多层陶瓷电子组件
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114023563B

    公开(公告)日:2024-05-14

    申请号:CN202111351910.0

    申请日:2020-02-04

    Abstract: 本发明提供一种多层陶瓷电子组件,所述多层陶瓷电子组件包括:陶瓷主体,包括设置为彼此面对的第一内电极和第二内电极以及介于所述第一内电极和所述第二内电极之间的介电层。当所述介电层的平均厚度表示为“td”,所述第一内电极和所述第二内电极的平均厚度表示为“te”,并且在内电极的预定区域中的多个点处测量的内电极的厚度的标准偏差表示为“σte”时,所述内电极的厚度的标准偏差与所述介电层的平均厚度的比表示为“σte/td”,“σte/td”满足0.12≤σte/td≤0.21。

    多层陶瓷电子组件及其制造方法

    公开(公告)号:CN112289583B

    公开(公告)日:2021-12-03

    申请号:CN202010079682.5

    申请日:2020-02-04

    Abstract: 本发明提供一种多层陶瓷电子组件及其制造方法,所述多层陶瓷电子组件包括:陶瓷主体,包括设置为彼此面对的第一内电极和第二内电极以及介于所述第一内电极和所述第二内电极之间的介电层。当所述介电层的平均厚度表示为“td”,所述第一内电极和所述第二内电极的平均厚度表示为“te”,并且在内电极的预定区域中的多个点处测量的内电极的厚度的标准偏差表示为“σte”时,所述内电极的厚度的标准偏差与所述介电层的平均厚度的比表示为“σte/td”,“σte/td”满足0.12≤σte/td≤0.21。

    多层陶瓷电子组件
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114023563A

    公开(公告)日:2022-02-08

    申请号:CN202111351910.0

    申请日:2020-02-04

    Abstract: 本发明提供一种多层陶瓷电子组件,所述多层陶瓷电子组件包括:陶瓷主体,包括设置为彼此面对的第一内电极和第二内电极以及介于所述第一内电极和所述第二内电极之间的介电层。当所述介电层的平均厚度表示为“td”,所述第一内电极和所述第二内电极的平均厚度表示为“te”,并且在内电极的预定区域中的多个点处测量的内电极的厚度的标准偏差表示为“σte”时,所述内电极的厚度的标准偏差与所述介电层的平均厚度的比表示为“σte/td”,“σte/td”满足0.12≤σte/td≤0.21。

    多层陶瓷电子组件及其制造方法

    公开(公告)号:CN112289583A

    公开(公告)日:2021-01-29

    申请号:CN202010079682.5

    申请日:2020-02-04

    Abstract: 本发明提供一种多层陶瓷电子组件及其制造方法,所述多层陶瓷电子组件包括:陶瓷主体,包括设置为彼此面对的第一内电极和第二内电极以及介于所述第一内电极和所述第二内电极之间的介电层。当所述介电层的平均厚度表示为“td”,所述第一内电极和所述第二内电极的平均厚度表示为“te”,并且在内电极的预定区域中的多个点处测量的内电极的厚度的标准偏差表示为“σte”时,所述内电极的厚度的标准偏差与所述介电层的平均厚度的比表示为“σte/td”,“σte/td”满足0.12≤σte/td≤0.21。

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