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公开(公告)号：CN105189792A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201480020010.X
申请日：2014-04-08
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C22C9/00 , C22F1/00 , C22F1/08 , C23C14/3414 , H01B1/026
Abstract: 本发明的热轧铜板由纯度为99.99质量％以上的纯铜构成，平均结晶粒径为40μm以下，且以EBSD法测定的结晶晶界总长度L、与Σ3晶界长度Lσ3及Σ9晶界长度Lσ9之和L(σ3+σ9)的比率，即(Σ3+Σ9)晶界长度比率(L(σ3+σ9)/L)为28％以上。
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公开(公告)号：CN110678582A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201880035087.2
申请日：2018-06-01
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C25C1/12
Abstract: 本发明的高纯度电解铜的制造方法的特征在于，将含有疏水基团的芳香族环和亲水基团的聚氧化烯基的第一添加剂(A)、由聚乙烯醇类构成的第二添加剂(B)及由四唑类构成的第三添加剂(C)添加到铜电解液中，并控制第一添加剂(A)、第二添加剂(B)及第三添加剂(C)的各浓度以及电流密度和浴温以进行铜电解，由此制造如下的电解铜：Ag浓度小于0.2质量ppm、S浓度小于0.07质量ppm以及总杂质浓度小于0.2质量ppm，并且晶粒内平均取向差(称为GOS值)超过2.5°的晶粒以面积比率计为10％以下。
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公开(公告)号：CN107923034A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680048552.7
申请日：2016-08-03
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C23C14/34 , C25C7/02 , C25C1/12 , C22C9/01 , C22C9/10 , C22F1/08 , C22B15/14 , C22C9/06 , C22C9/08 , C22F1/00
Abstract: 本发明提供一种高纯度铜溅射靶材。本发明的高纯度铜溅射靶材的特征在于，除了O、H、N、C以外的Cu的纯度被设为99.99998质量％以上，Al的含量被设为0.005质量ppm以下，Si的含量被设为0.05质量ppm以下，Fe的含量被设为0.02质量ppm以下，S的含量被设为0.03质量ppm以下，Cl的含量被设为0.1质量ppm以下，O的含量被设为1质量ppm以下，H的含量被设为1质量ppm以下，N的含量被设为1质量ppm以下，C的含量被设为1质量ppm以下。
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公开(公告)号：CN103733329A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201280037162.1
申请日：2012-08-10
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H05K3/103 , B23K35/0222 , B23K35/0233 , B23K35/0238 , B23K35/262 , B23K35/3006 , C04B35/645 , C04B37/021 , C04B37/025 , C04B37/026 , C04B2237/064 , C04B2237/121 , C04B2237/124 , C04B2237/125 , C04B2237/127 , C04B2237/343 , C04B2237/366 , C04B2237/402 , C04B2237/407 , C04B2237/54 , C04B2237/60 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , C04B2237/708 , C04B2237/86 , C22C9/00 , C22C13/00 , C22C21/00 , H01L23/3735 , H01L23/3736 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/29111 , H01L2224/32225 , H01L2224/83455 , H01L2924/01322 , H05K1/0204 , H05K1/0306 , H05K1/09 , H05K3/0061 , H05K3/38 , Y10T29/49155 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01029 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的功率模块用基板(10)具备绝缘基板(11)、和在该绝缘基板(11)的一面形成的电路层(12)，其中，所述电路层(12)通过在所述绝缘基板(11)的一面接合有第一铜板(22)而构成，所述第一铜板(22)在被接合之前至少含有共计1molppm以上且100molppm以下的碱土类元素、过渡金属元素、稀土类元素中的一种以上或100molppm以上且1000molppm以下的硼中的任一方，残余部分由铜及不可避免杂质组成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117940613A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202280058809.2
申请日：2022-08-31
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 一种带镀膜的端子材，其可用作电连接用端子或连接器用触头，所述带镀膜的端子材具有由铜或铜合金构成的基材和形成于该基材上的镀膜，镀膜具有由锡或锡合金构成的锡层，通过EBSD法对从基材与镀膜的界面起沿基材的厚度方向深度1μm的范围内的表面部的截面进行分析并测量的表面部KAM值为0.15°以上且小于0.90°，基材的板厚中心部的中心部KAM值为表面部KAM值的0.1倍以上且0.6倍以下。
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公开(公告)号：CN110678582B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201880035087.2
申请日：2018-06-01
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C25C1/12
Abstract: 本发明的高纯度电解铜的制造方法的特征在于，将含有疏水基团的芳香族环和亲水基团的聚氧化烯基的第一添加剂(A)、由聚乙烯醇类构成的第二添加剂(B)及由四唑类构成的第三添加剂(C)添加到铜电解液中，并控制第一添加剂(A)、第二添加剂(B)及第三添加剂(C)的各浓度以及电流密度和浴温以进行铜电解，由此制造如下的电解铜：Ag浓度小于0.2质量ppm、S浓度小于0.07质量ppm以及总杂质浓度小于0.2质量ppm，并且晶粒内平均取向差(称为GOS值)超过2.5°的晶粒以面积比率计为10％以下。
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公开(公告)号：CN103733329B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201280037162.1
申请日：2012-08-10
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H05K3/103 , B23K35/0222 , B23K35/0233 , B23K35/0238 , B23K35/262 , B23K35/3006 , C04B35/645 , C04B37/021 , C04B37/025 , C04B37/026 , C04B2237/064 , C04B2237/121 , C04B2237/124 , C04B2237/125 , C04B2237/127 , C04B2237/343 , C04B2237/366 , C04B2237/402 , C04B2237/407 , C04B2237/54 , C04B2237/60 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , C04B2237/708 , C04B2237/86 , C22C9/00 , C22C13/00 , C22C21/00 , H01L23/3735 , H01L23/3736 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/29111 , H01L2224/32225 , H01L2224/83455 , H01L2924/01322 , H05K1/0204 , H05K1/0306 , H05K1/09 , H05K3/0061 , H05K3/38 , Y10T29/49155 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01029 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的功率模块用基板(10)具备绝缘基板(11)、和在该绝缘基板(11)的一面形成的电路层(12)，其中，所述电路层(12)通过在所述绝缘基板(11)的一面接合有第一铜板(22)而构成，所述第一铜板(22)在被接合之前至少含有共计1molppm以上且100molppm以下的碱土类元素、过渡金属元素、稀土类元素中的一种以上或100molppm以上且1000molppm以下的硼中的任一方，残余部分由铜及不可避免杂质组成。
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公开(公告)号：CN107923034B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201680048552.7
申请日：2016-08-03
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C23C14/34 , C25C7/02 , C25C1/12 , C22C9/01 , C22C9/10 , C22F1/08 , C22B15/14 , C22C9/06 , C22C9/08 , C22F1/00
Abstract: 本发明提供一种高纯度铜溅射靶材。本发明的高纯度铜溅射靶材的特征在于，除了O、H、N、C以外的Cu的纯度被设为99.99998质量％以上，Al的含量被设为0.005质量ppm以下，Si的含量被设为0.05质量ppm以下，Fe的含量被设为0.02质量ppm以下，S的含量被设为0.03质量ppm以下，Cl的含量被设为0.1质量ppm以下，O的含量被设为1质量ppm以下，H的含量被设为1质量ppm以下，N的含量被设为1质量ppm以下，C的含量被设为1质量ppm以下。
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