公开(公告)号：CN111835296A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN201911248996.7

申请日：2019-12-09

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 崔圭珍 ,  赵济熙

IPC: H03F1/30

Abstract: 本公开提供一种偏置电路、放大装置以及功率放大电路。所述偏置电路包括：电流产生电路，基于参考电流产生反映环境温度变化的第一补偿电流和第二补偿电流；第一温度补偿电路，基于所述第一补偿电流产生第一基极偏置电流，以将所述第一基极偏置电流输出到放大电路的基极节点；以及第二温度补偿电路，基于所述第二补偿电流产生第二基极偏置电流，以将所述第二基极偏置电流输出到所述放大电路的所述基极节点。

公开(公告)号：CN111835295A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN201911075092.9

申请日：2019-11-06

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 崔圭珍 ,  赵济熙

IPC: H03F1/30 ,  H03F3/21

Abstract: 本发明提供一种具有温度补偿的偏置电路、放大装置以及放大设备。所述偏置电路包括：电流产生电路、偏置输出电路和温度补偿电路，所述电流产生电路基于参考电流产生内部基极电流，所述偏置输出电路基于所述内部基极电流产生基极偏置电流并且将所述基极偏置电流输出到放大电路，所述温度补偿电路基于反映周围温度改变的温度电压来调节所述基极偏置电流。

公开(公告)号：CN110690861A

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201910432520.2

申请日：2019-05-23

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 崔圭珍 ,  赵济熙

IPC: H03F1/32 ,  H03F3/19 ,  H03F3/21

Abstract: 本发明提供一种具有线性补偿功能的多级功率放大器，所述多级功率放大器包括：第一放大电路，接收第一偏置电流；第二放大电路，接收第二偏置电流；包络检测电路，基于输入射频(RF)信号的包络输出直流(DC)检测电压；以及偏置补偿电路，响应于所述DC检测电压，基于所述第二偏置电流来补偿所述第一偏置电流。

公开(公告)号：CN1854863B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200610077122.6

申请日：2006-04-27

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 赵济熙 ,  金亨根 ,  孙哲守

IPC: G02F1/13357 ,  H01L33/00

Abstract: 提供了一种用于液晶显示器(LCD)的采用发光二极管(LED)的背光单元。该背光单元包括蓝色光源、红色光源和绿色光源。该绿色光源包括紫外(UV)LED以及由UV LED发出的光激励的绿色荧光体。

公开(公告)号：CN101667617A

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：CN200910178527.2

申请日：2004-06-10

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 李庭旭 ,  成演准 ,  赵济熙 ,  白好善

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/12 ,  H01L33/22

Abstract: 本发明公开了一种发光器件及其制造方法。该发光器件包括具有至少一个带曲面的突起部分的衬底，其中即使完成半导体结晶层生长和形成发光器件时，也能获得相容的缺陷密度和均匀的应力分布。此外，该发光器件具有很高的光引出效率，用于外部引出在电致发光层生成的光。

公开(公告)号：CN1208885C

公开(公告)日：2005-06-29

申请号：CN02103159.2

申请日：2002-02-01

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 赵济熙 ,  郭准燮

IPC: H01S5/065

CPC classification number: H01S5/06203 ,  H01S5/0424 ,  H01S5/065 ,  H01S5/2231

Abstract: 提供一种用于控制载流子内流路径宽度的半导体激光二极管。该半导体激光二极管包括连接到有n型电极的n型化合物半导体层；顺序堆叠在n型化合物半导体层上的n型包层，谐振层，p型包层，和p型化合物半导体层；连接到p型化合物半导体层的p型电极；和在p型电极周围形成的载流子内流宽度控制器。

公开(公告)号：CN1610135A

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN200410048450.4

申请日：2004-06-10

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 李庭旭 ,  成演准 ,  赵济熙 ,  白好善

IPC: H01L33/00 ,  H01L27/15 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/12 ,  H01L33/22

Abstract: 本发明公开了一种发光器件及其制造方法。该发光器件包括具有至少一个带曲面的突起部分的衬底，其中即使完成半导体结晶层生长和形成发光器件时，也能获得相容的缺陷密度和均匀的应力分布。此外，该发光器件具有很高的光引出效率，用于外部引出在电致发光层生成的光。

公开(公告)号：CN101004543B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200610121475.1

申请日：2006-08-24

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 赵济熙

IPC: G03B21/14 ,  G02F1/015

CPC classification number: H04N9/3105 ,  B82Y20/00 ,  G02B5/003 ,  G02B26/02 ,  G02F1/017 ,  G02F2001/0155 ,  G03B21/005

Abstract: 本发明涉及一种投影系统，包括：光源模块，发出多种单色光；至少一个光学调制器，根据每种颜色信号调制所述光源模块发出的光；颜色组合棱镜，组合所述光学调制器调制的单色光从而形成图像；以及投影透镜，将通过所述颜色组合棱镜形成的所述图像向屏幕投影。根据反偏压的值吸收或透射所述单色光的包括P型半导体层、本征半导体层和N型半导体层的半导体二极管布置在像素单元中。

公开(公告)号：CN100539216C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200610084821.3

申请日：2006-05-18

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 赵济熙 ,  林东皙 ,  成泰连 ,  孙哲守

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L2933/0016

Abstract: 本发明提供了一种制造欧姆接触层的方法和制造具有该欧姆接触层的顶发射型氮化物基发光器件的方法。制造欧姆接触层的方法包括：在半导体层上形成第一导电材料层；在所述第一导电材料层上形成包括多个纳米尺寸岛的掩模层；在所述第一导电材料层上和掩模层中的岛上形成第二导电材料层；和使用溶剂通过剥离工艺去除所述岛上的第二导电材料部分。该方法保证了维持好的电学特性和增加光出射效率。

公开(公告)号：CN100505338C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200410082546.2

申请日：2004-09-20

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 郭准燮 ,  赵济熙

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明公开了一种发光装置和一种制造该发光装置的方法。该发光装置包括一个透明衬底，一个在透明衬底上形成的n型化合物半导体层，顺序形成在该n型化合物半导体层的第一区上的一个有源层、一个p型化合物半导体层和一个p型电极，以及一个形成在与n型化合物半导体层的第一区分开的第二区上的n型电极，其中该p型电极包括第一和第二电极，每个电极具有不同的电阻和反射率，且其中所述第一电极为镧镍氧化物膜。