公开(公告)号：CN107078005B

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201480082170.7

申请日：2014-09-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 绫淳

IPC: H01J27/08 ,  H01J37/317

Abstract: 目的在于得到能够缩短固体材料的升华温度稳定化时间而提高工作效率的离子注入装置。离子注入装置具有：真空分隔壁(1)，其内部保持为真空；固体填充容器(3)，其整体配置于所述真空分隔壁(1)的内部，填充有固体材料(8)；加热器(7)，其使在所述固体填充容器(3)中填充的所述固体材料(8)升华而生成原料气体(9)；电弧室(6)，其将所述原料气体(9)离子化而作为离子束(11)射出；气体供给喷嘴(10)，其将所述原料气体(9)从所述固体填充容器(3)引导至所述电弧室(6)；以及支撑件(4)，其将所述固体填充容器(3)支撑固定于所述真空分隔壁(1)，所述支撑件(4)与所述真空分隔壁(1)及所述固体填充容器(3)相比导热性低。

公开(公告)号：CN107078005A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201480082170.7

申请日：2014-09-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 绫淳

IPC: H01J27/08 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J27/08 ,  H01J37/08 ,  H01J37/18 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/08

Abstract: 目的在于得到能够缩短固体材料的升华温度稳定化时间而提高工作效率的离子注入装置。离子注入装置具有：真空分隔壁(1)，其内部保持为真空；固体填充容器(3)，其整体配置于所述真空分隔壁(1)的内部，填充有固体材料(8)；加热器(7)，其使在所述固体填充容器(3)中填充的所述固体材料(8)升华而生成原料气体(9)；电弧室(6)，其将所述原料气体(9)离子化而作为离子束(11)射出；气体供给喷嘴(10)，其将所述原料气体(9)从所述固体填充容器(3)引导至所述电弧室(6)；以及支撑件(4)，其将所述固体填充容器(3)支撑固定于所述真空分隔壁(1)，所述支撑件(4)与所述真空分隔壁(1)及所述固体填充容器(3)相比导热性低。

公开(公告)号：CN104238280A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410264507.8

申请日：2014-06-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 绫淳 ,  鹿间省三 ,  结城秀昭

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/3021 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置的制造方法，其能够进一步减少显影液滴下时所产生的微泡，并能够实现图案缺陷的进一步减少，由此适用于碳化硅半导体装置的制造。半导体装置的制造方法具有照相制版工序，该照相制版工序具有进行显影液浸渍处理的工序。进行显影液浸渍处理的工序具有工序(a)和工序(b)，在工序(a)中，将显影液(3)滴在碳化硅半导体衬底(1)上，以膜厚大于6μm的方式形成显影液膜(4)，在工序(b)中，使显影液膜(4)的膜厚变薄至小于或等于6μm。

公开(公告)号：CN103548145A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201280024635.4

申请日：2012-03-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日野史郎 ,  三浦成久 ,  古川彰彦 ,  中尾之泰 ,  渡边友胜 ,  多留谷政良 ,  海老池勇史 ,  今泉昌之 ,  绫淳

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/12 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/0485 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7845 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够抑制阈值电压随时间变化的半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置具备在半导体基板20上形成的漂移层21、在漂移层21表层中相互离开地形成的第1阱区域41、在漂移层21以及各第1阱区域41上跨越地形成的栅绝缘膜30、在栅绝缘膜30上选择性地形成的栅电极50、贯通栅绝缘膜30而到达至各第1阱区域41内部的源极接触孔61、和在源极接触孔61的至少侧面中形成的、压缩应力残留的压缩应力残留层90。

公开(公告)号：CN104238280B

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201410264507.8

申请日：2014-06-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 绫淳 ,  鹿间省三 ,  结城秀昭

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/3021 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置的制造方法，其能够进一步减少显影液滴下时所产生的微泡，并能够实现图案缺陷的进一步减少，由此适用于碳化硅半导体装置的制造。半导体装置的制造方法具有照相制版工序，该照相制版工序具有进行显影液浸渍处理的工序。进行显影液浸渍处理的工序具有工序(a)和工序(b)，在工序(a)中，将显影液(3)滴在碳化硅半导体衬底(1)上，以膜厚大于6μm的方式形成显影液膜(4)，在工序(b)中，使显影液膜(4)的膜厚变薄至小于或等于6μm。

公开(公告)号：CN103299425B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201180064721.3

申请日：2011-06-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 海老池勇史 ,  中谷贵洋 ,  渡边宽 ,  藤井善夫 ,  绫淳 ,  中木义幸 ,  川上刚史 ,  中田修平

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L21/266 ,  H01L21/0465 ,  H01L23/544 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/872 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种能够抑制高电场的产生、抑制绝缘破坏的产生的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置的制造方法具备：（a）准备作为由第1导电类型的碳化硅半导体构成的基底的n+基板（1）的工序；（b）在n+基板（1）上使用抗蚀剂图案（13）来形成包围元件区域的凹槽构造（14）的工序；以及（c）通过经由抗蚀剂图案（13）的杂质注入而在凹槽构造（14）内的凹槽底面（15）以及凹槽侧面（20）的面内形成作为第2导电类型的杂质层的保护环注入层（3）的工序，其中，凹槽构造（14）的拐角部分被杂质层（3）所覆盖。

公开(公告)号：CN106252416B

公开(公告)日：2019-04-23

申请号：CN201610674419.4

申请日：2012-03-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日野史郎 ,  三浦成久 ,  古川彰彦 ,  中尾之泰 ,  渡边友胜 ,  多留谷政良 ,  海老池勇史 ,  今泉昌之 ,  绫淳

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/12 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够抑制阈值电压随时间变化的半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置具备在半导体基板20上形成的漂移层21、在漂移层21表层中相互离开地形成的第1阱区域41、在漂移层21以及各第1阱区域41上跨越地形成的栅绝缘膜30、在栅绝缘膜30上选择性地形成的栅电极50、贯通栅绝缘膜30而到达至各第1阱区域41内部的源极接触孔61、和在源极接触孔61的至少侧面中形成的、压缩应力残留的压缩应力残留层90。

公开(公告)号：CN106252416A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610674419.4

申请日：2012-03-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日野史郎 ,  三浦成久 ,  古川彰彦 ,  中尾之泰 ,  渡边友胜 ,  多留谷政良 ,  海老池勇史 ,  今泉昌之 ,  绫淳

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/12 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/0485 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7845 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L23/5226 ,  H01L29/12 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66477

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够抑制阈值电压随时间变化的半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置具备在半导体基板20上形成的漂移层21、在漂移层21表层中相互离开地形成的第1阱区域41、在漂移层21以及各第1阱区域41上跨越地形成的栅绝缘膜30、在栅绝缘膜30上选择性地形成的栅电极50、贯通栅绝缘膜30而到达至各第1阱区域41内部的源极接触孔61、和在源极接触孔61的至少侧面中形成的、压缩应力残留的压缩应力残留层90。

公开(公告)号：CN103548145B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201280024635.4

申请日：2012-03-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日野史郎 ,  三浦成久 ,  古川彰彦 ,  中尾之泰 ,  渡边友胜 ,  多留谷政良 ,  海老池勇史 ,  今泉昌之 ,  绫淳

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/12 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/0485 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7845 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够抑制阈值电压随时间变化的半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置具备在半导体基板20上形成的漂移层21、在漂移层21表层中相互离开地形成的第1阱区域41、在漂移层21以及各第1阱区域41上跨越地形成的栅绝缘膜30、在栅绝缘膜30上选择性地形成的栅电极50、贯通栅绝缘膜30而到达至各第1阱区域41内部的源极接触孔61、和在源极接触孔61的至少侧面中形成的、压缩应力残留的压缩应力残留层90。

公开(公告)号：CN104238286A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410280862.4

申请日：2014-06-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 结城秀昭 ,  绫淳 ,  鹿间省三

IPC: G03F7/30

CPC classification number: G03F7/30 ,  G03F7/3021

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种半导体装置的制造方法，其简单地减少由微泡引起的显影缺陷。本发明的半导体装置的制造方法具有以下工序：(a)准备在一个主面上形成有光致抗蚀剂膜(2)的碳化硅衬底(1)的工序；(b)将第1显影液(3)滴下至光致抗蚀剂膜(2)上的工序；(c)在工序(b)结束后经过第1显影时间后，使碳化硅衬底(1)旋转，从光致抗蚀剂膜(2)上甩掉第1显影液(3)的工序；(d)在工序(c)之后向光致抗蚀剂膜(2)上滴下第2显影液(3)的工序；以及(e)在工序(d)结束后经过第2显影时间后，使碳化硅衬底(1)旋转，从光致抗蚀剂膜(2)上甩掉第2显影液(3)的工序。