公开(公告)号：CN117940613A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202280058809.2

申请日：2022-08-31

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 久保田贤治 ,  荒井公 ,  宫岛直辉 ,  石川诚一

IPC: C25D5/34 ,  C22C9/00 ,  C22F1/08 ,  C25D3/30 ,  C25D7/00 ,  H01R13/03

Abstract: 一种带镀膜的端子材，其可用作电连接用端子或连接器用触头，所述带镀膜的端子材具有由铜或铜合金构成的基材和形成于该基材上的镀膜，镀膜具有由锡或锡合金构成的锡层，通过EBSD法对从基材与镀膜的界面起沿基材的厚度方向深度1μm的范围内的表面部的截面进行分析并测量的表面部KAM值为0.15°以上且小于0.90°，基材的板厚中心部的中心部KAM值为表面部KAM值的0.1倍以上且0.6倍以下。

公开(公告)号：CN114466942A

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202080068848.1

申请日：2020-09-29

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 宫岛直辉 ,  牧一诚 ,  船木真一 ,  石川诚一

IPC: C22C9/00 ,  C25D5/14 ,  C25D5/12 ,  H01R13/03 ,  C25D7/00 ,  C25D5/50

Abstract: 一种端子材，具有至少表面由Cu或Cu合金构成的基材、所述基材上的厚度0.1μm以上且1.0μm以下的Ni层、所述Ni层上的厚度0.2μm以上且2.5μm以下的Cu‑Sn金属间化合物层及所述Cu‑Sn金属间化合物层上的厚度0.5μm以上且3.0μm以下的Sn层，通过EBSD法以0.1μm的测量步长来分析所述Cu‑Sn金属间化合物层及所述Sn层的截面，将相邻的像素间的取向差为2°以上的边界视为晶界，所述Cu‑Sn金属间化合物层的平均结晶粒径Dc为0.5μm以上，所述Sn层的平均结晶粒径Ds与所述平均结晶粒径Dc的粒径比Ds/Dc为5以下。