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公开(公告)号：CN105705674B
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201480060592.4
申请日：2014-11-18
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的Cu‑Ga合金溅射靶为具有如下组成的烧结体：29.5～43.0原子％的Ga以及剩余部分为Cu和不可避免的杂质，该烧结体中的Cu‑Ga合金晶粒具有γ相粒子分散于γ1相晶粒中的组织。并且，制造上述溅射靶的方法具有如下工序：将由纯Cu粉末与Cu‑Ga合金粉末的混合粉末构成的成型体在还原性气氛中加热而进行常压烧结；以及将由此得到的烧结体在温度：450～650℃的范围内以0.1～1.0℃/min的冷却速度冷却。
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公开(公告)号：CN105705674A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201480060592.4
申请日：2014-11-18
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的Cu-Ga合金溅射靶为具有如下组成的烧结体：29.5～43.0原子％的Ga以及剩余部分为Cu和不可避免的杂质，该烧结体中的Cu-Ga合金晶粒具有γ相粒子分散于γ1相晶粒中的组织。并且，制造上述溅射靶的方法具有如下工序：将由纯Cu粉末与Cu-Ga合金粉末的混合粉末构成的成型体在还原性气氛中加热而进行常压烧结；以及将由此得到的烧结体在温度：450～650℃的范围内以0.1～1.0℃/min的冷却速度冷却。
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公开(公告)号：CN105525262A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201510655265.X
申请日：2015-10-12
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种溅射靶及层叠膜，本发明的溅射靶包含30质量％以上且50质量％以下的Zn、5质量％以上且15质量％以下的Ni、2质量％以上且10质量％以下的Mn，还包含共计0.001质量％以上且0.2质量％以下的选自Fe、Sn、Sb的一种或两种以上的元素，剩余部分由Cu和不可避免杂质构成。
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公开(公告)号：CN104419904A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410431593.7
申请日：2014-08-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C1/0425 , C22C9/00 , H01J37/3426 , C23C14/3407
Abstract: 本发明提供一种铜合金溅射靶。本发明的铜合金溅射靶由具有如下组成的铜合金构成：含有0.3质量％以上1.7质量％以下的Ca，剩余部分由Cu及不可避免杂质构成，在母相中分散有Ca偏析而成的Ca偏析相(10)，所述Ca偏析相含有由Cu构成的Cu分散相(11)。
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公开(公告)号：CN102165596B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN200980137645.7
申请日：2009-09-24
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 株式会社爱发科
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/458 , H01L29/66765 , H01L29/78621
Abstract: 本发明的薄膜晶体管的一种方式为，漏电极膜及源电极膜具有复合铜合金膜，该复合铜合金膜包括与阻挡膜相接触地形成的含氧-钙浓缩层铜合金基底层、以及在其上形成的Cu层，含氧-钙浓缩层铜合金基底层具有浓缩层，浓缩层含有Ca：2-30摩尔％、氧：20-50摩尔％，作为残余部分，含有Cu及不可避免的杂质。本发明的薄膜晶体管的另一种方式为，漏电极膜及源电极膜具有复合铜合金膜，该复合铜合金膜包括与阻挡膜相接触地形成的含氧-Ca(Al，Sn，Sb)浓缩层铜合金基底层、以及在其上形成的Cu合金层，含氧-Ca(Al，Sn，Sb)浓缩层铜合金基底层为具有浓缩层的铜合金基底层，浓缩层含有Ca：2-30摩尔％；从Al、Sn及Sb中选择的1种或2种以上共计1-10摩尔％；氧：20-50摩尔％，作为残余部分，含有Cu及不可避免的杂质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108603280B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201780007758.X
申请日：2017-01-12
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 一种由Cu‑Ga合金构成且具有中空部的Cu‑Ga合金溅射靶(10)的制造方法，该方法具有：临时烧结工序(S02)，向具有型芯(32)的成型模具填充至少含有CuGa合金粉的原料粉，并在还原气氛中进行加热而形成临时烧结体(13)；及正式烧结工序(S03)，从所述临时烧结体(13)抽取所述型芯(32)，并在还原气氛中加热所述临时烧结体(13)而形成烧结体，所述临时烧结工序(S02)中，作为所述型芯(32)，使用由线性热膨胀系数大于构成所述Cu‑Ga合金溅射靶(10)的Cu‑Ga合金的材质构成的型芯，在100℃以上且600℃以下的温度下保持10分钟以上且10小时以下，由此形成所述临时烧结体(13)。
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公开(公告)号：CN107923034B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201680048552.7
申请日：2016-08-03
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C23C14/34 , C25C7/02 , C25C1/12 , C22C9/01 , C22C9/10 , C22F1/08 , C22B15/14 , C22C9/06 , C22C9/08 , C22F1/00
Abstract: 本发明提供一种高纯度铜溅射靶材。本发明的高纯度铜溅射靶材的特征在于，除了O、H、N、C以外的Cu的纯度被设为99.99998质量％以上，Al的含量被设为0.005质量ppm以下，Si的含量被设为0.05质量ppm以下，Fe的含量被设为0.02质量ppm以下，S的含量被设为0.03质量ppm以下，Cl的含量被设为0.1质量ppm以下，O的含量被设为1质量ppm以下，H的含量被设为1质量ppm以下，N的含量被设为1质量ppm以下，C的含量被设为1质量ppm以下。
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公开(公告)号：CN108603280A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201780007758.X
申请日：2017-01-12
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 一种由Cu-Ga合金构成且具有中空部的Cu-Ga合金溅射靶(10)的制造方法，该方法具有：临时烧结工序(S02)，向具有型芯(32)的成型模具填充至少含有CuGa合金粉的原料粉，并在还原气氛中进行加热而形成临时烧结体(13)；及正式烧结工序(S03)，从所述临时烧结体(13)抽取所述型芯(32)，并在还原气氛中加热所述临时烧结体(13)而形成烧结体，所述临时烧结工序(S02)中，作为所述型芯(32)，使用由线性热膨胀系数大于构成所述Cu-Ga合金溅射靶(10)的Cu-Ga合金的材质构成的型芯，在100℃以上且600℃以下的温度下保持10分钟以上且10小时以下，由此形成所述临时烧结体(13)。
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公开(公告)号：CN105473758B
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201380078980.0
申请日：2013-10-07
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F1/0003 , B22F3/1007 , B22F2201/01 , B22F2301/10 , B22F2999/00 , C22C1/0425 , C22C9/00 , C23C14/14 , H01J37/3429
Abstract: 本发明提供一种能够进一步降低氧含量，并且能够抑制异常放电的Cu‑Ga烧结体的溅射靶及其制造方法。本发明的溅射靶具有含有20at％以上且小于30at％的Ga且剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成的成分组成，并且由通过X射线衍射观察到CuGa的归属于γ相的衍射峰和归属于ζ相的衍射峰的烧结体构成，归属于所述ζ相的衍射峰的主峰强度为归属于所述γ相的衍射峰的主峰强度的10％以上，氧含量为100ppm以下，平均粒径为100μm以下。
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公开(公告)号：CN104342574B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201410347611.3
申请日：2014-07-21
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H01J37/3429 , B22D7/005 , B22D11/004 , B22D11/108 , C22C1/02 , C22C9/00 , C22F1/08 , C23C14/3414 , H01J37/3491
Abstract: 本发明的铜合金溅射靶由铜合金构成，所述铜合金中，Ca的含量为0.3质量％～1.7质量％、Mg和Al的总含量为5质量ppm以下、氧的含量为20质量ppm以下、余量为Cu和不可避免的杂质。本发明的铜合金溅射靶的制造方法具有：准备纯度99.99质量％以上的铜的工序；惰性气体气氛或还原性气体气氛中，在坩埚内高频熔解所述铜而得到熔融铜的工序；在所述熔融铜中添加纯度98.5质量％以上的Ca并使其熔解而进行成分调整，以使其成为具有规定的成分组成的熔融金属的工序；将具有所述规定的成分组成的熔融金属在冷却的铸模中铸造而得到铸块的工序；及对所述铸块进行热轧后，进行消除应力退火的工序。
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