公开(公告)号：CN101076410B

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200580022684.4

申请日：2005-07-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 茅东升 ,  R·芬克 ,  Z·雅尼弗

IPC: B05D5/12

CPC classification number: H01J29/04 ,  B82Y10/00 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2329/0431 ,  H01J2329/0455

Abstract: 介绍了在工业规模上对纳米微粒发射器图形化的方法，所述发射器可用作显示器中的阴极。该低温方法可在大产量应用中实施，所得显示器件具有良好的均匀性。所述方法的步骤包括将CNT发射器材料沉积在预制得的复合结构的整个表面上，然后用物理方法从表面上不需要CNT发射器的部分除去CNT发射器材料。

公开(公告)号：CN101432838B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN200580030256.6

申请日：2005-09-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 茅东升 ,  R·L·芬克 ,  Z·雅尼弗

IPC: H01J1/62

CPC classification number: H01J1/304 ,  B82Y10/00 ,  H01J9/025 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明公开一种使用纳米微粒如碳纳米管(CNT)形成用于场致发射器件的阴极的方法。CNT层包含在阴极表面上的电子发射材料。采用本发明的方法，可以通过在阴极表面形成发射孤立体来调整沉积的CNT的密度。CNT发射孤立体的尺寸和分布可用来对形成的CNT层选择最佳的场致发射性质。一个实施方式中，CNT发射孤立体是采用丝网印刷的沉积方法形成的。本发明方法在沉积步骤后不需要进一步的处理步骤来激活或对齐碳纳米管进行场致发射。