公开(公告)号：CN114141763A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202111013461.9

申请日：2021-08-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张爱妮 ,  黄仁孝

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498

Abstract: 提供了一种包括加强件的半导体封装件。所述半导体封装件包括：电路板；半导体芯片，所述半导体芯片位于所述电路板上；以及加强件，所述加强件围绕所述半导体芯片，其中，所述加强件包括顺序堆叠的第一金属层、芯层和第二金属层。

公开(公告)号：CN117425346A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202310542290.1

申请日：2023-05-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑显秀 ,  金泳龙 ,  黄仁孝

IPC: H10B41/41 ,  H10B41/35 ,  H10B41/50 ,  H10B41/27 ,  H10B43/40 ,  H10B43/50 ,  H10B43/35 ,  H10B43/27

Abstract: 一种半导体器件，包括：外围电路结构，包括衬底上的外围电路和电连接到外围电路的第一接合焊盘；以及单元阵列结构，包括半导体层上的存储单元、以及电连接到存储单元并接合到第一接合焊盘的第二接合焊盘。单元阵列结构还包括：堆叠结构，包括绝缘层和电极；半导体层的表面上的外部连接焊盘；虚设图案，相对于衬底位于与半导体层相同的水平处；以及在半导体层和虚设图案上的光敏绝缘层。光敏绝缘层的与外部连接焊盘竖直重叠的部分的第一厚度大于光敏绝缘层的与虚设图案竖直重叠的另一部分的第二厚度。

公开(公告)号：CN117650135A

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202310987011.2

申请日：2023-08-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑显秀 ,  金泳龙 ,  黄仁孝

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L23/488

Abstract: 提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括：重分布线结构，包括多个重分布线图案；第一半导体芯片和第二半导体芯片，在重分布线结构上并且彼此间隔开；桥接结构，在第一半导体芯片、第二半导体芯片与重分布线结构之间，并且包括被配置为将第一半导体芯片电连接到第二半导体芯片的多个连接布线图案；以及模制层，围绕桥接结构的侧壁并且填充在第一半导体芯片、第二半导体芯片与重分布线结构之间以及第一半导体芯片与第二半导体芯片之间，其中，多个连接布线图案的最下表面在多个重分布线图案的最上表面上方。

公开(公告)号：CN117457593A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202310380946.4

申请日：2023-04-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑显秀 ,  金泳龙 ,  黄仁孝

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/302 ,  H10B80/00

Abstract: 一种半导体封装件可以包括基板、安装在所述基板上的芯片结构和附接到所述芯片结构的第一虚设结构。所述芯片结构可以包括：第一半导体芯片；第二虚设结构，所述第二虚设结构设置在所述第一半导体芯片的一侧；以及模制层，所述模制层包围所述第一半导体芯片和所述第二虚设结构。所述第一半导体芯片的底表面、所述第二虚设结构的底表面和所述模制层的底表面可以彼此共面。