11C11/4078
Abstract: 提供针对被干扰行执行照顾操作的存储器装置及其操作方法。一种存储器装置包括存储器单元阵列、刷新控制器以及控制逻辑。存储器单元阵列包括多个行。刷新控制器对所述多个行执行刷新操作。控制逻辑基于所述多个行在第一周期期间被访问的次数，控制对与第一行最邻近的第一邻近区域的照顾操作。控制逻辑还基于所述多个行在第二周期期间被访问的次数，控制对与第二行第二邻近的第二邻近区域的照顾操作。第一周期和第二周期是不同的周期。
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公开(公告)号：CN107767901A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710718768.6
申请日：2017-08-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C7/22 , G11C7/04 , G11C7/06 , G11C7/1051 , G11C7/1057 , G11C7/1084 , G11C7/12 , G11C7/18 , G11C7/20 , G11C8/08 , G11C8/10 , G11C8/14 , G11C29/00 , G11C29/025 , G11C29/028
Abstract: 示例性实施例包括半导体装置及操作和控制半导体装置的方法。所述半导体装置包括：存储器单元阵列，包括连接在多条字线与多条位线之间的多个存储器单元；行解码器，用于接收行地址并选择与行地址对应的字线；列解码器，用于接收列地址并选择与列地址对应的位线；读出放大器，用于读取存储在连接到所选字线和所选位线的存储器单元中的数据；以及数据输出驱动器。所述方法包括：设定用于驱动器控制码的校准码，以控制数据输出驱动器的初始电流强度；并且在用于存储器单元阵列的读取或写入操作期间，改变校准码以改变驱动器控制码。
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公开(公告)号：CN117789778A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311109792.1
申请日：2023-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开存储器装置，所述存储器装置包括：第一存储器单元，与第一字线和第一位线电连接；第一位线感测放大器电路，与第一位线电连接；第一局部感测放大器电路，通过第一局部输入/输出线与第一位线感测放大器电路电连接；第一局部驱动器，通过第一预全局输入/输出线与第一局部感测放大器电路电连接；以及感测放大器和写入驱动器，通过全局输入/输出线与第一局部驱动器电连接，并且第一局部驱动器基于针对第一存储器单元的操作选择性地将第一预全局输入/输出线与全局输入/输出线电断开。
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公开(公告)号：CN108010545B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN201710914705.8
申请日：2017-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/22
Abstract: 一种用于存储设备的训练方法包括：在存储器控制器处向存储设备提供时钟信号，以在时钟信号的参考时间点对控制信号进行同步。当诸如训练时钟信号之类的时钟信号在参考时间点之后不转变时，基于所述时钟信号和所述控制信号来寻找所述存储设备不能在参考时间点对所述控制信号进行采样的失败时间点。可以基于所述失败时间点来设置所述控制信号的同步时间点，在所述同步时间点所述存储设备确保在参考时间点对所述控制信号进行采样的采样裕度。采样器电路可以在所述时钟信号的上升沿的边沿对所述控制信号进行采样。
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公开(公告)号：CN108010545A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201710914705.8
申请日：2017-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/22
CPC classification number: G11C16/32 , G11C7/222 , G11C29/023 , G11C29/028 , G11C2207/2245 , G11C2207/2254 , G11C2207/2281 , G11C2207/229
Abstract: 一种用于存储设备的训练方法包括：在存储器控制器处向存储设备提供时钟信号，以在时钟信号的参考时间点对控制信号进行同步。当诸如训练时钟信号之类的时钟信号在参考时间点之后不转变时，基于所述时钟信号和所述控制信号来寻找所述存储设备不能在参考时间点对所述控制信号进行采样的失败时间点。可以基于所述失败时间点来设置所述控制信号的同步时间点，在所述同步时间点所述存储设备确保在参考时间点对所述控制信号进行采样的采样裕度。采样器电路可以在所述时钟信号的上升沿的边沿对所述控制信号进行采样。
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