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公开(公告)号：CN110364356A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910021538.3
申请日：2019-01-10
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供了一种多层电容器。所述多层电容器包括：主体，包括多个介电层以及分别暴露于所述主体在长度方向上的相对的表面的多个第一内电极和多个第二内电极，相应介电层介于第一内电极和第二内电极之间；以及第一外电极和第二外电极，设置在所述主体在所述长度方向上的相对端，并分别连接到所述第一内电极和所述第二内电极。所述多个第一内电极和所述多个第二内电极包括镍(Ni)和锑(Sb)或锗(Ge)。
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公开(公告)号：CN114628153A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202111194468.5
申请日：2021-10-13
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种多层电子组件。所述多层电子组件包括：主体，包括介电层和内电极，所述介电层在第一方向上介于所述内电极之间；以及外电极，设置在所述主体上并连接到所述内电极，其中，所述内电极包括镍(Ni)和镝(Dy)，并且0.02at％≤C0≤5at％，其中，C0是通过将所述内电极中包括的Dy的原子数除以Ni和Dy的原子数之和而计算的原子百分比(at％)。
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公开(公告)号：CN118197799A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202310594963.8
申请日：2023-05-24
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供了一种多层电子组件。所述多层电子组件包括：主体，包括介电层和与所述介电层交替设置的内电极；以及外电极，设置在所述主体上，其中，所述内电极中的至少一个内电极包括Ni和含Al氧化物，并且基于Ni的Al含量大于等于3at％且小于等于5at％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110364356B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN201910021538.3
申请日：2019-01-10
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供了一种多层电容器。所述多层电容器包括：主体，包括多个介电层以及分别暴露于所述主体在长度方向上的相对的表面的多个第一内电极和多个第二内电极，相应介电层介于第一内电极和第二内电极之间；以及第一外电极和第二外电极，设置在所述主体在所述长度方向上的相对端，并分别连接到所述第一内电极和所述第二内电极。所述多个第一内电极和所述多个第二内电极包括镍(Ni)和锑(Sb)或锗(Ge)。
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公开(公告)号：CN118016447A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202310429403.7
申请日：2023-04-20
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供了一种多层电子组件。所述多层电子组件包括：主体，包括电容形成部和盖部，所述电容形成部包括介电层和在第一方向上与所述介电层交替设置的内电极，所述盖部设置在所述电容形成部的在所述第一方向上的一个表面和另一表面上；以及外电极，设置在所述主体上，其中，在所述内电极与所述介电层之间的界面的一部分处设置有包含Al的第二相，并且所述第二相所占的面积相对于所述电容形成部的面积的比率大于等于0.03％且小于等于0.40％。
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公开(公告)号：CN114694956A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202111032316.5
申请日：2021-09-03
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供了一种多层陶瓷电子组件。多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括介电层以及交替堆叠的第一内电极和第二内电极，介电层包含锶(Sr)；以及第一外电极和第二外电极，分别连接到第一内电极和第二内电极，其中，介电层包括：第一区域，与第一内电极或第二内电极平行且相邻，并且厚度为50nm或更小；以及第二区域，与第一区域平行且相邻，第一区域的锶(Sr)的平均含量大于0.1mol％且小于或等于30mol％，并且第二区域的锶(Sr)的平均含量比第一区域的锶的平均含量低，其中，第一区域的锶的平均含量基于包括在第一区域中的化合物的总含量，第二区域的锶的平均含量基于包括在第二区域中的化合物的总含量。
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公开(公告)号：CN118053675A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202310677911.7
申请日：2023-06-08
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种多层电子组件。所述多层电子组件包括：主体，包括介电层和内电极；以及外电极，设置在所述主体外部并且连接到所述内电极，其中，当所述内电极包括铪(Hf)时，1.5≤Hfs/Hfc≤5.0，Hfc表示内电极的中心的平均Hf含量(at％)，Hfs表示从所述内电极的中心到所述内电极与所述介电层接触的界面测量的所述内电极的平均Hf含量(at％)。
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公开(公告)号：CN114694958A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202111641006.3
申请日：2021-12-29
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供了一种多层陶瓷电子组件。多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括介电层以及交替堆叠的第一内电极和第二内电极，介电层包含锶(Sr)；以及第一外电极和第二外电极，分别连接到第一内电极和第二内电极，其中，介电层包括：第一区域，与第一内电极或第二内电极平行且相邻，并且厚度为50nm或更小；以及第二区域，与第一区域平行且相邻，第一区域的锶(Sr)的平均含量大于0.1mol％且小于9.3mol％，并且第二区域的锶(Sr)的平均含量比第一区域的锶的平均含量低，其中，第一区域的锶的平均含量基于包括在第一区域中的化合物的总含量，第二区域的锶的平均含量基于包括在第二区域中的化合物的总含量。
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