公开(公告)号：CN102157514A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110005743.4

申请日：2011-01-07

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 金基仲 ,  金镇硕 ,  金广植 ,  金胤锡 ,  姜英植 ,  朴泰俊

IPC: H01L27/01 ,  H01L23/525 ,  H01L21/70 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/016 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/5228 ,  H01L23/66 ,  H01L28/20 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种RF半导体器件及其制造方法。该射频(RF)半导体器件包括：半导体衬底；电阻器膜，其形成在所述半导体衬底的一个区域处；第一金属层，其形成在所述半导体衬底上；电介质层，其至少形成在所述下电极膜上；第二金属层，其形成在所述电介质层上；第一绝缘层，其具有与所述第一金属层相连接的第一焊盘通孔、与所述第二金属层相连接的电容器通孔以及与所述第一或第二金属层相连接的电感器通孔。第三金属层包括分别填充所述电容器通孔和所述电感器通孔的填充部分以及第二电路线。第二绝缘层形成在所述第一绝缘层上，以具有与所述第一焊盘通孔相连接的第二焊盘通孔。在所述第一和第二焊盘通孔处形成接合焊盘。