多层电子组件
    1.
    发明公开
    多层电子组件 审中-公开

    公开(公告)号:CN119542030A

    公开(公告)日:2025-02-28

    申请号:CN202411187393.1

    申请日:2024-08-28

    Abstract: 本公开提供一种多层电子组件,所述多层电子组件包括:主体,包括在第一方向上交替地设置的介电层和内电极,并且包括在所述第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面且在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面至所述第四表面且在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面;绝缘层,设置在所述第一表面、所述第二表面、所述第五表面和所述第六表面上,并且包括Al2O3和BN中的至少一种;外电极,设置在所述主体上,其中,所述第一表面和所述第二表面中的每个向所述主体内凹入。

    多层电子组件
    2.
    发明公开
    多层电子组件 审中-实审

    公开(公告)号:CN114678212A

    公开(公告)日:2022-06-28

    申请号:CN202111432488.1

    申请日:2021-11-29

    Abstract: 本发明提供一种多层电子组件。所述多层电子组件包括:主体,包括介电层以及交替设置的第一内电极和第二内电极,且所述介电层分别介于所述第一内电极与所述第二内电极之间,所述第一内电极暴露于所述主体的两个端表面,所述第二内电极暴露于所述主体的垂直于所述端表面的安装表面;一对连接部,均包括导电层和绝缘层,所述导电层设置在所述主体的所述端表面中的一个上并连接到所述第一内电极,所述绝缘层设置在所述导电层上;第一外电极和第二外电极,设置在所述主体的所述安装表面上并分别连接到所述一对连接部的所述导电层;以及第三外电极,设置在所述主体的所述安装表面上且位于所述第一外电极与所述第二外电极之间,并连接到所述第二内电极。

    多层电子组件
    3.
    发明公开
    多层电子组件 审中-公开

    公开(公告)号:CN119993740A

    公开(公告)日:2025-05-13

    申请号:CN202411582013.4

    申请日:2024-11-07

    Inventor: 刘陈烨

    Abstract: 本公开提供一种多层电子组件。所述多层电子组件包括:主体,包括介电层和内电极,并且具有彼此相对的第一表面和第二表面、彼此相对的第三表面和第四表面以及彼此相对的第五表面和第六表面;以及外电极,包括连接部和带部,连接部设置在第三表面或第四表面上,带部从连接部延伸到第一表面的一部分和第二表面的一部分上。外电极包括:下电极层,设置在连接部和带部处;中间电极层,设置在带部处;以及上电极层,在连接部处与下电极层接触并且在带部处与中间电极层接触。下电极层包括Cu,中间电极层包括Ag,并且包括Cu‑Ag合金的合金层设置在下电极层与中间电极层之间的界面处。

    多层电子组件
    4.
    发明公开
    多层电子组件 审中-公开

    公开(公告)号:CN118571650A

    公开(公告)日:2024-08-30

    申请号:CN202410186889.0

    申请日:2024-02-20

    Abstract: 本公开提供了一种多层电子组件。所述多层电子组件包括:主体,包括介电层和与所述介电层交替设置的内电极;以及外电极,设置在所述主体上,其中,所述主体包括电容形成部和设置在所述电容形成部的在宽度方向上的两个表面上的边缘部,所述边缘部包括与所述电容形成部相邻的第一区域、与所述边缘部的外表面相邻的第三区域以及设置在所述第一区域和所述第三区域之间的第二区域,并且当包括在所述第一区域中的介电晶粒的平均晶粒尺寸被称为G1,包括在所述第二区域中的介电晶粒的平均晶粒尺寸被称为G2,并且包括在所述第三区域中的介电晶粒的平均晶粒尺寸被称为G3时,满足G2>G1和G2>G3。

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