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公开(公告)号：CN118366990A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202311743963.6
申请日：2023-12-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L23/48 , H01L23/528 , H01L21/8238 , G06F30/394
Abstract: 一种集成电路可以包括：栅电极，包括在第一方向上间隔开的第一栅电极和第二栅电极、以及在第一方向上间隔开的第三栅电极和第四栅电极。第二栅电极和第三栅电极接收第一控制信号，并且第一栅电极和第四栅电极接收第二控制信号。该集成电路还包括在第一栅电极和第二栅电极之间的第一漏区、以及在第三栅电极和第四栅电极之间的第二漏区，其中，第一漏区和第二漏区彼此电连接。该集成电路包括连接到第一漏区和第二漏区以及第一栅电极至第四栅电极中的至少一个的正面配线层、以及连接到第一漏区和第二漏区以及第一栅电极至第四栅电极中的至少另一个的背面配线层。
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公开(公告)号：CN118099158A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410099459.5
申请日：2017-10-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种集成电路包括：下层，包括在第一方向上延伸的第一下部图案和第二下部图案；布置在第一下部图案上的第一通孔和布置在第二下部图案上的第二通孔；布置在第一通孔上的第一上部图案；以及布置在第二通孔上的第二上部图案，其中第一颜色被分配给第一上部图案，第二颜色被分配给第二上部图案，第一上部图案和第二上部图案在第二方向上彼此邻近，并且第一通孔布置在第一下部图案的第一边缘区域中，第一边缘区域与第一下部图案的第二边缘区域相比离第二下部图案更远，第二边缘区域与第一边缘区域相对。
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公开(公告)号：CN110828449B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN201910327491.3
申请日：2019-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/088
Abstract: 提供了包括标准单元的集成电路以及制造集成电路的方法。一种集成电路可以包括：第一标准单元，包括在第一水平方向上延伸的第一有源区和第二有源区以及在与第一水平方向正交的第二水平方向上延伸的第一栅极线；和第二标准单元，其包括在第一水平方向上延伸的第三有源区和第四有源区以及在第二水平方向上与第一栅极线平行地对准的第二栅极线并与第一标准单元相邻。第一标准单元的第二有源区与第二标准单元的第三有源区之间的距离可以大于第一标准单元的第一有源区和第二有源区之间的距离，并可以大于第二标准单元的第三有源区和第四有源区之间的距离。
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公开(公告)号：CN116666373A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310154810.1
申请日：2023-02-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/16 , H01L23/528 , H01L23/485 , H01L23/48 , H01L21/60
Abstract: 本公开提供了集成电路器件及其形成方法。集成电路器件可以包括晶体管、无源器件、在晶体管和无源器件之间延伸的基板、以及电源轨。无源器件可以与基板间隔开。无源器件和电源轨中的每个可以具有面对基板的第一表面，并且无源器件的第一表面比电源轨的第一表面更靠近基板。
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公开(公告)号：CN109616470B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201910079668.2
申请日：2015-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/092 , H01L27/118 , H01L21/336
Abstract: 提供了一种集成电路(IC)、一种半导体装置和一种标准单元库。集成电路(IC)可包括至少一个单元，所述至少一个单元包括：多条导线，沿第一方向延伸并且沿与第一方向垂直的第二方向彼此平行；第一接触件，分别设置在所述多条导线中的至少一条导线的两侧处；以及第二接触件，设置在所述至少一条导线和第一接触件上并通过电连接到所述至少一条导线和第一接触件而形成单个节点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115954340A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202310100341.5
申请日：2018-02-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L27/02
Abstract: 公开了一种集成电路。该集成电路包括沿第一方向延伸的第一有源区和第二有源区，沿基本上垂直于第一方向的第二方向延伸并且跨过第一有源区和第二有源区的第一栅极线以及包括在第一有源区上方与第一栅极线交叉的第一导电图案和在第一栅极线上方沿第二方向延伸并连接到第一导电图案的第二导电图案的第一接触跨接线。
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公开(公告)号：CN115000006A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210612937.9
申请日：2016-11-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/8238
Abstract: 半导体装置包含：导体，其安置于衬底上；第一触点，其安置于导体上；第二触点，其具有安置于第一触点上的第一部分以及在平行于衬底的方向上远离第一部分伸出的第二部分，其中第一和第二触点安置于绝缘层中；通孔，其安置于绝缘层和第二触点的第二部分上；以及金属线，其安置于通孔上。
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公开(公告)号：CN106057774B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201610207159.X
申请日：2016-04-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 提供了一种半导体器件以及一种制造该半导体器件的方法。所述半导体器件包括：基板；栅电极，位于基板上；绝缘层，位于栅电极上；第一下通孔和第二下通孔，位于绝缘层中；第一下金属线和第二下金属线，设置在绝缘层上并且分别连接到第一下通孔和第二下通孔；第一上金属线和第二上金属线，设置在第一下金属线和第二下金属线上并且分别连接到第一下金属线和第二下金属线。当在平面图中观察时，第一下通孔与第二上金属线叠置，并且第二下通孔与第一上金属线叠置。
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公开(公告)号：CN110828449A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910327491.3
申请日：2019-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/088
Abstract: 提供了包括标准单元的集成电路以及制造集成电路的方法。一种集成电路可以包括：第一标准单元，包括在第一水平方向上延伸的第一有源区和第二有源区以及在与第一水平方向正交的第二水平方向上延伸的第一栅极线；和第二标准单元，其包括在第一水平方向上延伸的第三有源区和第四有源区以及在第二水平方向上与第一栅极线平行地对准的第二栅极线并与第一标准单元相邻。第一标准单元的第二有源区与第二标准单元的第三有源区之间的距离可以大于第一标准单元的第一有源区和第二有源区之间的距离，并可以大于第二标准单元的第三有源区和第四有源区之间的距离。
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公开(公告)号：CN110504263A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910148266.3
申请日：2019-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L27/02
Abstract: 一种集成电路，包括：布置在沿第一水平方向延伸的第一行中的第一单元，布置在与第一行相邻的第二行中的第二单元，以及连续地布置在第一行和第二行中的第三单元。第一单元和第二单元包括在第一水平方向上延伸的第一电力线的相应部分，第三单元包括在第一行中电连接到第一电力线并且在第一水平方向上延伸的第二电力线。
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