公开(公告)号：CN110337508B

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201880014267.2

申请日：2018-12-19

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 森晓 ,  梅本启太 ,  桥本周 ,  武田拓真

IPC: C23C14/34 ,  B22F3/10 ,  C22C1/04 ,  C22C1/05 ,  C22C9/00 ,  H01L31/0749

Abstract: 本发明的Cu‑Ga合金溅射靶具有如下组成：作为金属成分，以20原子％以上且45原子％以下的范围含有Ga，进一步以合计0.1原子％以上且2原子％以下的范围含有K及Na，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，在Cu‑Ga合金的母相中分散有包含Na、K及F的复合氟化物，所述复合氟化物的内切圆的最大直径为30μm以下，在将所述复合氟化物中的Na的原子比设为[Na]且将所述复合氟化物中的K的原子比设为[K]的情况下，[Na]/([Na]+[K])在0.3以上且0.9以下的范围内。

公开(公告)号：CN110337508A

公开(公告)日：2019-10-15

申请号：CN201880014267.2

申请日：2018-12-19

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 森晓 ,  梅本启太 ,  桥本周 ,  武田拓真

IPC: C23C14/34 ,  B22F3/10 ,  C22C1/04 ,  C22C1/05 ,  C22C9/00 ,  H01L31/0749

Abstract: 本发明的Cu-Ga合金溅射靶具有如下组成：作为金属成分，以20原子％以上且45原子％以下的范围含有Ga，进一步以合计0.1原子％以上且2原子％以下的范围含有K及Na，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，在Cu-Ga合金的母相中分散有包含Na、K及F的复合氟化物，所述复合氟化物的内切圆的最大直径为30μm以下，在将所述复合氟化物中的Na的原子比设为[Na]且将所述复合氟化物中的K的原子比设为[K]的情况下，[Na]/([Na]+[K])在0.3以上且0.9以下的范围内。

公开(公告)号：CN111771012A

公开(公告)日：2020-10-13

申请号：CN201980015051.2

申请日：2019-04-04

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 桥本周 ,  梅本启太 ,  白井孝典 ,  武田拓真 ,  浦山恒太郎

IPC: C23C14/34 ,  C22C9/00 ,  C22C1/04 ,  B22F9/08

Abstract: 一种Cu‑Ga合金溅射靶，其由Cu、Ga及不可避免的杂质组成，该Cu‑Ga合金溅射靶的特征在于，设为由γ1相、γ2相、γ3相中的任一个组成的单相组织，理论密度比设为96％以上，并且靶溅射面的Ga浓度的偏差设在2.0％以内。

公开(公告)号：CN109420758A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810755765.4

申请日：2018-07-11

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 梅本启太 ,  浦山恒太郎 ,  桥本周 ,  盐野一郎

IPC: B22F1/00 ,  C22C28/00 ,  B22F9/08 ,  C23C14/34

CPC classification number: B22F1/0003 ,  B22F9/082 ,  C22C28/00 ,  C23C14/3414

Abstract: 本申请涉及In-Cu合金粉末及其制法、In-Cu合金溅射靶及其制法。该In-Cu合金粉末包含In及Cu且含氧量为1000质量ppm以下。该In-Cu合金粉末的制造方法具备：抽真空工序，使投入了包含In及Cu的原料金属的耐热容器达到10Pa以下的真空度；熔融工序，向所述耐热容器导入氧浓度为50体积ppm以下的惰性气体，使所述耐热容器的内部充满所述惰性气体，接着加热为1100℃以上来熔融所述原料金属以制成熔融原料；及雾化工序，在700℃以上的温度下以氧浓度为50体积ppm以下的惰性气体将所述熔融原料进行雾化。该In-Cu合金溅射靶由包含In及Cu且含氧量为1000质量ppm以下的烧结体构成。In-Cu合金溅射靶的制造方法中，将包含所述In-Cu合金粉末的原料粉末进行烧结。