公开(公告)号：CN112883680A

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN202011310722.9

申请日：2020-11-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡中揆 ,  郑臻愚 ,  千宽永

IPC: G06F30/392 ,  G06F30/394 ,  H01L27/02

Abstract: 提供了制造包括纳米片的集成电路的方法和计算系统。所述制造集成电路的方法包括：通过对定义所述集成电路的标准单元进行布局和布线，生成所述集成电路的布图数据，所述标准单元包括纳米片；通过使用所述布图数据执行所述集成电路的时序分析，生成时序分析数据；以及通过基于所述时序分析数据和所布局的所述标准单元的所述纳米片的形状对定义所述集成电路的所述标准单元进行重新布局和重新布线，重新生成所述集成电路的布图数据。

公开(公告)号：CN112820728A

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN202011296256.3

申请日：2020-11-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡中揆 ,  千宽永 ,  金润镇

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/105 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体器件，包括：一对第一和第二虚设有源区，在第一水平方向上延伸并且在第二水平方向上彼此间隔开；一对第一和第二电路有源区，在第一水平方向上延伸并且在第二水平方向上间隔开；以及多个线图案，在第二水平方向上延伸并且在第一水平方向上间隔开。所述一对第一和第二虚设有源区可以在所述多个线图案当中的彼此相邻的一对线图案之间。第一和第二虚设有源区中的至少一个可以具有宽度改变部分，在该宽度改变部分中，第一和第二虚设有源区中的所述至少一个的宽度在彼此相邻的所述一对线图案之间在第二水平方向上改变。