公开(公告)号：CN101945819A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN200980105397.8

申请日：2009-02-09

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 长崎宽范

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01G5/16 ,  H03H3/007 ,  H03H9/24

CPC classification number: H03H3/0072 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/033 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/00182 ,  B81C2201/0178 ,  H01G5/16 ,  H03H9/2463 ,  H03H2009/02496 ,  Y10T29/49002

Abstract: 本发明提供一种能够使间隙进一步狭小化的微型机电设备的结构及其制造方法。在本发明的微型机电设备中，共振子(22)和电极(21)相互对置，在该对置面上形成有一对热氧化膜(5、5)，在两热氧化膜间具有狭小化了的间隙。在本发明的微型机电设备的制造工序中，对形成共振子(22)和电极(21)的Si层实施利用了光刻法和蚀刻法的加工，在形成作为间隙的槽(20)后，对该Si层实施热氧化处理，在槽(20)的对置面上形成一对Si热氧化膜(5、5)。