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公开(公告)号：CN101051661A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200610168617.X
申请日：2006-12-20
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供了一种具有改进的结构的GaN基半导体发光器件，其中改善了光输出和发光效率。GaN基半导体发光器件包括：n电极；p电极；以及设置在n电极和p电极之间的n型半导体层、有源层和p型半导体层，其中p电极包括：在p型半导体层上由Zn或Zn基合金形成的第一电极层；在第一电极层上由Ag或Ag基合金形成的第二电极层；以及在第二电极层上由透明导电氧化物形成的第三电极层。
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公开(公告)号：CN1652362A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN200410094673.4
申请日：2004-11-12
CPC classification number: H01L33/42 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L29/452 , H01L33/32 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/32341
Abstract: 本发明提供一种具有低阻抗和高透射率的电极层、一种包括该电极层的发光器件、以及一种形成该电极层的方法。该电极层包括顺序叠置的一层第一电极层和一层第二电极层，并且第一电极层由添加了一种附加元素的氧化铟形成。并且，该附加元素包括选自Mg、Ag、Zn、Sc、Hf、Zr、Te、Se、Ta、W、Nb、Cu、Si、Ni、Co、Mo、Cr、Mn、Hg、Pr、和La中的至少一种。
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公开(公告)号：CN1599088A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410082546.2
申请日：2004-09-20
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种发光装置和一种制造该发光装置的方法。该发光装置包括一个透明衬底，一个在透明衬底上形成的n型化合物半导体层，顺序形成在该n型化合物半导体层的第一区上的一个有源层、一个p型化合物半导体层和一个p型电极，以及一个形成在与n型化合物半导体层的第一区分开的第二区上的n型电极，其中该p型电极包括第一和第二电极，每个电极具有不同的电阻和反射率。
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公开(公告)号：CN1469518A
公开(公告)日：2004-01-21
申请号：CN03148449.2
申请日：2003-06-30
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , H01S5/2063 , H01S5/32341
Abstract: 本发明公开了一种具有电流限制层的半导体激光二极管及其制造方法。该半导体激光二极管包括：衬底；第一材料层，沉积于该衬底上；有源层，沉积于该第一材料层上，并且发射激光光束；以及，第二材料层，沉积于该有源层上，并且包括由该有源层凸出的脊形部分，以及通过向该脊形部分的周边部分注入离子形成的、从而限制注入该有源层的电流的电流限制层。因此，可以制造具有低共振临界电流值的改进的半导体激光二极管，其可以移除光分布中的损失并在保持脊形部分宽度的同时减小注入该有源层中的电流的分布宽度。
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公开(公告)号：CN1367540A
公开(公告)日：2002-09-04
申请号：CN01143304.3
申请日：2001-12-18
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H01L33/04 , B82Y20/00 , H01L33/0079 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/46 , H01L33/641 , H01L2933/0016 , H01S5/0207 , H01S5/021 , H01S5/0217 , H01S5/024 , H01S5/02461 , H01S5/02476 , H01S5/0424 , H01S5/0425 , H01S5/34333 , Y10S438/928
Abstract: 在此提供一种GaN基III－V族氮化物半导体发光器件及其制造方法。在该GaN基III－V族氮化物半导体发光器件中包括面对相反方向或面对相同方向的第一和第二电极,在它们之间夹着高阻蚀基片,以及用于产生激光或发光的材料层,第二电极与通过高阻蚀性基片的被蚀刻区域暴露的最外材料层的一个区域直接接触。导热层可以形成在高阻蚀性基片的底部,以覆盖最外材料层的暴露区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1744334A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200510054281.X
申请日：2005-03-21
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/32 , H01S5/0425 , H01S5/183
Abstract: 提供一种反射电极和一种包含这种反射电极的化合物半导体发光器件，例如LED或LD。形成于一p型化合物半导体层上的所述反射电极包括：与所述p型化合物半导体层形成欧姆接触的第一电极层；设置在所述第一电极层上的，由透明导电氧化物构成的第二电极层；以及设置在所述第二电极层上的，由光反射材料构成的第三电极层。
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公开(公告)号：CN1208885C
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN02103159.2
申请日：2002-02-01
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01S5/065
CPC classification number: H01S5/06203 , H01S5/0424 , H01S5/065 , H01S5/2231
Abstract: 提供一种用于控制载流子内流路径宽度的半导体激光二极管。该半导体激光二极管包括连接到有n型电极的n型化合物半导体层；顺序堆叠在n型化合物半导体层上的n型包层，谐振层，p型包层，和p型化合物半导体层；连接到p型化合物半导体层的p型电极；和在p型电极周围形成的载流子内流宽度控制器。
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公开(公告)号：CN100461469C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200410076862.9
申请日：2001-12-18
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: C12P19/34 , C12Q1/6806 , C12Q2527/125
Abstract: 在此提供一种GaN基III-V族氮化物半导体发光器件及其制造方法。在该GaN基III-V族氮化物半导体发光器件中包括面对相反方向或面对相同方向的第一和第二电极，在它们之间央着高阻蚀基片，以及用于产生激光或发光的材料层，第二电极与通过高阻蚀性基片的被蚀刻区域暴露的最外材料层的一个区域直接接触。导热层可以形成在高阻蚀性基片的底部，以覆盖最外材料层的暴露区域。
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公开(公告)号：CN1285150C
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN03148449.2
申请日：2003-06-30
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , H01S5/2063 , H01S5/32341
Abstract: 本发明公开了一种具有电流限制层的半导体激光二极管及其制造方法。该半导体激光二极管包括：衬底；第一材料层，沉积于该衬底上；有源层，沉积于该第一材料层上，并且发射激光光束；以及，第二材料层，沉积于该有源层上，并且包括由该有源层凸出的脊形部分，以及通过向该脊形部分的周边部分注入离子形成的、从而限制注入该有源层的电流的电流限制层。因此，可以制造具有低共振临界电流值的改进的半导体激光二极管，其可以移除光分布中的损失并在保持脊形部分宽度的同时减小注入该有源层中的电流的分布宽度。
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公开(公告)号：CN1217456C
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN01124564.6
申请日：2001-08-10
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/22 , H01S5/0422 , H01S5/0655 , H01S5/3211 , H01S5/32341 , H01S2301/176
Abstract: 提供了一种脊形波导半导体激光二极管及其制作方法。在半导体激光二极管中，其垂直于有源层的脊形突起部分制作在发生受激发射的第一和第二材料层之一上，第一和第二材料层分别形成在有源层的上面和下面，其折射率低于有源层，半导体激光二极管经脊形部分与一个电极接触，其中的脊形部分的侧面至少做成不同梯度的两部分。
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